硅酸四(二氯丙基)酯的合成及表征

以四氯化硅和环氧氯丙烷为原料,合成新型硅卤协同阻燃剂硅酸四(二氯丙基)酯.探讨反应物质的量比,反应温度及反应时间等对产品收率的影响,确定最佳工艺条件为四氯化硅与环氧氯丙烷的物质的量比为1:4.4,反应温度为95℃,反应时间为8h,产品产率为98％.并采用元素分析FTIR、1H-NMR、极限氧指数等技术表征硅酸四(二氯丙基)酯的分子结构及相关性能.     

p-Si TFT的电场增强MILC制备技术

采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,并采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/(V·s),开关态电流比为5×106.采用拉曼光谱分析、X射线衍射、扫描电镜等微观分析手段对多晶硅薄膜进行了分析,结果表明加电场于两电极之间有促进多晶硅薄膜晶化的作用.采用EFE-MILC技术获得了大的晶粒尺寸,并用此技术制备了p沟多晶硅TFT.表明EFE-MILC技术是在低温下获得大晶粒尺寸p-Si薄膜和高性能p-SiTFT的好方法.     

防止重掺砷CZ单晶硅组分过冷的探讨

在探讨组分过冷数学模型的基础上,针对重掺砷CZ单晶硅的生长,理论计算了防止组分过冷时固液界面处晶体温度梯度G_S的临界值为51.32~33.10 K/cm.以此为依据,设计了具有较大温度梯度的18寸(60 cm)晶体生长热场,以数值模拟的方法,给出了固液界面处晶体的温度梯度G_S的模拟值为54.68~38.14 K/cm.在晶体等径生长的各个阶段,固液界面处晶体的温度梯度G_S的模拟值均在防止组分过冷的临界值之上,可以有效避免晶体生长过程中组分过冷的发生,并利用实际晶体生长试验的结果验证了以上分析的有效性.     

SiCl_4制备正硅酸乙酯的工艺研究

为寻找一条工序简单、耗价低、易于工业放大路线,实现多晶硅副产物四氯化硅(SiCl4)废物资源化制备正硅酸乙酯(TEOS),本文以多晶硅副产物SiCl4和无水乙醇为原料制备TEOS,在半连续化生产工艺的基础上研究了SiCl4与乙醇的摩尔比、反应温度、反应时间等因素对TEOS产率及纯度的影响。正交实验优化结果表明:15℃下,以恒定速率滴加14.21 g无水乙醇于15 g四氯化硅中,反应35 min,补加8.12 g无水乙醇;55℃下恒温40 min,经减压蒸馏,除去低沸点的乙醇和氯化氢,TEOS产率达到86.61%。对正交实验优水平下制得的产物进行红外光谱(IR)和气相色谱(GC)分析,结果表明:产物中TEOS结构正确,其纯度大于99.0%,达到市售分析纯纯度。     

Design of radiation hard phase-locked loop at 2.5 GHz using SOS-CMOS

Abstract: A radiation hard phase-locked loop (PLL) is designed at 2.5 GHz using silicon on sapphire complementary metal-oxide-semiconductor process. Radiation hardness is achieved through improving circuit design without sacrificing real estate. Stability is guaranteed by a fully self-bias architecture. The lock time of PLL is minimized by maximizing the loop bandwidth. Frequency tuning range of voltage controlled oscillator is significantly enhanced by a novel load configuration. In addition, multiple bias stages, asynchronous frequency divider, and silicon on sapphire process jointly make the proposed PLL more radiation hard. Layout of this PLL is simulated by Cadence Spectre RF under both single event effect and total induced dose effect. Simulation results demonstrate excellent stability, lock time < 600 ns, frequency tuning range [1.57 GHz, 3.46 GHz], and jitter < 12 ps. Through comparison with PLLs in literatures, the PLL is especially superior in terms of lock time and frequency tuning range performances.     

高骨架填充率的SiO2有序大孔材料的制备

以SiO2有序大孔材料制备作为研究对象,系统考察了胶晶模板法中影响前驱物填充率的诸因素,包括填充方法、填充时间和填充次数.研究表明,直接浸渍法易导致大孔结构的收缩、脱落和表面覆盖.本文提出的在模板表面添加盖片再填充的方法有效解决了上述问题.当填充时间为5 min、填充次数为两次时,SiO2有序大孔材料的骨架填充率较高.扫描显微镜(SEM)和分光光度计的表征结果证实,实验成功制备了填充率高达22.53%的大面积SiO2有序大孔材料.     

一类反周期函数插值算子的推广

建立了反周期函数的（0,δP）插值算子,得到了插值问题解的相关结论,是对（0,P（D））插值算子的一种推广.     

非晶硅PIN太阳能电池在强光照射下的光电转换现象

用两种不同波长、不同功率的单色光作为激发光源,研究非晶硅PIN太阳能电池的光电特性,测试并计算了有关数据,发现在高功率强光照射下,PIN太阳电池光电转换呈现一种异常的现象,对此作了理论解释。     

AVCO SiC(SCS-6)纤维的热分析和氧化研究

本文研究了AVCO碳化硅(SCS-6)单丝纤维的热性能、热暴露后的表面形态和氧化现象以及断口形貌,并对SiC的主动氧化和被动氧化进行了分析,得出了纤维的力学性能与其氧化现象的必然联系。     

水泥率值配料最优化计算方法

前言水泥率值一方面决定了水泥熟料矿物组成,同时对窖的煅烧也有着最大的影响,因此被广泛用作衡量熟料质量的主要技术经济指标,以及生料配料的依据。生料配料计算通常采用试凑法,而试凑法的精度太低,不能满足水泥工业日益发展的须要。本文从物料平衡原理出发,建立了水泥率值配料全新的数学模型和算法,和试凑法比较,计算精确度得到大幅度提高,而计算工作量却大幅度地减少,特别是过去用试凑法难于处理的退化情形,现在可以用加权最小二乘原理求出最优近似解。