Ni~(26+)离子态分辨光复合过程的R矩阵理论研究

利用基于相对论R矩阵理论的DARC程序系统计算了Ni 25+离子基态1s22s(2S1/2)和激发态1s22p(2P1/2,2P3/2)的光电离截面,并通过细致平衡原理获得了统一的光复合过程(即辐射复合和双电子复合)态分辨的截面,计算结果给出了辐射复合与双电子复合过程间的干涉效应.为了标识和分析KLL共振能区所有的共振峰,基于相对论组态相互作用理论(RCI)的FAC程序被用来计算共振峰的能量、强度及其相关的双激发态的辐射、俄歇跃迁几率以及共振宽度等.利用统一的光复合截面进一步得到了KLL双电子复合过程的伴线强度,并与孤立共振近似下FAC的计算结果以及以前的理论和实验结果进行了比较,对存在的一致性和偏差进行了分析和讨论.     

用于中子发生器加速极电源的高频变压器设计

根据中子发生器加速极电源功率要求,通过AP(Area Product)法对加速极电源中的关键部件高频变压器进行设计.在推挽前级逆变电路中,增加去磁回路抑制变压器偏磁问题,采用分段分组绕制法减小分布电容.同时,测量和比较了不同频率下,变压器原、副边电压实验波形.结果表明:高频变压器的转换效率随频率升高而增大,当工作频率为20 kHz时,输出效率达到84％,满足了中子发生器加速极电源的要求.     

具有（W~＊－W）CPCP的共轭空间X

本文引进了概念（ｗ￣＊一ｗ）ＣＰＣＰ，并证明了：若ｘ”具有（ｗ￣＊一ｗ）ＣＰＣＰ，则Ｘ￣＊的每个非空ｗ￣＊一紧凸子集Ｋ的弱￣＊一弱连续点集是Ｋ的弱￣＊一稠密子集。     

类硼离子C^1＋的电子碰撞电离——单通道截面的共振增加

使用Ｒ－矩阵方法，在库仑－玻恩非交换近似下采用三态密耦图像，计算了类硼离子Ｃ＾１＋的电子碰撞电离截面，给出了总的能量微分截面及分波能量微分截面。计算结果揭示了明显的Ｒｙｄｂｅｒｇ系列共振，并指出共振对截面的贡献大于直接电离过程对截面的贡献，这与Ｃｈｉｄｉｃｈｉｍｏ的结论相一致。     

具有平等非退化极小截面曲面的一个定理

本文给出了空间形式中具平等极小截面曲面的一个定理，从而将文献[1]中相应结果推广到一般的m维空间形式中。     

产生快中子的长寿命氚化钛靶

中子束诊断技术在先进制造业、炸药、走私吕检查、医疗和其它工业中都得到了广泛的应用。在轰击能量低的情况下，产生高通量快中子的最佳核反应是＾３Ｈ（ｄ，ｎ）＾４Ｈｅ，即ｄ－Ｔ反应。现在运用ｄ－Ｔ反应的中子发生器的寿命受轰击是氚气从靶上逐渐释出的限制。本文是一篇研究限制氚束粒子取代氚束粒子取代氚，从而防止氚气释放造成中子产额减少的工作进展报告。可以预计，利用固定在高氢热扩散率基片上，如铌基础上的薄氚钛靶，     

平行于棱台底面的截面面积公式

平行于棱台底面的截面面积公式陈东升（驻马店师专数学系，驻马店市４６３０００）关于棱台的平行于底面的截面面积，高中立体几何课本只介绍了求中截面的面积，本文将推导出平行于棱台底面的截面面积的通用公式。设棱台的上、下底面的面积分别是Ｓ＿１和Ｓ＿２，则距离下...     

最优吸收截面的存在性

对被真空包围的无穷平行平板，运用勒贝格控制收敛定理和Ｃａｕｃｈｙ－Ｓｃｈｗａｒｔｙ不等式，给出稳态中子迁移系统最优吸收截面的存在性。