复合采动影响下地表变形预测与危险区划分方法

矿山岩体工程开挖将改变原岩应力状态,由此引起岩体本身及周围一定区域的移动和变形,地下与露天复合开采的矿山更是如此,其变形速率之大、范围之广、时间之长已严重地影响周边环境的安全。通过对地下与露天复合采动影响下地表变形规律进行研究,建立了相应的移动模型。在此基础上,对移动参数的计算方法及地面变形区的划分方法等问题进行了研究。然后,依据当前形量和后续变形量大小,对矿山继续开采可能产生的破坏范围进行了划分     

雪崩晶体管产生窄脉冲用于探地雷达

雪崩晶体管产生窄脉冲用于探地雷达于东海（东南大学毫米波国家重点实验室，南京２１００１８）近年来，晶体管在雪崩区的运用越来越广泛，采用雪崩效应后，可以很方便地产生具有毫微秒甚至亚毫微秒上升时间以及很大峰值功率的脉冲．由于专用雪崩晶体管的出现，使得实用的...     

洪涝灾害的预报、预警和应急

洪水是一种常见的自然灾害，在美洲、欧洲、亚洲的许多国家都有发生。洪灾会造成人员和财产的重大损失。洪水预警预报系统为减小洪灾的影响提供了一个行之有效的方法。洪灾预报可以使人们撤离危险区，减小人员伤亡，并采取措施，减少财产损失；也可以洪峰调配，     

基于ADL5317的APD传感器的偏压联控工作方式

文章提出了一种基于ADL5317的APD光电二极管传感器的反向偏压设置方式和稳定传感工作方案。在分析外界条件变化时APD传感器各项参数变化规律的基础上,结合APD传感器要求的特殊工作条件和光电变换特性,以及ADL5317的性能特点和内部功能模块的作用,重点阐述了ADL5317对APD传感器的偏压控制方式和镜像电流监测方式,给出了使用ADL5317对APD光电传感器进行偏压综合调控的方法和APD倍增因子稳定方案。研究结果针对APD传感器在外界条件变化时,保持其光电变换特性基本稳定,雪崩增益基本恒定方面,提供了一种解决方案。     

硅二极管的极限结温与本征温度

本文就P~ N结整流二极管的理论极限结温进行了讨论。指出P~ N结消失的理论极限结温为P~ 的本征温度。     

晶体管击穿电压的数值分析

本文从物理概念出发，推导出载流子在集电结空间电街区发生碰撞电离时基极开路晶体管电流的表达式，并由此得到晶体管的雪崩击穿条件及ｐｎ结二极管的雪崩击穿条件。根据数值计算结果找到了快速、精确计算基极开路晶体管击穿电压的经验公式。     

高温晶闸管的研究

本文探讨了在半导体晶闸管(SCR)制造过程中,采用合理的工艺手段,提高SCR最高工作结温,并使之尽量达到理论值的方法.     

综放面采空区流场模拟及自燃危险区域划分

综放采空区容易发生自燃。以往对采空区“三带”的划分主要通过向采空区埋管观测来实现，对于现场观测不能实现的情况下，采空区自燃危险区域难以判定。笔者通过对采空区渗流场的数值模拟，得到采空区渗流速度及O2浓度的分布。结合实验测得的煤自然发火期和自燃临界参数，对采空区“三带”进行划分。该方法计算量比模拟采空区煤自燃全过程少得多，但划分精度却能够满足实际防灭火需要。     

建立系统科学基础理论框架的一种可能途径与若干具体思路(之十)———复杂网络上的自组织临界性模型

这是总标题下的第十篇.主要内容如副标题所述.主标题下全文的总目的是试图从现代物理、分子生物学与脑神解剖学等学科领域的最新实验事实,以及相应的前沿理论领域围绕着演化概念研究的展开所获得已有理念与成就为基础,按照“由大爆炸理论所描述的物理世界之最初情景出现以来,世界物质总是在其不同时空点具体结构状态下的几种基本相互作用属性形成的制约机制造成的物质———能量结构与分布仍非完全平衡态势的推动下,不断地一层一层完成其全方位整体性进一步精细平衡结构,实现其该层次从无序到有序的起伏演化———这一总体自然法则”的认识主线,提出一种建立系统科学基础理论的定性定量框架思路与若干细节方法.文中对相互作用、进化、演化、适应性与复杂性等概念进行了分析,并对突变、分歧、吸引子、混沌、协同、分形等基于此种理论作了一种较为直观的诠释.同时,也将论及信息的本质与其人本意义下的价值概念,特别是她与非线性的密切关系等问题.当然,这一切均还是初步的,尽管其中一部分我们也已经获得了一些较为严谨的结果.文章首先利用平均场理论讨论了自组织临界性模型,并与数值模拟的结果进行了比较,进而又在复杂网络的不同拓扑结构的背景下研究了该模型的雪崩动力学.且在文末阐述了所有这些与统计物理学在实质上的本源关系.     

Si上Ge薄膜特性研究

为了克服Ge雪崩光电二极管(APD)中因Ge的电子与空穴的碰撞离化系数相差不大带来的的较大噪声的缺点,拟研制一种新的器件--Ge/Si的吸收倍增分离雪崩光电二极管(SAM-APD). 先在n-Si衬底上用B+ 注入和分子束外延(MBE)2种方法分别形成p-Si,然后用MBE的方法在其上外延一层Ge膜.利用透射电镜、X光双晶衍射、Hall剥层测量等方法对Ge膜的单晶质量、电特性以及材料的p-n结特性做了分析比较,得到的结论是:Ge膜的单晶质量、电特性都比较好,直接生长的Ge膜的质量要优于经离子注入的Ge膜;但p-n结特性却是经离子注入的要好于直接生长的.