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261.
OCCL是笔者做的一个新型ANSIC编译器,文中介绍在前人的工作基础上,笔者用哈希表———层次独立对应法以及最迟分配初始化法对OCCL的符号表进行设计。最终结果使编译器的时间开销得到缩减,提高了性能。 相似文献
262.
鱼油中多氯联苯分析的前处理改进研究 总被引:6,自引:0,他引:6
采用凝胶渗透色谱法去除鱼油样品中大部分油脂及其他大分子杂质 ,并使用合成硅酸铝镁载体 (Florisil)填充的固相萃取小柱进一步去除剩余的油脂和其他杂质 ,利用分段SIM的GC/MS定性 /定量分析 ,结果表明 ,所用的净化方法可有效地去除油脂及各种对GC/MS分析产生影响的杂质 ,且所用溶剂毒性小 ,方法回收率和重复性均较好 ,具有良好的应用价值。 相似文献
263.
砷酸根及铬酸根在低聚合羟基铁-蒙脱石复合体表面的竞争吸附 总被引:5,自引:0,他引:5
在模拟氧化及酸性土壤条件下,用制备的低聚合羟基铁-蒙脱石复合体进行了砷酸根、铬酸根离子的竞争吸附实验,研究了砷酸根离子和铬酸根离子不同用量及不同添加顺序对竞争吸附的影响,并与蒙脱石和含水氧化铁进行了对比。结果表明,低聚合羟基铁-蒙脱石复合体对砷酸根及铬酸根离子有不同的吸附能力,但在实验条件下砷酸根及铬酸根离子在低聚合羟基铁-蒙脱石复合体表面不发生竞争吸附。砷酸根和铬酸根的吸附顺序对其吸附量有一定的影响。竞争吸附实验的砷酸根、铬酸根吸附量均高于对其单阴离子的吸附量,此现象在复合体表面最为明显,说明复合体具有独特的阴离子吸附性能。 相似文献
264.
姜波 《宝鸡文理学院学报(自然科学版)》2003,23(4):273-275
提出了液-固相界面反应的活化能应包含表面吉布斯自由能γ,得到:E0=Eα+βSmγ (I) k=k0exp(3MβγρRT.1r) (II)t0=ρr3-2α0(3-2α)(4π)α-1k0(III)t1=∫t00ρ(4π)α-1k0r2(α-1)exp(-3MβγρRT.1r)( )采用粒径为147μm锡粒与甲基磺酸反应,其t0为t1的几十倍之多,用实验证明了该假定的正确性。 相似文献
265.
现代计算技术向科学技术研究各个领域渗透, 形成了诸多新兴交叉学科. 在对结晶学发展历史和需要解决的基本科学问题作了分析之后, 基于理论研究、晶体制备实验与数学建模计算三者必须紧密结合、互为依托的认识, 提出了计算结晶学的构想, 并以复杂氧化物晶体体系: 铝-尖晶石晶体为例, 通过选取晶体的基本结构单元, 确定晶体结构的数学表达, 进行生长基元稳定能计算并给出晶体的有利生长基元, 描述晶体生长形态的形成过程等, 阐述了计算结晶学的基本思想与研究方法. 所得到的结论与水热法制备铝-尖晶石晶粒的实验结果一致. 相似文献
266.
L—凸空间中的Ky—Fan极大极小不等式 总被引:1,自引:0,他引:1
刘学文 《西华师范大学学报(哲学社会科学版)》2003,24(3):300-302
在较为广泛的L—凸空间中利用转移紧闭值,得到了一个关于λ—转移紧上(下)半连续泛函的新的Ky—Fan板大板小不等式,同时给出了与其等价的几何形式。这些定理概括和推广了许多相关结果。 相似文献
267.
采用等离子体氧化和逐层(layer-by-layer)生长技术在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了Al/SiO2/nc-Si/SiO2/p-Si纳米结构.利用变频电容-电压测量研究了该结构的电学性质,在室温下首次观察到电容峰现象.实验得到的单电子库仑充电能与理论上用电容模型算得的结果一致. 相似文献
268.
利用VB6.0和Access7.0开发了过渡金属表面反应能量学的计算系统.该软件基于UBI-QEP的理论方法.采用模块化设计.其功能模块有3个:(1)数据库模块.利用该模块可以实现气相解离能以及小吸附基团在各种过渡金属表面吸附热的查询、添加与修改;(2)化学吸附热计算模块,利用该模块可以调用数据库中的数据对吸附基团在不同吸附方式的吸附热进行计算;(3)基元反应的活化能垒计算模块.利用该模块可以对基元反应的活化内能进行计算,进而分析其反应的难易与历程.该系统实现了UBI-QEP的理论方法计算的程序化,可用于多相催化反应的催化剂优选和机理探讨. 相似文献
269.
实验研究了应用苯胺-α-萘酚分光光度法测定水样中的亚硝酸盐的含量。其原理为苯胺与亚硝酸钠在盐酸介质中重氮化,然后在NaOH溶液中与α-萘酚生成桔红色偶联产物。实验结果表明:偶联产物的最大吸收波长为480nm,线性范围是0~0.96mg/L,其线性回归方程相关系数为0.9976,表观摩尔吸收系数ε480为2.53×103L/(mol·cm),最低检出限为0.08mg/L,可用于水样中亚硝酸根的测定。 相似文献
270.
该文从Collins公式出发。对受光阑限制厄米-高斯光束的聚焦特性进行了研究。利用厄米函数的性质,推导出了受光阑限制的厄米-高斯光束轴上聚焦光强分布的解析公式。受光阑限制的厄米-高斯光束的轴上光强分布不仅与菲涅耳数有关。而且还与截断参数和光束模式有关。解析公式有利于研究厄米-高斯光束的轴上光强分布与菲涅耳数、截断参数和光束模式等之间的关系。 相似文献