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91.
采用射频磁控溅射方法以不同的氮气分压比(1/10~2/3)制备出一组硼碳氮薄膜.傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)测量发现样品的组成原子之间均实现了原子级化合.XPS测量结果表明,所有样品中的B、N原子比近似为1:1,其化学配比为BCx N(0.16<x<1.46).紫外/可见/近红外分光光度计用于测量样品的吸收光谱.由吸收谱线在低能区域(2.0~3.0 eV)的光吸收,利用关系作图法求出光学带隙Eopt范围为0.17~0.83 eV.氮气分压比对薄膜的组分和光学带隙有很大影响,其通过改变薄膜组分而影响光学带隙,并且碳原子数小的样品具有较宽的光学带隙.以氮气分压比为1/3条件下制备的样品中碳原子数最小,它的光学带隙最宽为0.83 eV. 相似文献
92.
采用磁控溅射法,选用LaNiO3(LNO)作为缓冲层和电极层,在硅基片上成功地制备出了0.74Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.26PbTiO3(PMN-0.26PT)铁电薄膜.X射线衍射(XRD)分析表明薄膜具有沿(110)方向择优取向的钙钛矿结构.利用NKD光谱测试仪测试了薄膜的反射谱,并使用最小二乘法进行拟合分析得到其折射率和消光系数.在沉积温度为500℃时,薄膜具有更为均匀和致密的微观结构.在波长为633 nm时,该薄膜的折射率大小为2.41.薄膜的折射率和消光系数随着光子能量的增加而增加.薄膜的这些光学特性使其有望在低压电光转换器、光波导等器件中应用. 相似文献
93.
利用离子辅助电子束蒸发技术,在玻璃基底上以交替沉积的方式制备了A12O3/SiO2叠层复合薄膜,单层介质膜膜厚分别选取54和16 nm,总厚度为560 nm.采用步进法测试得到金属电极/复合绝缘膜/金属电极(MIM)结构的I-V特性曲线,具体成分为CrCuCr/(Al2O3/SiO2)8/CrCuCr,相应的厚度为80... 相似文献
94.
应用2008年分布在茅台酒原料基地,海拔370~1 301m地段209个农户栽培的有机高粱产量和品质资料,采用气候曲面技术(ANUSPLI)方法得到各地段的温度、降水量和日照数据,并对各地段有机高粱产量和品质及原产地气象条件进行了相关分析.结果表明:气温日较差对高粱产量、单宁质量分数有显著影响;降水量对高粱产量、单宁和淀粉质量分数有显著性影响;日照时数对高粱产量、单宁和淀粉质量分数有显著影响;其中气温、降水量和日照对高粱单宁质量分数的影响都为显著负相关.气象条件对高粱蛋白质质量分数无明显影响.该文依据相关分析结果建立了气候区划指标,并做出了优质酒用有机高粱栽培基地的气候区划,其优质有机高粱栽培基地最适宜区在赤水河流域中段的贵州省仁怀市北部、西部和西南部地区,适宜区在仁怀市东部和南部地区. 相似文献
95.
基于横场伊辛模型的平均场近似理论,研究了具有两个表面层铁电薄膜的体介质层对整个铁电薄膜相变性质的影响.给出了一个适合于研究任意层数具有两个表面层及体介质层铁电薄膜相变性质的递归公式.研究了体介质层的交换相互作用参量和横场参量对整个铁电薄膜相图的影响,以及交换相互作用参量对横场参量过渡值的影响和横场参量对交换相互作用参量的影响.结果表明,相图中铁电区、薄膜的居里温度、体介质层的横场参量过渡值均随体介质层的交换相互作用参量的增大而增大;体介质层的交换相互作用参量随体介质层的横场参量的增大而增大;而相图中铁电区、薄膜的居里温度却随体介质层的横场参量的增大而减小,并且发现体介质层的交换相互作用参量对薄膜的影响比其横场参量稍大些.最后也给出了两个表面层的交换相互作用对相图的影响. 相似文献
96.
在对环境协调性制备技术进行了概述的基础上,对目前最有希望的几种功能薄膜材料环境协调性制备技术分别进行了介绍,特别重点介绍了软溶液工艺技术的优势和发展趋势。针对上述功能薄膜材料的环境协调性制备技术的不足之处,对今后的发展方向提出了展望。 相似文献
97.
室温条件下,在碱性的Ca^2+、Sr^2+、Ba^2+溶液中,通过电化学阳极氧化制备了Ba1-x-yCaxSryMoO4多晶固溶体薄膜材料.采用XRD、SEM、XPS、FA(荧光分析)等测试手段分析了薄膜的晶相结构、表面形貌、化学组成及室温光致发光特性.研究表明室温阳极氧化法所制备的Ba1-x-yCaxSryMoO4固溶体薄膜具有四方晶结构,在紫外光的激发下,有较好的光致发光特性. 相似文献
98.
介绍了X荧光薄膜分析法测试CIGS薄膜太阳电池中吸收层的4种元素的比例,并对其进行了分析和研究,此方法测量速度快,精确度高,对于制备高效率的CIGS太阳电池具有重要的指导意义。 相似文献
99.
郭震宁 《华侨大学学报(自然科学版)》2007,28(3):243-245
采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术,制备a-SiOx∶H(0相似文献
100.
用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜.研究沉积气压和衬底温度对BST薄膜结构及介电性能的影响.应用XRD和AFM表征薄膜的物相结构及其表面形貌,通过阻抗分析仪测量薄膜的介电性能.结果表明在3.0 Pa沉积气压和600℃衬底温度下制备的Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜有较好的微结构和介电性能. 相似文献