高密度存储器技术发展与应用浅谈

高密度存储技术指的是能在一个存储单元中存储多个值以实现大容量数据的存储器及其相关技术,本文着眼于市场应用前景和产业发展趋势,简单分析了磁性随机存取存储器、电阻随机存取存储器中高密度存储器技术的发展与应用。     

基于Sinc插值与相关谱的纵横波速度比扫描方法

在多分量地震技术中，准确地求取出纵、横波速比（γ）是多分量资料处理、反演、解释各环节中的一个重要步骤。由于地下同一层位具有相同的波阻抗比，因此该层位的反射纵波和反射转换波相互关联，纵横波速比与时间比存在相互转化关系。基于Sinc插值算法与相关系数谱分析的纵横波速比扫描方法是通过设置一系列γ，利用Sinc插值算法将纵波拉伸后与转换波进行互相关，当互相关系数达到最大时即可求出相应的γ。理论数据和实际资料的测试，验证了该方法的有效性、准确性和实用性。     

回转器与电感元件小型化的研究

本文从回转器原理出发，使用电阻、电容、运算放大器模拟电感，为电感元件的小型化提供了新思路。     

无线通讯机房雷电防护的特殊处理

本文研究了无线通信某站和设备在采用一般的建筑物防雷击外而采取的特殊防雷击措施。     

异步电动机起动电阻计算的新数学模型

通过对串电阻起动的分析和新旧数学模型的对比，表明用新数学模型计算起动电阻能较充分利用给定条件，起动过程比较接近实际状态     

单片机实现数字电压表的软硬件设计

介绍了用数字电位器X9313和单片机相联，实现数字电压表的硬件电路与软件编程。     

接地电阻对放电击中点的影响

采用对比性试验,研究了接地电阻对火花放电击中点的影响.试验结果和观测均表明,接地电阻能抑制从接地端产生的迎面放电的发展速度和通道强度,从而使其被击中概率下降,负极性比正极性下接地电阻对火花放电击中点的影响要显著得多.     

金属间化合物Ni3Al中的硼晶界偏聚特性的AES研究

本文应用俄歇能谱仪研究了不同化学计量比ＮｉＡｌ金属间化合物硼在晶界偏聚的特性。研究结果表明：硼在Ｎｉ３Ａｌ的各个晶界偏聚存在着不均匀性，硼在晶界的偏聚范围只有几个原子层，晶界结构及晶界化学环境是影响在晶界偏聚的决定因素。     

开互模拟的一条泛公理

π-演算公理化中较难处理的是有关局部化算子的等式, 传统的方法是使用带条件的推导规则或使用“区别”. 提出一条关于π-演算局部化算子的泛公理, 并证明它可在开互模拟的公理化中取代“区别”的作用. 本方法的好处是在公理化过程中我们只要处理一个互模拟, 而无须处理一族互模拟.