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1.
水热条件下晶粒的聚集生长(Ⅱ): 氧化亚铜晶粒生长形态及其稳定能计算 总被引:6,自引:0,他引:6
报道了水热法制备氧化亚铜晶粒的实验结果. 大部分晶粒呈长柱状, 间有长柱状晶粒沿某些特定方向联生而成的晶粒, 包括6个线度基本等长的柱状晶粒沿3个相互垂直的方向联生而成的晶粒, 锥面在柱体顶端显露. 这表明在晶粒的形成过程中, 发生了由于某些显露的晶面之间结构相容而使得晶粒取向连生为主要内涵的第2类聚集生长. 从氧化亚铜晶体结构出发, 选定了其生长基元的基本结构单元, 通过各类基元稳定能的计算, 确定正方柱状和三轴生长基元为有利生长基元. 第1类聚集生长在水热条件下晶粒生长过程普遍存在, 但是, 并不是所有的晶粒都能在水热条件下发生第2类聚集生长. 晶粒是否可发生第2类聚集生长取决于其自身的结构. 相似文献
2.
低温固相法制备Cu2O纳米晶 总被引:11,自引:0,他引:11
本论文基于绿色化学的思想,运用低温固相反应实验技术成功地实现了氧化亚铜纳米晶的制备。用X—射线粉末衍射(XRD)和透射电镜(TEM)对所得产物进行了表征,并对氧化亚铜棒状结构的形成机理做了初步探讨。 相似文献
3.
采用电化学沉积方法在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃上沉积出Cu2O薄膜的基础上,研究了络合剂种类、沉积电位和溶液pH值对Cu2O薄膜结构和性能的影响.结果表明:在以乳酸为络合剂的电解液中沉积出的Cu2O薄膜的晶粒尺寸比以三乙醇胺为络合剂的电解液中沉积出的薄膜晶粒尺寸大,结晶度好,致密度更高;在含有乳酸络合剂的溶液中,随沉积电位的提高,薄膜成核密度增大,晶粒尺寸减小,致密度提高;随pH值增加,制备的薄膜晶向由沿(200)取向变为沿(111)取向.经Mott-Schottky曲线和紫外-可见光透射光谱计算表明,所获得的Cu2O薄膜具有p型半导体性能,禁带宽度为1.93eV. 相似文献
4.
化学浴沉积法制备纳米氧化亚铜薄膜 总被引:7,自引:0,他引:7
用改进后的化学浴沉积法制备了纳米Cu2O薄膜,并对成膜条件及膜的性能进行了研究.结果表明:化学浴沉积法改进后有利于制备高质量的纳米Cu2O薄膜;最佳反应温度为60~70C,此温度范围内Cu2O薄膜的膜厚随着循环次数线性增加.制备的薄膜纯度较高.表面较平整和致密,Cu2O粒径为14~22nm,其禁带宽度为2.01eV. 相似文献
5.
6.
通过提出合成CuOH的新方法,讨论了体系浓度,温度,摧化剂对CuOH合成所具有明显的影响以及CuOH的某些物理性质和化学性质,采用Na2S2O3,CuSo4,C2H5OH,H2O为主要原料合成CuOh获得成功。 相似文献
7.
8.
光催化技术由于反应条件温和,适宜于降解汽车内部的有机挥发性物质(VOCs).为了提高可见光的利用率和自然光照下对VOCs的光催化降解速率,本文采用阳极氧化法+电沉积法制备了掺杂Cu2O的复合钛纳米管阵列(TNAs),并对其进行了SEM、EDX、XRD及UV-Vis表征.结果表明,Cu2O纳米颗粒均布于TNAs的管壁及表层,复合纳米管阵列对可见光的吸收较纯TNAs提高了.通过反应动力学分析发现,Cu2O和O2对TNAs光催化降解VOCs有协同作用,Cu2O/TNAs对VOCs的光催化降解服从一阶反应动力学.研究了反应温度、反应气体中氧含量、催化剂Cu含量及相对湿度对VOCs降解速率常数的影响,拟合了光催化降解VOCs的速率常数函数式,由模型得出,Cu2O/TNAs含Cu量为31.37%,被处理气体中含氧量为36.92%,相对湿度为33.71%时,速率常数最大.建立并验证了VOCs一阶降解模型,模型值与实测值的误差小于20%. 相似文献
9.
以五水硫代硫酸钠和五水硫酸铜配制冷溶液,氢氧化钠配制热溶液,利用氧化铟锡导电玻璃基底在两种溶液中循环浸泡的化学浴沉积法制备氧化亚铜薄膜。对沉积过程中所发生的化学反应进行了讨论,并将制成的薄膜样品分别利用X射线衍射仪、扫描电镜、场发射扫描电镜和紫外-可见分光光度计进行表征,表征结果从多方面证实了合成的材料为纳米量级的氧化亚铜薄膜。构成薄膜的颗粒粒径约为十几纳米,每经过一次循环,薄膜厚度增加11~12nm.氧化亚铜对波长在200nm到500nm范围内的光有较高吸收率,禁带宽度计算值约为2.18eV. 相似文献
10.
研究了在酸性乙腈——氯化铜体系从辉铜矿制备纳米氧化亚铜。通过X-射线衍射仪和JSM-5600LV扫描电镜对产物进行了表征。与传统制备纳米氧化亚铜方法相比,该法改变了先经历氧化后再还原(Ca^+→Cu^2+→Cu^o或Cu^+)的过程,而直接从Cu^+到Cu^o或Cu^+。在酸性乙腈——氯化铜体系中,Cu(I)能稳定存在。实验结果表明:在温度、乙腈体积分数和盐酸体积分数适宜的条件下,Cu(I)可从辉铜矿中浸出并可制备纳米氧化亚铜。 相似文献