An overview of resistive random access memory devices

With recent progress in material science, resistive random access memory (RRAM) devices have attracted interest for nonvolatile, low-power, nondestructive readout, and high-density memories. Relevant performance parameters of RRAM devices include operating voltage, operation speed, resistance ratio, endurance, retention time, device yield, and multilevel storage. Numerous resistive-switching mechanisms, such as conductive filament, space-charge-limited conduction, trap charging and discharging, Schottky Emission, and Pool-Frenkel emission, have been proposed to explain the resistive switching of RRAM devices. In addition to a discussion of these mechanisms, the effects of electrode materials, doped oxide materials, and different configuration devices on the resistive-switching characteristics in nonvolatile memory applications, are reviewed. Finally, suggestions for future research, as well as the challenges awaiting RRAM devices, are given.     

基于有限内存Broyden-Fletcher-Goldfarb-Shanno优化算法的图像非刚性配准方法

图像配准可以分为刚性配准和非刚性配准两类,图像非刚性配准是图像处理研究的热点和难点,其中的参数模型往往转化为无约束优化问题的求解,当参数数目较大时求解比较费时,提高此类算法效率的关键之一是减少迭代算法中矩阵的计算量和存储量.本文研究了一种非刚性配准方法,该方法应用Basic样条自由变形模型,此模型改变控制点只影响其附近...     

多通道并行访问模式下的闪存静态损耗均衡设计

静态损耗均衡算法决定了固态闪存存储系统的使用寿命。为了提高多通道并行访问模式下的闪存系统寿命,提出了一种主动搬移静态数据的静态损耗均衡设计。该设计在多通道并行访问模式下,根据擦除标志位,采用轮询法主动挑选静态数据块并加入待擦除块队列,从而减小各物理块之间的损耗不均衡程度。实验结果表明:该设计能提高平均擦除次数至少8.33%,有效降低并行访问模式下的损耗不均衡程度至少5.39%。该文还对影响损耗均衡程度的触发阈值进行了分析,提出了在选择触发阈值时,需要综合考虑损耗均衡情况和系统速度。     

基于虚拟机的安全技术研究

由于虚拟机的高隔离性以及对系统、应用的透明性,使得很多安全技术是基于虚拟机实现的.提出一种基于Xen的安全架构,可将现有安全程序移植到该架构上,并保证其功能性,如文件、内存扫描以及主动防御技术.由于大量减少处于被保护虚拟机中的安全程序组件,使得安全程序本身具有更高的安全性,同时利用半虚拟化I/O技术将系统开销降低到最小,具有实用性.该框架还可将其他基于虚拟机的安全技术整合进来,且不需要修改现有的操作系统及应用程序,因此具有较强的适用性.     

生物可降解高分子形状记忆合金的研究和进展

高分子形状记忆材料近年来吸引了许多研究者的目光, 因其低廉的成本、优异的加工性能、良好的回复性、多变的力学和物理性能等优势迅速地发展起来. 但随着石油紧缺和全球暖化等问题, 开发绿色、可降解的生物高分子形状记忆材料成为新的发展趋势. 其中, 绿色材料聚乳酸以其优异的力学强度、生物降解性和生物相容性, 在可降解的生物高分子形状记忆材料的研究和应用方面有很大的发展前景. 本文主要就生物可降解高分子形状记忆材料的发展现状、形状记忆机理、材料选择和国内外最新研究进展等进行了介绍、评述和展望.     

记忆面孔, 男女有别: 关于面孔再认性别差异的行为与ERP研究

采用行为实验及事件相关电位技术, 通过学习-测验范式考察面孔再认中的性别差异,结果发现: (ⅰ) 女性面孔更容易被记住, 且女性很可能比男性更擅长记忆面孔. (ⅱ) 旧面孔诱发的N170 波幅更大, 表明该脑电成分可受到面孔熟悉度的调制. (ⅲ) 女性面孔诱发的N170 波幅更大, 而男性面孔引发的P2 波幅更大; 前者可能与女性面孔可变化的特征较多、需要更大的心理负载有关; 后者可能与男性面孔可变化的特征较少、再认难度较大, 从而需要更深的加工有关. (ⅳ) 新旧面孔诱发女性被试的P1 波幅存在差异, 但男性被试身上不存在此现象, 提示女性的脑活动可能比男性更早地受面孔的熟悉度所调制. 此外, 女性被试对于新旧面孔还表现出P2, N250 波幅的差异, 且女性被试新旧效应涉及的头皮范围比男性更广, 这些都为女性较好的面孔再认能力提供了电生理证据.     

用金属磁记忆方法进行缺陷检测

介绍了金属磁记忆检测的原理及其应用方法。铁磁性工件在载荷的作用下,应力和变形集中区会产生最大的漏磁场变化,对漏磁场法向分量的测定可以准确地推断工件的应力集中区。通过对14块对接焊缝钢板分别用磁记忆、超声波方法进行实际检测,验证了磁记忆检测方法的有效性,取得了一些有益的经验。     

基于Windows的DSM系统中线程迁移的实现

随着多线程DSM系统的发展,线程迁移已经成为DSM系统中一个非常重要的研究课题。在分析Windows操作系统的存储和控制结构的基础上,讨论了基于Windows操作系统的多线程DSM系统的基本框架,提出了一种对线程进行动态迁移的方法。并且在一个基于Windows操作系统工作站机群的Smonn系统中成功实现,表明了该方法的有效性。     

MLC型NAND闪存中基于MI异构的Polar码优化

为了进一步提高多级单元（multi-level-cell,MLC）闪存的耐久度和可靠性,提出了一种MLC闪存信道中基于互信息量（mutual information,MI）异构的polar码优化方法.该方法利用对数似然比（log-likelihood ratio,LLR）分布在MLC闪存信道和AWGN（additivewhite Gaussian noise）信道中的差异性,以MI重新拟合LLR分布,得到在闪存信道下等效的标准方差,从而进行高密度存储系统中的polar码优化设计.随后,分析了不同的polar码构造法对多级存储单元的纠错性能影响,并与所提的构造方法进行比较.仿真结果表明该文优化方法优于AWGN信道下传统的构造方法,当编程/擦除（program-and-erase,PE）循环为21 000次时,与蒙特卡罗法相比其误码率（bit error rate,BER）性能提升2个数量级,且在BER为2 × 10-5时可增加6 800次的编程/擦除循环.     

税控收款机Flash文件系统的设计与实现

针对税控收款机设计了一种Flash文件系统,通过Flash空间分配实现方式优化、断电保护和空间回收等关键技术,并结合嵌入式数据库设计思想,向用户提供方便可靠的数据导入导出及日常检索功能,从而为税控收款机的推广提供了系统软件支持。