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1.
2.
3.
多势垒结构中的共振能量和量子能级的差异分析 总被引:2,自引:2,他引:0
利用Chebyshev多项式和传输矩阵方法解析推导出多量子阱(MQW)系统的束缚电子级公式,并定量分析了多势垒结构中的共振能量和相应MQW系统量子能级的差异。 相似文献
4.
用自由电子近似方法对具有非磁金属中间层的磁性隧道结的磁电阻进行了研究,从理论上讨论了非磁金属中间层对磁电阻的影响。数值计算结果表明,当外加偏压不同时非磁金属中间层的作用是不同的。在外加电压使电子从非磁金属中间层穿过势垒的情况下,非磁金属中间层的变厚可以增强隧穿磁电阻效应。这一性质可以用于磁性隧道结的优化。 相似文献
5.
采用等离子体氧化和逐层(layer-by-layer)生长技术在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了Al/SiO2/nc-Si/SiO2/p-Si纳米结构.利用变频电容-电压测量研究了该结构的电学性质,在室温下首次观察到电容峰现象.实验得到的单电子库仑充电能与理论上用电容模型算得的结果一致. 相似文献
6.
分析了跨度、节间距以及支承弹性系数对弹性支承上轴心受压构件的屈曲的影响,把用不同方法得到的解作了比较,得到了弹性支承上轴心受压构件屈曲规律和一些结论。 相似文献
7.
旋光法测定薯蓣皂甙元含量 总被引:12,自引:0,他引:12
江天生 《吉首大学学报(自然科学版)》1997,18(2):63-64
本文采用旋光法测定薯蓣皂甙元含量,平均回收率为100%,线性范围0.1~2.4mg/ml.Y=0.9952。 相似文献
8.
为了解决传统台面型共振隧穿二极管制作过程中横向钻蚀问题,提出了一种采用离子注入法在N^+GaAs衬底上制作平面型共振隧穿二极管,通过离子注入对器件之间进行隔离,取代了台面制作工艺中的通过湿法腐蚀隔离器件的目的.研究了它的I-V特性,测得的峰谷电流比为3.4.研究了由平面型共振隧穿二极管构成的单双稳态逻辑单元,实现了作为反相器的功能. 相似文献
9.
在有效质量近似的框架下,应用传递矩阵理论研究了势垒的非对称性对单电子隧穿几率的影响.结果表明:隧穿过程的势垒的形状对隧穿几率影响很大,势垒的对称性破坏的越严重,在低能区域发生共振隧穿的可能性越小.这些可以为设计和制造更加优化的共振隧穿器件提供一定的理论指导. 相似文献
10.
穿龙薯蓣高产栽培技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
主要通过穿龙薯蓣(Dioscoreanipponica)的栽植密度试验及栽植深度试验,用方差分析及多重比较的方法来寻找穿龙薯蓣高产栽培技术。经过试验分析,最佳栽植密度为20cm×50cm,最适栽植深度为5cm~10cm。 相似文献