量子阱厚度和势垒掺杂对大功率AlGaInP LED发光效率衰减特性的影响

GaAs基AlGaInP LED是目前光电子器件研究领域的国际前沿和热点,伴随工业制备技术的日趋成熟,其稳定性和发光效率都得到了明显的提升.但是,在超高电流下工作的AlGaInP大功率芯片仍存在着发光效率衰减严重的问题.目前已知的影响因素主要是载流子的溢出和俄歇复合的加强与否.本文通过分析具有不同势阱厚度和势垒中不同浓度的P型掺杂的AlGaInP样品的光致发光图谱变化与电流密度和辐射效率的关系,发现在势阱厚度为20nm,势垒P型掺杂浓度为1×1017 cm-3时,可以显著改善大功率LED的高温衰减特性.     

大功率变频调速系统参数设置问题的研究

GD2000系列有一个强大的软件信息库,为控制、监测和信息查找提供服务.硬件安装,只是基础,参数设置合理才是让设备运转起来的关键.整个系统包括698个参数,下面分类简单加以论述.     

9920直流比较仪电桥在计量回路电阻测试仪和直阻测试仪中的运用

介绍了直流大功率模拟电阻的原理,分析了直流大功率模拟电阻在计量中的运用,提出了使用9920匝比测量仪器时的接线方法。     

应用于高压大功率场合的FACTS控制方案

随着高压大容量电网的迅猛发展,电力系统的稳定性及电能质量问题也越来越引起人们的关注,以动态无功补偿、谐波抑制等为代表的柔性交流输电系统(FACTS)技术正在蓬勃地发展.这些FACTS装置往往都是由电力电子器件构建,并辅以先进的控制技术而成.受电力电子器件本身特性的限制,如何将这些装置应用于高电压、大电流场合是研究者们需要解决的关键问题.     

绝缘栅双极晶体管研究与中试

绝缘栅双极晶体管（IGBT）是新型MOS功率器件，目前在国内的研究只有我们和北工大进行，在国内的生产更是空白，国内的器件应用全靠进口。     

表面处理工艺对3AK32型高可靠晶体管主要参数的影响分析

指出半导体器件是敏感器件,其表面处理工艺非常重要;结合工艺非常重要,结合工艺实践中遇到的问题,依据理论,分析了表面处理工艺对3AK32型高可靠晶体管主要参数的影响.总结了一些经过大量实验而取得的一些经验和做法.     

DrugFET的研究（XⅢ）：四苯硼钠一烟碱FET的研制与应用

本文将离子敏感场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）与药物敏感膜相结合,研制成一种药物敏感场效应晶体管传感器（ＤｒｕｇＦＥＴ）。用四苯硼钠为电活性物质,邻苯二甲酸二辛酯为增塑剂,制成ｐｖｃ膜,对烟碱的线性范围为１．０×１０－２～２．０×１０－５ｍｏｌ／Ｌ,斜率为５７．５ｍｖ／ｐｃ,适宜ｐＨ范围为５．５～８．０,检出限为１．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ。用该传感器分析烟草中烟碱的含量,结果和分光光度法相一致。     

AlGaAs／GaAs HBT基区电流的研究

在ALGaAs/GaAs HBT E-M模型直流参数的研究基础上,对HBT的基区电流进行了研究,特别是针对BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流,因为在HBT的小偏置情况下,HBT的BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位。当BE结间外加电压为0.5-1.2V时,ALGaAs HBT的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近,这一研究结果有助于进一步了解HBT的直流特性和1/?噪声特性。