Acyl-chloride functionalized graphene oxide chemically grafted with hindered phenol and its application in anti-degradation of polypropylene

In this study,graphene oxide (GO) nanosheets were first functionalized by the acyl-chloride reaction and then reacted with hindered phenol (HP) to obtain HP grafted GO (GO-g-HP).The GO-g-HP prepared under the optimized condition exhibited a high efficiency against both thermal and photo oxidation of isotactic polypropylene (iPP).GO-g-HP exhibited a much better anti-aging efficiency than that of HP and GO used individually or that of their physical mixture.The outstanding anti-aging effect of GO-g-HP was attributed to the excellent synergistic effect produced between the chemically bonded GO and HP,which resulted in an improved oxygen barrier property of GO and excellent utilization of the free radical scavenging capability of GO and HP.Also,thanks to the grafting of HP on GO,the physical loss of HP,which was one of the main shortcomings for traditional small molecular antioxidants,was largely suppressed.It is expected that the GO-g-HP prepared can well meet the requirement of long-term applications of polymers in some harsh service conditions.     

植入式硅神经微电极的发展

 神经科学和神经工程研究需要研究大脑神经元的电活动情况，以了解大脑产生、传输和处理信息的机制。植入式神经微电极作为一种传感器件，是时间分辨率最高的神经电活动传感手段之一。介绍了国内外几种主要的植入式硅基神经微电极的结构特点、制备方法和性能特点。分析表明，未来通过不断结构优化和改性修饰，特别是在高通量的神经记录方面，通过与同样基于硅材料的电路的集成，硅神经微电极能够进一步提高生物相容性，解决大规模的电极通道体内外传输与连接问题，实现对神经元的在体大规模长时间记录。     

双层钙钛矿Sr2FeMoO6，Ba2FeMoO6的电磁性质研究

分析了双层钙钛矿结构的锰氧化合物Sr2FeMoO6,Ba2FeMoO6物相结构和电磁学性质,对巨磁阻效应进行了探讨,揭示了Sr2FeMoO6样品为半导体导电性,Ba2FeMoO6样品为金属导电性.     

椭圆偏振法研究四方氧化锆对Zr-Sn-Nb合金氧化膜耐腐蚀性能的影响

将经过不同热处理的Zr-Sn-Nb合金样品放在350℃、16．8mol／LPa、0．01mol／LLiOH溶液的高压釜中进行腐蚀。用椭圆偏振法研究氧化膜中的四方氧化锆，发现经过580℃／冷轧／500℃处理的样品在腐蚀42天和190天后氧化膜中的四方氧化锆比其它样品的多。四方氧化锆是影响合金耐腐蚀性能的一个主要因素，四方氧化锆的形成有利于提高合金的耐腐蚀性能。     

奥氏体-贝氏体复相组织形态的研究

在60Si2MnA钢等温淬火工艺和性能研究的基础上,用MEF-3型金相显微镜和JEM-200CX型透射电子显微镜对等温转变产物的组织形态进行了观察研究。并用Rigku D/maxⅢB型X-射线衍射仪测定了样品的残余奥氏体体积分数。实验结果表明,奥氏体-贝氏体复相组织强韧性好的原因在于含有一定数量的残余奥氏体和变态贝氏体组织,且贝氏作为无碳化物贝氏体。     

双金属氧化物和氧化物载体组分间的相互作用

讨论了一些过渡金属氧化物（NiO,CuO或MoO3)在经改性所得复合载体（TiO2-γ-Al2O3，MoO3-t-ZrO2或NiO-t-ZrO2)上的分散作用，这些三地体系中实验测定的氧化物分散容量与研究负载型二元氧化物体系所得嵌入模型的估算值基本相符；样品的表面组成、结构和性能与载体的表面结构、过渡金属氧化物的负载量和加料顺序以及焙烧温度密切相关。     

半导体单晶硅的离子束蚀刻实验研究

离子束蚀刻是一种有超精细加工能力的微细加工技术,广泛应用于微电子、光子技术、表面科学等领域。硅及其化合物常用来制作大规模集成电路,在其表面蚀刻出具有一定几何布图尺寸的沟槽。其深度、宽度、边壁倾角及槽底形状等直接影响器件的性能。     

负载型金属氧化物常温精脱硫剂的制备与表征

以γ—Al2O3为载体，用浸渍沉淀法制备复合金属氧化物脱硫剂，添加竞争吸附剂得到高分散、均匀型金属氧化物精脱硫剂。常温、缺氧条件下精脱H2S穿透硫容可达16．8％．采用EP、TEM技术分析了金属氧化物活性组分的均匀分布及脱硫前后的脱硫剂微表面的变化。