具有不同壁厚的薄壁铝管氩弧焊

本文针对不同壁厚铝合金薄壁管接头焊接性及影响焊缝成形质量的因素，研究了ＭＩＧ焊熔滴过渡形式、焊接过程稳定性、ＭＩＧ焊和ＴＩＧ焊工艺。研究成果已用于生产，获得了优良的焊接质量，具有较大的经济效益和实用价值。     

单晶硅衬底上金刚石成核密度的研究

本文研究了用热灯丝化学气相沉积方法在单晶硅衬底上制备金刚石薄膜时其成核密度与制备条件的关系。结果表明,衬底表面状态、衬底温度、灯丝温度、灯丝与衬底表面间距离等对金刚石成核密度有明显的影响,且表面状态的影响最大。     

蜂窝材料面外受压时初始弹性失稳载荷的计算

本文通过对蜂窝材料结构的自重复特性的分析,合理地提出了非等壁厚蜂窝壁板的侧边条件,给出了求任意尺寸比的蜂窝材料面外受压时的初始弹性失稳载荷的理论算法,改变了以前求此失稳载荷只有经验公式的状况,为今后解决类似的空间自重复结构方面的问题打下了基础.     

气相法同质外延金刚石单晶薄膜的研究

本文以＜１００＞和＜１１１＞两种取向的金刚石为衬底，用微波ＰＣＶＤ法进行了同质外延实验，考察了衬底取向，反应气体，碳源浓度等因素对外延层形貌与结构的影响，给出了获得比较理想单晶外延层的实验条件。     

类金刚石碳膜在大气热退火过程中的稳定性

本文对双离子束溅射淀积法制备的类金刚石碳膜进行了大气中的热退火研究。退火温度３００℃，时间分别为１．５ｈ和３．０ｈ。对退火前后的样品分别作了红外透射谱、Ｒａｍａｎ光谱和电阻率的测量，并在退火过程中对膜层电阻率进行了即位测量。结果表明，３００℃的退火并不能使膜层中的Ｃ－Ｈ键断裂，而使膜层结构趋于完整，膜层氧化变薄，其电阻率和红外透过率过率增高；但退火对膜的影响程度只与退火温度有关，而与退火时间无关。     

初始函数法在矩形厚板问题中的应用

本文采用初始函数法解各向同性板在均布载荷下的小变形问题,由于对应力和位移预先不作任何假设,故其结果精度较高。文中采用六阶控制方程对四边简支矩形板进行了分析,并与Reissner和经典理论所得结果进行了比较。     

a-SiC:H/a-Si:H复合膜对半导体器件钝化作用的研究

本文简述了用α-SiC:H/α-Si:H复合膜钝化硅平面器件的钝化机理,并成功地应用于硅平面小功率晶体管的表面钝化,实验表明,钝化后的器件反向漏电流降低了2～3个数量级;小注入下的电流放大系数提高了3～4倍;室温—200℃的BT实验表明,未钝化的器件200℃时的电流放大系数比室温时增加了300％,而钝化后的器件只增加了75％。这些结果主要归因于钝化膜中原子态氢在到达SiO_2-Si界面处与界面处悬挂键结合,降低了界面态密度。     

NH_3等离子体增强热处理形成硅化钛导电薄膜

本文介绍制备均匀硅化钛导电薄膜的一种新方法,高频NH_3等离子体和感应加热的共同作用,使淀积在硅片表面的Ti膜产生氮化和硅化反应,实验表明,在低气压下NH_3等离子体增强的Ti膜表面氮化,可以有效地克服通常很难避免的氧沾污的有害影响,有利于通过固相反应形成自对准TiSi_2导电薄膜。     

薄膜1_4波片的设计和制作

本文报导了稜镜型1/4波片的设计和制备方法.在全反射条件下,用单层或多层电介质薄膜与稜镜匹配,可以实现单波长或宽波段的1/4波片.为了证实设计,给出单层膜的实验结果.