利用反预报方法从截面预言近滴线丰质子核的结合能

在Origin等数据处理软件中,当实验数据较少时,自由参数的不同初始化设置会导致较大的结果差异,这为物理结果的确定带来较大不确定性.通过最小二乘法分析了345MeV/u ~(78) Kr+~9Be反应中产生的丰质子同位素的截面和结合能,并得到线性回归方程.通过回归方程,利用结合能预报部分丰质子核素的截面,以及通过实验截面对近质子滴线核素的结合能进行反预报测量.这对于近质子滴线的丰质子核素实验测量具有较好的借鉴意义.     

Poincaré-Chetaev方程的守恒定理及其逆定理

提出动力学系统守恒定律构成的一般途径.根据微分方程积分因子的定义研究守恒量存在的必要条件.建立了Poincare-Chetaev方程的守恒定理及其逆定理,并举例说明结果的应用.     

三球式和转台式角动量守恒演示器的研制与应用

本文详细介绍了笔者研制的三球式和转台式两种新型角动量守恒演示器的结构、特点和使用方法。     

The Response of Debris-Flow Events to Solar Proton Flares （Ⅰ）

By analyzing the observation data from Dongchuan Debris Flow Observation and Research Station and historical data from year 1965 to 1990 gotten from National Astronomical Ob-servatories/Yunnan Observatory,the responding of debris flow in Jiangjia Ravine to Solar Proton Flare is studied. The following conclusion can be drawn. Solar Proton Flare,as one of most im-portant astronomical factors,affects the activity of debris flow in Yunnan. Generally,from 1965 to1990,the more active Solar Pro-ton Flare is,the greater the probability of high frequency and large runoff of debris flow is. On the contrary,the less active Solar Pro-ton Flare is,the greater the probability of low frequency,small runoff,and low sediment transport of debris flow is.     

pH、温度和浓度对苯酚在V掺杂MoOx-C/Ti电极上的电催化氧化的影响

采用溶胶-凝胶法合成MoOx、MoOx-V5 (x%)胶体,通过Vulcan XC-72炭黑负载制备炭载钼系氧化物电催化剂.利用循环伏安法(CV)测试手段研究苯酚在电极上的氧化降解,考察了掺杂元素、溶液pH值、苯酚浓度、扫描速率、温度对苯酚氧化性能的影响.测试结果表明:苯酚在电极上的氧化是受扩散和电子转移联合控制的复杂过程;掺杂过渡金属元素V可以降低苯酚氧化的表观活化能,提高电化学性能;溶液的pH值越低,MoOx-C/Ti电极对苯酚的催化氧化活性越高;pH在0～6,苯酚的氧化经历了相似的历程,包含了相同的电子数和质子数;苯酚氧化峰电流随着浓度、温度的增加而增加,到一定程度后趋于稳定.     

甲烷部分氧化反应机理的键级守恒研究

用键级守恒－Ｍｏｒｓｅ势方法研究了甲烷部分氧化制合成气的反应机理，以Ｎｉ晶面为模型催化剂，应用ＢＯＣ－ＭＰ方法计算了甲烷在有氧与无氧参与下的解离反应及ＣＯ和ＣＯ２生成反应中各基元反应的活化能垒和反应热焓。计算结果表明，无表面氧参与下的ＣＨ４直接解离途径更可能发生；由ＣＨ（ｓ）生成ＣＯ比由Ｃ（ｓ）更易进行。     

Merocyanine 540对亚线粒体能量化过程膜电位变化的吸收光谱响应的on-off机制

Merocyanine 540是一种多用途的荧光染料,可反映膜脂的堆集程度,作细胞染色,进行光敏反应,还可测定膜电位.carbocyanine阳离子型和oxonol阴离子型两类最常用的膜电位探针,但它们对线粒体的氧化磷酸化抑制较大,Rhodamine 123常用于测定线粒体膜电位,但较亲水,不易通过膜,因而不能对膜电位变化作出快速可逆的反应,而Merocyanine 540对线粒体抑制作用很小,而且反应快、信噪比大,因此宜用于测定线粒体和亚线粒体的膜电位.