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1.
2.
为探究Fe掺杂对BiTaO4陶瓷样品介电特性和铁电特性的影响,采用传统固相烧结法制备了Bi Ta1-xFexO4-x(x=0,0.01,0.03)陶瓷样品,利用X线衍射仪和扫描电子显微镜对样品的晶体结构和表面形貌进行分析,利用精密阻抗分析仪和铁电分析仪对样品的介电性能和铁电性能进行检测.结果表明:Fe掺杂没有明显改变样品的晶体结构;随着Fe掺杂量的增加,样品的介电常数表现出较好的稳定性,介电损耗略有减小,且基本保持在tanδ=0.05以下,其漏电流先增大后减小,且掺杂样品均可得到比较完整的电滞回线. 相似文献
3.
4.
LaMnO3不同晶位掺杂的磁电阻效应 总被引:2,自引:0,他引:2
任清褒 《西安交通大学学报》2004,38(6):645-648,656
基于研究钙钛矿型氧化物磁电阻效应的目的,采用固相反应法制备了实验所需的单相多晶样品,主要就La位二价金属离子掺杂和稀土互掺及Mn位掺杂对LaMnO3磁电阻影响的实验结果作比较研究,发现La位稀土互掺对磁电阻的影响可以用晶格效应来解释,并明确指出La位和Mn位掺杂是提高和调制钙钛矿型锰氧化物超大磁电阻效应的一种有效途径. 相似文献
5.
本首次用图论方法探讨了硅烷、锗烷和锡烷的沸点与其分子结构之间的关系,提出一结构基础明确的、普遍适用于硅烷、锗烷和锡烷的定量关系。计算结果表明,沸点预测值都接近实验值。应用本定量关系,不仅能够预测硅烷、锗烷和锡烷的沸点,而且有助于揭示物质结构性能关系之间的奥秘。 相似文献
6.
本文通过对ZnWo4:Cr^3 晶体的光学吸收谱的观测资料^[1]的分析,假定Cr^3 杂质的有效晶场的八面体结构的变形后的D4晶场。采用Oh点群表象准对角型简化强场方案,导出了d^3-D4强场能量矩阵。首次计算了ZnWo4:Cr^3 的自旋允许谱精细结构。理论计算结果与实验吻合较好。 相似文献
7.
8.
庞乾骏 《上海交通大学学报》1996,30(9):24-29,33
提出了一种掺杂离子导体(DIC)的粒子交叠广义晶格模型,由此模型,推导随机-电阻-网络(RRN)理论中3种导电键各自组分的几率,并采用有效介质近似(EMA)计算了DIC系统的电导及其粒子尺度效应。 相似文献
9.
用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布 总被引:1,自引:0,他引:1
半导体材料中掺入少量杂质元素可以改变材料性能,掺杂元素在晶体中的含量和分布直接影响材料的质量。电子技术的发展需要批量生产出高质量的各种掺杂的硅单晶材料,这就要求建立一种快速准确的分析测试手段与之相适应。 同步辐射X射线荧光(SRXRF)是80年代发展起来的一种新技术。同步辐射光源具有高 相似文献