Co2+: CaAl2S4吸收光谱的理论解释

MgAl2Sd，CaAl2S4，CO^2 MgAl2S4和Co^2 CaAl2S4晶体是典型的三重复合半导体材料，由化学输运反应的方法可以成功制备而得出，具有宽的能隙结构，因而在光电方面有着非常重要的应用而备受广泛的关注．采用Sugano-Tallabe强场近似理论，引入平均共价因子Ⅳ，利用经典晶场能量矩阵公式，在D2对称模型下计算出的结果较好符合了实验事实，从而纠正了S．K．Oh等人对Co^2 ：CaAl2S4吸收光谱的不合理解释。     

城镇化水平综合测评与城镇用地分析

构建了一套城镇化水平综合测算的指标体系，把城镇化水平划分为人口城镇化水平、景观城镇化水平、经济城镇化水平、社会城镇化水平，采用多因素综合评价的方法，得到城镇化水平综合指数，对重庆市渝北区城镇化水平综合指数与城镇用地总规模、人均用地量、城镇用地效益进行相关分析，发现伴随城镇化综合水平的提高，城镇用地总规模不断扩大，人均城镇建设用地量有减少趋势，城镇建设用地经济效益有一定提高，据此对小城镇建设用地配置提出了建议。     

汉阳铁厂与中国早期铁路建设--兼论中国钢铁工业化早期的若干特征

汉阳铁厂是我国近代唯一的钢轨制造企业,也是我国以现代钢铁技术引进来实现重工业化早期的唯一代表.通过剖析汉阳铁厂的钢轨生产与中国早期铁路建设的这段历史,揭示我国钢铁工业化早期的若干特性,理解我国现代钢铁技术及其工业化是如何发端的.     

代数迭代映射分支值的优化算法

以代数迭代映射动力系统的倍周期分叉问题为背景,研究出较精确计算代数迭代系统分支值的优化方法·以分支值为设计变量,映射点的最大开口量为目标函数,以映射点周期关系为等式约束和分支值分布范围为不等式约束,建立了关于分支值计算的新方法·通过两个代数迭代系统分支值实例分析计算,获得较高精度的结果·     

中厚板控制冷却数学模型

介绍了中厚板控制冷却过程中所用的数学模型,包括差分模型、空冷和水冷换热系数模型、比热和热传导率模型,并采用有限差分法模拟计算了钢板在冷却过程中厚度、宽度方向上的温度场分布,以及间歇冷却对控制冷却的影响·从模拟结果可以看出,返红时间、厚度上温度梯度随钢板厚度增加而增加;间歇冷却时钢板内部温度呈均匀下降,表面不断冷却与返红过程·在线应用证明该套数学模型计算精度较高,可以满足现场实际生产的要求·     

一类非线性广义系统结构稳定的李亚普诺夫判据

非线性广义系统的结构稳定性的研究有实际意义,基于李亚普诺夫方程,研究了一类非线性广义系统平衡点稳定的问题·用李亚普诺夫方法研究了此类非线性广义系统的结构稳定问题,在此基础上,得到了这类非线性广义系统结构稳定和李亚普诺夫方程的解的关系·最后,给出了这类非线性广义系统结构稳定的充要条件,并且用简单的数值算例说明了定理的可行性·     

动态油膜-转子系统的支座松动故障研究

采用张文等建立的短轴承非稳态非线性油膜力模型,利用数值模拟等方法,分析了带有一端支座松动故障的转子 轴承系统的复杂运动现象,讨论了转速比变化时此类系统中具有周期、拟周期、混沌等多种形式的运动·研究结果表明:当转子 轴承系统出现松动故障时,即便是在较高转速区也会出现周期3分频运动,而且,松动端轴颈的运动轨迹以及支座的相轨迹都呈现出特有的形状,这为有效识别转子 轴承系统的支座松动故障提供了理论参考·     

双向地震耦合作用对基础摩擦隔震结构的影响

采用多质点层间剪切型模型,建立了基础摩擦隔震多层砌体结构在水平与竖向耦合地震作用下的运动微分方程及滑动与啮合状态判别准则·通过数值计算,分析了竖向地震作用对隔震结构的影响,研究表明,竖向地震作用的存在,使隔震结构下部各层,特别是首层的层间位移,层间剪力增加,隔震层加速度增加,且随地震烈度,竖向加速度峰值增大而增加,并使隔震层的滑动位移幅值有增大的可能·建议在高烈度震区考虑竖向地震作用对结构反应的影响·     

非对称信息条件下供应链管理质量控制策略

研究非对称信息条件下供应链管理的质量控制问题·建立了供应链合作关系中的购买商和供应商的质量成本模型,其中包括供应商的生产理性约束条件·分析了非对称信息条件下购买商与供应商质量成本的委托代理关系,质量水平的不可观测性则表现为供应商的信息隐匿·实质上,这是一个委托代理中的逆向选择问题·购买商的质量成本是目标函数,供应商质量成本的一阶条件转化为状态空间方程,运用极大值原理求解该问题的最优质量控制·并进行了非对称信息条件下供应链的质量控制仿真实验·     

半导体表面态的研究与展望

半导体表面的研究是半导体物理中极为活跃的一个分支，因为半导体器件的体积越来越小，靠近半导体表面附近的物理性质越来越重要。笔者系统地对半导体表面态进行了综述。认为当波矢K取复数时局域于表面附近存在表面电子态，其波函数体内、体外都衰减。同时对半导体表面研究的发展历程、现状以及前景进行了展望。