高钒高速钢的研究及应用现状

综述了高钒高速钢的研究现状、存在的问题及未来的发展前景，重点对高钒高速钢的的冶炼工艺、成分设计和组织特征的研究进展进行了评述，指出了成分设计中钒碳比对耐磨性的影响，变质处理对初生碳化物形态的影响，并对其应用尤其是在轧辊行业的应用进行了介绍。最后对其重点研究方向提出了相应建议。     

PVA-ZrP复合膜作为全钒液流电池隔膜的研究

采用浇铸浸渍法制备了PVA-x%ZrP(磷酸锆)(x=10, 15, 20)复合膜. 采用红外光谱(IR)和差热分析(DTA)对膜进行表征. 考察复合膜在不同电流密度(0～70 mA/cm2)下的膜压降和对VO2 /VO 2离子的渗透性. IR研究结果表明, 复合膜中ZrP与PVA间产生相互作用, 使得PVA的微观结构发生变化. 复合膜在165～170 ℃之间出现强吸热峰, 这是由于磷酸锆脱去结晶水及PVA分子内脱去化学吸附水, 于220 ℃开始出现一个较强的放热峰, 表明PVA的分子内羟基缩合脱水和磷酸锆开始发生相变. 复合膜的膜压降除了与电解液硫酸浓度有关外, 还与其中的ZrP含量有关, ZrP含量增加, 膜压降也提高, 但离子选择性也增加, 表明复合膜由其微结构中的电解液导电逐步向ZrP导电过渡;所制备的复合膜中, PVA-15%ZrP具有较好的综合性能.     

含钒废水的处理现状及发展趋势

介绍了国内外含钒废水中钒、铬和氨氮的处理现状和所采用的处理方法,并在此基础上探讨了含钒废水处理的发展趋势。     

V~(5 )、Ho~(3 )共掺杂TiO_2光降解甲基橙(英文)

采用溶胶-凝胶法制备了不掺、单掺和共掺杂纳米TiO2,对样品进行了XRD和UV-Vis吸收光谱分析,并以甲基橙的光脱色反应考察了样品的光催化性能。结果发现V5 拓宽了TiO2光谱响应范围,提高了光的利用率,产生更多的电子-空穴对;Ho3 的掺杂抑制了TiO2粒径的长大,引起了晶格的畸变和膨胀,延缓了光生载流子的复合;V5 、Ho3 共掺杂时,由于两种掺杂物的共同作用,可进一步提高TiO2的光催化性能。     

Preparation and Composition-Structure-Thermal Stability Relation of a Novel Open-framework Vanadium Phosphate (H3NCH2CH2NH3)3[(VO)4(PO4)2(HPO4)4]

A novel open-framework vanadium(Ⅳ) phosphate (H3NCH2CH2NH3)3[(VO)4(PO4)2(HPO4)4] (short for V2P3-en) has been prepared. It is synthesized hydrothermally in the presence of ethylenediamine (en) at 170℃ for 5 days by self-assembly from structurally simple precursors V2O5, H3PO4 and H2O. The compound is characterized by means of Fourier transform-infrared spectroscopy (FT-IR), Thermogravimetry-differential thermal analysis (TG-DTA), X-ray powder diffraction analysis (XRD) and Scanning electron microscopy (SEM). Furthermore, the composition-structure-thermal stability relation of V2P3-en is explored in terms of crystal chemistry, and the potential approach to the enhancement of its thermal stability is proposed.     

钒(Ⅳ)-槲皮素极谱络合物吸附波的研究

在pH5.2的醋酸盐缓冲底液中,用单扫示波极谱法可获得灵敏的V(Ⅳ)-槲皮素络合物吸附波。钒浓度在1.0×10^-7 mol/L--1.0×10^-5 mol/L范围内与二阶导数波峰高成正比关系,检测下限为7.0×10^-8 mol/L。测得电活性络合物组成为V(Ⅳ)∶Qu=1∶1,条件稳定常数为3.3×10⁵。表面电极反应速率常数ks=3.9 s^-1。     

磷—钒—钼杂多酸的降解过程及其降解产物的合成

研究了H_mPV_nMo_(12-n)(n=0～2)的降解过程,结果表明:随钒取代数n的增大,其降解产物愈趋稳定。对于钒取代数小的杂多酸。在降解过程中会自动转化成更稳定的钒取代数较大的降解产物。合成了H_5PV_2Mo_(10)O_(40)的降解产物(NH_4)_7H_2PV_2Mo_9O_(39)·15H_2O。利用紫外、红外、热重—差热、x射线粉末衍射等对所合成的产物进行了初步研究。     

RMS-8流化催化裂化催化剂氧化法脱钒复活研究

以钒含量较高的RMS 8流化催化裂化催化剂为原料 ,考察了氧化法和酸洗法的脱钒效果。结果表明 ,脱钒率不仅与洗涤条件有关 ,而且与氧化焙烧的条件有关。氧化焙烧时间相同时 ,不同洗涤溶液的脱钒效果也不同 ,其中草酸和H2 O2 混合溶液脱钒效果较好 ;脱钒率随洗涤次数的增加而增加 ,氧化焙烧时间和温度对脱钒效果也有显著影响。在其他条件相同的情况下 ,氧化时间越长 ,氧化温度越高 ,脱钒率也越高。从活性恢复的角度看 ,在脱钒率较低时 ,催化剂的活性即可得到大部分恢复。但再进一步提高脱钒率 ,对催化剂活性的恢复影响不大。     

层状锂锰钒氧化物的合成与电化学性能研究

用高温固相反应法合成掺锰的层状锂钒氧化物L i1.2V3-xM nxF0.02O7.98.通过FT IR和XRD对样品进行表征,并研究了样品的充放电性能.实验结果表明:除L i1.2V2.50M n0.50F0.02O7.98样品外,所合成的其余4个样品均为层状锂锰钒氧化物.掺锰量最少的样品L i1.2V2.98M n0.02F0.02O7.98,在4.0~2.0 V区间放电时,其初始放电容量可达233.4 mA h/g,但循环性能不佳.随着掺锰量的增加,样品的循环性能有了显著改善,初始放电容量降低.掺锰量较大的样品L i1.2V2.80M n0.20F0.02O7.98的初始放电容量较低(164.8 mA h/g),但其循环性能在所有样品中是最好的,说明掺杂适量的锰可以使层状锂钒氧化物的结构更稳定,从而提高样品的循环性能.     

Effects of deposition parameters on the properties of VO2 thin films

The vanadium oxide thin films are deposited for microbolometers by radio frequency reactive sputtering method at room temperature. The effects of the oxygen partial pressure on the deposition rate, electrical properties and compositions of the films are discussed. The as-deposited VO_x thin films with x value of nearly 2 are deposited by adjusting the oxygen partial pressure. After oxidation annealing of these films in air, the VO₂ films with high temperature coefficients of resistivity (about -4%/℃) and low resistivity can be obtained. The square resistances of the films are in the range of 100 kΩ/squ?300 kΩ/squ. All films are deposited at room temperature and annealed at 400℃, in which the compatibility between VO_x deposition process and MEMS (micro electromechanical systems) is greatly improved.