Sm─FeCo─N合金薄膜的磁性与微观结构

采用离子注入方法制备Ｓｍ－ＦｅＭ－Ｎ磁性合金薄膜，研究少量Ｃｏ部分取代Ｆｅ对薄膜磁性能的影响，探索研究Ｓｍ－ＦｅＭ－Ｎ磁性材料的新途径．实验发现：Ｃｏ＋注入使样品的饱和磁化强度明显增加，Ｓｍ－ＦｅＣｏ－Ｎ薄膜的饱和磁化强度是Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ薄膜的１．６倍．经ＴＥＭ分析，Ｃｏ＋没有与Ｓｍ或Ｆｅ形成化合物     

3，5─二溴─PADAP─酒石酸光度法测定铌

基于铌与３，５－二溴－ＰＡＤＡＰ酒石酸在ｐＨ＝１．０～４．０时可形成蓝紫色的三元络合物的原理，借助分光光度法测定了低合金钢等样品中微量铌。实验结果与其它方法对比分析证明，结果相符。但该方法更实用、经济。     

从镀锡废材中电解提到锡的研究

提出了在较低岛度（４００～４５０℃）下，在钾、钠、锌的氯化物溶体中，电解分离锡铁合金时，用加入金属铋的方法提高阳极合金的流动性     

稀土烯丙基化合物的研究（Ⅺ）──钆、镝、钬、铒和镱的镁烯丙基四甲基乙二胺配合物的合成

低温时，以四甲基乙二胺（ｔｍｅｄ）作稳定剂，用无水稀土氯化物与烯丙基氯化镁在四氢呋喃中反应，合成了对空气和湿气相当敏感的稀土镁烯丙基四甲基乙二胺配合物（Ｃ３Ｈ５）２ＬｎＣｌ５Ｍｇ２（ｔｍｅｄ）２（Ｌｎ＝Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ）配合物的组成经元素分析、红外光谱、质谱等鉴定以及摩尔电导的测定．还进行了配合物与二氧化碳或含活泼氢的化合物的反应．     

钨合金球制造工艺的研究

对钨合金球的成形、烧结工艺、材质选择、性能检测等问题进行了研究．结果表明，圆盘造球机制备钨合金球是一种理想的工艺．球的压溃试验是确定烧结参数的直接依据，钨合金球的压溃数据更能准确地代表成品钨合金球的性能．     

消除轧辊偏心引起的轧制力波动的滤波器

通过在ＺｒＯ２与４０Ｃｒ钢的钎焊连接中加入缓冲层４Ｊ３３，Ｎｉ，Ｔｉ和Ｃｕ，来研究缓冲层化学成分对连接强度的影响。结果表明，４Ｊ３３和Ｎｉ因其化学元素与钎料发生化学反应，损害了钎料的活性，致使ＺｒＯ２／缓冲层／４０Ｃｒ钢连接失败；而缓冲层Ｔｉ和Ｃｕ虽然大量溶入钎料中，但并不影响钎料和ＺｒＯ２的反应结合，故可提高ＺｒＯ２／４０Ｃｒ钢的连接强度。     

亚微米氮化钛粉末燃烧合成研究的理论分析

对氮化钛粉末的自蔓延高温还原合成过程进行了理论分析，热力学计算表明，反应最合适的温度范围为１４００～２０００Ｋ，这一温度可借ＭｇＯ稀释剂进行调节，使之达到抑制氮化镁副产物的形成和防止产物出现液相烧结的作用，从而获得粒径细小均匀的氮化钛合成粉末。动力学分析指出，在反应物中添加少量含氮化合物可以有效降低高氮压的临界条件。     

铅蓄电池Pb—Sr合金板栅材料电化学性能

应用Apple-Ⅱ-恒电位仪联机系统及SEM研究铅蓄电池Pb-Sr合金材料表明,Pb-Sr 具有比 Pb-Sb 更良好的耐腐蚀性,其原因可能是金属表面的氧化物层形成比较理想相结构。     

在耐热铬铝合金改性处理中钒渣的冶金物化条件及作用

在耐热铬铝合金改性处理中,V渣 Ti zn复合孕育剂起着良好的孕育处理作用.主要从热力学角度分析了V渣作为炼钢工业副产品得到二次利用的可行性,并讨论了冶金综合处理工艺和冶金物化条件对充分发挥V渣复合孕育效果的作用.     

光纤制备工艺的理解和进一步降低损耗的一些设想

描述二氧化锗，五氧化磷和氟化物在沉积和烧结过程中的机理．由于掺杂物在高温下的特性差异，有可能产生许多不利因素，如掺杂物的挥发、局部应力、缺陷中心和不完整波导结构．这些因素有损于传输特性．随着光纤通讯的发展，低损耗光纤在长距离，大容量通讯系统中起着越来越重要的作用．经过１０多年的努力，接近理论值的，低损耗的光纤已经商品化．但由于不完善工艺条件所引起的损耗，仍需要研究．１９７４年出现了ＭＣＶＤ工艺，由于实施相对容易，得到广泛使用．许多研究工作者对这一工艺中四个主要阶段：即沉积，烧结，固化和缩棒，提出满意的解释．为进一步改善包层内，包层和芯子之间，芯子内的浓度梯度和应力结构以便获得低损耗光纤，本文分析了几种掺杂物在高温下相互作用的机理，提出了在烧结阶段中氟粒子独特作用的设想