象质评价中光学孔径与波象差的最佳匹配

导出了光学孔径与波象差共同决定成象质量的一些关系式，并从理论和实践两方面找出上述两参数的最佳匹配范围。文中得出的结果与以往传统的象质评价判据有明显的区别。     

光纤色散与OFDL信号处理

光纤色散对OFDL器件功能的影响并不总能忽略。对OFDL陷波器,在现有器件水平下,由于色散ND只能达到30dB左右,远低于测量系统的限制(>55dB)。利用陷波器,也可以测量光纤色散、该方法具有步骤简便、对器件要求低、精度高等优点。     

EPON上行方向物理编码子层的FPGA实现

目前EPON的物理层(其中包含物理编码子层)在上行方向尚无ASIC芯片可以直接使用，该文提出了EPON物理编码子层在上行方向的设计思想，并用FPGA实现，功能仿真的结果验证了该设计逻辑功能的正确性。     

真空紫外薄膜光学常数的多约束非线性方程组计算

本文推导出目标函数的导数公式，改进了利用“多约束非线性方程组”计算真空紫外光学常数的方法，我们自编了ＶＵＶ－ＲＯＣＰ微机软件，可由真空紫外反射率求出真空紫外薄膜光学常数和入射光的偏振度。运用该软件对不同工艺的Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ样品的反射率进行解析，得到了它们的真空紫外薄膜光学常数，并与国外报道的结果进行了比较。     

一种光纤－微波传输系统接口设备的研制

提出了一种直接把光纤通信中传输的数字光信号转换为微波传输的数字电信号的接口设备的设计，分析了反射式微波０～π调相器的电路和特性。     

光纤传输时延温度特性的测量

在讨论了光纤传输时延温度特性及其测量方法的基础上，介绍了利用光端机房设备和仪表进行脉冲时延法测试的系统、测试结果、数据处理和误差分析。实测结果表明，在低温范围内光纤传输时延随温度并非呈线性变化     

高阶模高斯光束入射时透镜光轴上的光场分布

应用惠更斯－菲涅耳原理和薄透镜的傅里叶变换性质，对柱对称高阶模高斯光束入射时透镜光轴上的光场分布进行了分析，得到了光场复振幅分布的一般表达式，给出了数值计算结果     

Pt掺杂锐钛矿型TiO2电子结构和光学性质第一性原理研究

为了研究Pt掺杂对锐钛矿型TiO2电子结构和光学性质的影响,本文采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,对未掺杂和Pt掺杂锐钛矿型TiO2的电子结构和光学性质做第一性原理计算。得到了掺杂前后的品格结构常数、结合能电子态密度分布、能带结构、介电函数虚部、光吸收系数等性质,定性地分析了掺杂前后能带结构和光学性质的变化。研究结果表明,Pt掺杂锐钛矿型TiO2带隙中能产生新的能带,而且能带位置明显下移,掺杂后不但能使TiO2的吸收带产生红移,而且在可见光区具有较大的吸收系数,表现出较高的光催化活性,理论与实验基本吻合。     

基于隐含导频的长距离IM/DD DFT-S-OFDM无源光网络的实验系统研究

基于隐含导频、超奈奎斯特镜像混叠和直接检测,首次在IM/DD光通信系统中使用基于隐含导频（ST）的信道估计和均衡方式,通过实验实现了速率为20 Gb/s的正交相移键控（QPSK）离散傅里叶变换扩展正交频分复用（DFT-S-OFDM）信号传输832 km的光通信系统.使用隐含导频信道估计（ST-CE）方法来均衡信道的线性损伤,关键是把隐含导频（ST）算术叠加在数据信号上,而不占用单独的时隙. 通过对接收到的信号进行1阶统计分析估计出精确的信道. 为了增加传输距离,根据超奈奎斯特镜像混叠的方法增加接收机带宽来补偿色散引起的功率衰落. 结果显示,在长距离强度调制/直接检测（IM/DD）DFT-S-OFDM无源光网络（PON）系统中,采用ST-CE能得到更高的频谱效率,且其信道估计性能与TA-CE相当. 该方法节省了带宽,提高了频谱利用率.     

An investigation on terahertz response in electro-optic crystals excited at 1.03 lm wavelength

We theoretically investigate terahertz(THz)emission and detection from h110i-oriented electro-optic(EO) crystals adapted for Yb-doped femtosecond pulse laser.According to the principles of phase-matching condition, the dispersion relation between optical velocity and THz pulse,THz absorption spectra, and coherence lengths of CdTe, GaP,and GaAs crystals below the phonon resonant frequency are calculated correspondingly. The optical rectification and EO sampling process of above crystals with the same thickness of0.1 mm are simulated. As a consequence, we found that the optimal emission frequency of CdTe is at 2.65 THz, however,it reaches 6.56 THz of GaAs and 4.77 THz of GaP. With the help of frequency response function, the calculated cut-off frequency of CdTe is only 3.45 THz, while GaAs and GaP achieve 7.15 and 6.37 THz correspondingly. Finally, the EO sampling sensitivity of GaAs is higher than CdTe and GaP when the crystal's thickness exceeds 1.58 mm. The strong THz absorption of CdTe saturates distinctly the EO sampling sensitivity with its thickness increasing.