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31.
采用平均键能理论结合形变势方法对由AISb,GaSb和InSb所构成的应变超晶格界面在任意应变状态下的价带偏移值进行了确定,并分析了阳离子浅d轨道对价带偏移值的影响.结果表明,它们的价带偏移值具有显著的应变效应,此一显著的应变效应来源于应变的单轴分量及其与自旋-轨道分裂能量的耦合.这一效应导致了AISb-lnSb和GaSb-InSb系统中最高价带排列的Ⅰ-Ⅱ型超晶格的转变. 相似文献
32.
引入正弦平方势描述了应变超晶格系统的弹性势能, 并在经典力学框架内和Seeger方程基础上, 讨论了超晶格界面附近的位错动力学行为, 指出了系统的分叉或混沌将导致位错的运动与堆积, 造成超晶格的分层或断裂. 首先, 引入阻尼项, 在小振幅近似下, 把描述一般位错运动的Seeger方程化为了超晶格系统的广义Duffing方程. 利用Jacobian椭圆函数和椭圆积分分析了无扰动系统的相平面特征, 并解析地给出了系统的解和粒子振动周期. 其次, 利用Melnikov方法分析了异宿轨道和周期轨道的分叉性质与进入Smale马蹄意义下的混沌行为, 找到了系统的全局分叉与系统进入混沌的临界条件. 结果表明, 系统的临界条件与它的物理参数有关, 只需适当调节这些参数就可以原则上避免、控制分叉或混沌的出现, 保证了超晶格的完整性和性能的稳定性. 相似文献
33.
全氟辛酸作为一种新型持久性有机污染物,广泛地应用于化工行业并造成大量的含氟废水由于羟基自由基无法打破高强度C-F键,造成现有Fenton技术难以有效矿化全氟辛酸该文通过制备碳包覆双金属催化剂,利用碳材料与金属界面应变效应,调控活性氧化自由基形态,以期实现非均相Fenton高效矿化全氟辛酸研究结果表明,FeCo晶格畸变诱导电子转移至碳膜,导致H2O2活化为超氧自由基和过氧化氢自由基,从而使得全氟辛酸矿化率达到79.72%,远超现有非均相Fenton催化剂矿化效率 相似文献
34.
建立了表征晶体硅应变量的晶格振动模型,首次计算获得(100)晶面单轴应变硅应变系数b为-336.6cm-1;通过建立的利用Raman光谱测量晶体硅单轴应变量的实验装置,首次获得装置中螺钉旋进量与应变硅应变量的关系;利用波长648nm的Raman激光谱测量了螺钉旋进量为1.5mm时,Raman频移为0.47cm-1,获得(100)晶面单轴应变硅应变系数b为-335.7cm-1.结果与晶格振动模型基本吻合,说明建立的利用Raman光谱频移法表征晶体硅应变量方法的有效性. 相似文献
35.
本文用掠入射荧光XAFS研究 (Ge4/Si4) 5 /Si(0 0 1 )形变超晶格的局域结构 .超晶格中的Ge Ge和Ge Si第一配位键长分别为RGe Ge =0 .2 43nm和RGe Si =0 .2 38nm ,与晶态Ge(RGe Ge =0 .2 45nm)和共价Ge Si键长RGe Si =0 .2 40nm相比 ,其配位键长缩短了 0 .0 0 2nm ,表明Ge原子周围的晶格产生了扭曲 ,Ge Ge配位数为 1 .8和Ge Si配位数为 2 .2显然偏离了理论的配位数Ge Ge为 3和Ge Si配位数为 1 .我们提出Ge和Si原子的位置交换模型来解释 (Ge4/Si4) 5 超晶格的界面结构 相似文献
36.
利用实空间重正化群方法,研究了二维Kagomee晶格上带有次近邻相互作用Ising模型,得到了其临界温度和各热力学量的临界指数。 相似文献
37.
采用赵敏光等的μkα模型,在强场图象中建立了3d^8电子组态的多重态计算公式,利用高阶微挠公式推导出顺磁g因数的计算解析表达式,并在能量矩阵、g因数与掺杂真实晶体结构常数之间建立起关联公式.将此模型应用于KMgF3:Ni^2+晶体,计算其d—d跃迁光谱和EPR谱并与实验数据对比,发现KMgF3晶体在掺入Ni^2+后其结构应发生同向延伸变化,畸变量△R=0.004nm,计算结果与实验值符合较好. 相似文献
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40.