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1.
在ALGaAs/GaAs HBT E-M模型直流参数的研究基础上,对HBT的基区电流进行了研究,特别是针对BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流,因为在HBT的小偏置情况下,HBT的BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位。当BE结间外加电压为0.5-1.2V时,ALGaAs HBT的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近,这一研究结果有助于进一步了解HBT的直流特性和1/?噪声特性。 相似文献
2.
微波单片集成电路及其发展趋势 总被引:3,自引:0,他引:3
讨论了微波集成电路的发展过程,特点,材料和元件,它的设计,制造,应用以及国内MMIC发展概况。 相似文献
3.
实验采用光生电压谱方法对ZnSe/GaAs异质结界面的光跃迁进行了观察,在光子能量略低于GaAs带边的地方,光生电压谱出现了一个峰,通过分析电子与空穴的分离在界面上形成电偶极层对光生电压谱造成的影响,指出该谱峰对应着界面处电子从GaAs价带顶跃迁至ZnSe导带底的过程,表明ZnSe/GaAs异质结的能带排列属于错开型,并得出在温度小于70K的低温下ZnSe/GaAs异质结导带偏移值为150meV± 相似文献
4.
GaAs MMIC开关MESFET电路建模技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
基于Agilent公司的IC—CAP软件及GaAs圆片工艺加工线,研究了砷化镓微波毫米波单片集成电路(GaAsM—MMIC)开关MESFET电路建模技术及其应用。讨论了MMIC设计中电路建模技术的重要性,提出了高精度GaAs MMIC开关MESF田简化电路模型及不同栅宽模型参数的比例缩放方案,扩展了电路模型的应用频率范围,解决了电路模型参数提取中的关键问题,如:开关MESFET模型的版图设计、微波探针校准图形的设计、电路模型参数的提取、统计和确认。采用该技术提取的电路模型参数,成功研制出GaAs MMIC控制电路系列产品,验证了该方法的有效性。 相似文献
5.
研究了半导体内弱耦合二维自旋磁极化子的磁场和温度特性.在有限温度和外加均匀恒定磁场的情况下,应用么正变换和线性组合算符法给出了GaAs晶体内极化子平均数与磁场和温度的依赖关系的理论表示,也作了数值分析.数值计算的结果表明:在某一确定的温度下,弱耦合二维自旋磁极化子平均数随磁场的加强而减小;磁场较弱或温度较高时,平均数变化较剧烈;磁场较强或温度较低时,平均数变化较平缓;当外加磁场确定时,弱耦合二维自旋磁极化子平均数随温度升高而增大;当温度较低或磁场较强时,平均数变化偏离线性关系;当温度较高或磁场较弱时,其变化接近线性关系. 相似文献
6.
根据通常负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的能级特点,提出延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的理论设计,设计出了特殊的负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓.通过对两种负电子亲和势二次电子发射材料的二次电子发射系数的理论值进行比较和分析,得出:当原电子入射能量较低时,两种材料的二次电子发射系数差值较小;当原电子入射能量较高时,两种材料的二次电子发射系数差值较大,而且随着原电子入射能量的升高,两种材料的二次电子发射系数差值也在增大. 相似文献
7.
对由Al_yGa_(1-y_As,Al_xGa_(1-x)As和GaAs三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究.通过改变材料组分和层厚,发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时,对应的自族向上和自族向下的子带产生劈裂,而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方. 相似文献
8.
李永平 《曲阜师范大学学报》2003,29(3):55-58
利用泊松方程分析了异质结导带形状,通过数值模拟研究了GaAs/AlAs异型异质结在不同掺杂浓度下的导带图,确定了导带尖峰出现的位置和耗尽区宽度。 相似文献
9.
采用分解GaP这一新型固态P源分子束外延在GaAs衬底成功制备了InGaP外延薄膜.3μm厚的InGaP外延层低温荧光峰位是1.998 eV,半峰宽为5.26 meV.双晶摇摆曲线的线宽同GaAs衬底相近.霍尔测量非故意掺杂InGaP外延层的室温迁移率同其他源或其他方法生长的外延层结果类似. 相似文献
10.
对GaAs光电阴极激活过程中各阶段做了X射线光电子谱(XPS)表面分析,根据XPS分析所得数据,改进了激活工艺,提出了获得更好发射性能的光电阴极的最佳Cs和O2量,并提出了Cs和O2在GaAs表面排列的模型. 相似文献