生物膜的驯化及其对废水中铅离子的吸附

为提高生物膜对重金属离子的吸附性能,在不同温度、pH和不同浓度的不同驯化剂(铁离子、锰离子、羧甲基壳聚糖)存在条件下分别驯化生物膜,并对比生物膜对水体中铅离子的耐受性和吸附性.实验表明:驯化剂羧甲基壳聚糖好于锰离子,锰离子好于铁离子;当t=22℃、pH=6.5时,0.2g/L羧甲基壳聚糖驯化的生物膜对铅离子的吸附量达到最大,去除率高达98.3%;Langmuir和Freudlich吸附等温线均能很好地描述生物膜对铅吸附的热力学过程,Elovich方程和双常数速率方程能较好地拟合吸附的动力学过程.     

多变量系统的广义预测控制

本文介绍一种针对多变量专家控制系统提出的预测解耦方法,该方法是用隐式递推广义预测方法预估出各变量之间的影响,然后加到控制中得以实现的。即使在系统结构未知或变化的情况下,仍可获得次优解,具有很强的鲁棒性。仿真结果表明,方法是有效的。     

金属离子与血清白蛋白结合反应研究进展

综述了金属离子与血清白蛋白结合反应的研究进展，简要介绍了研究中常用的紫外－可见光谱法、荧光光谱法以及平衡透析法。根据已发表的研究结果，对某些金属离子与血清白蛋白结合的位点、络合物的空间构型、结合数和稳定常数进行了总结，对金属离子与血清白蛋白之间的强结合位点进行了分类。最后讨论了此类研究中存在的问题和研究方向。     

盐胁迫下星星草幼苗地上部无机离子的累积

本文测定了不同浓度盐胁迫下星星草幼苗地上部无机离子的累积情况，并分析了Ｎａ＾＋、Ｋ＾＋以及不溶性盐含量变化的特点。表明盐胁迫下星星草幼苗从外界环境中吸收大量无机离子作为渗透调节物质进行渗透调节，从抵御盐分的胁迫作用。     

微纳米卟啉金属有机络合物的合成

我们通过一种简单的绿色合成方法,得到微纳米尺度的金属卟啉配合物,并通过选择不同的金属离子,实现了对金属卟啉配合物的可控组装,得到了从零位、一维和二维的金属卟啉配合物.并借助扫描电镜、红外光谱、X射线衍射谱(XRD),X射线光电子能谱(XPS)等对其结构进行了表征,详细考察了其影响纳米结构的影响因素和动力学生长过程.     

污水处理中二醛纤维素对Cu(Ⅱ)、Cr(Ⅵ)Zn(Ⅱ)的吸附性能研究

采用高碘酸钠溶液对棉纤维进行选择性氧化制得二醛纤维素,运用二醛纤维素对不同重金属离子溶液做吸附性能测试.研究结果表明,二醛纤维素对Cu (Ⅱ)、Cr (Ⅵ)、Zn (Ⅱ)等重金属离子有良好的吸附作用.     

高剥离态离子nl壳层的能量计算

采用改进的屏蔽氢离子模型计算高剥离态离子的ｎｌ壳层能量，并与实验值及其他理论值进行了比较。     

金属离子和氧化剂分别对4—硝基酚光化学降解的影响

在实验条件下，Mn2 ,Fe2 ,Cu2 ,Y3 ,La3 对4－硝基酚光化学降解的加速作用在增加，但幅度不大，KBrO3,KIO3,KIO4对4－硝基酚光化学降解起加速作用（特别是KIO4的加速作用最为显著，光照2h,4-硝基酚降解42．43％），KClO3,KClO4对4－硝基酚光化学降解没有影响。     

Growth mechanism of liquid Hg/solid β-HgS metal-semiconductor heterostructures

Density functional theory （DFT） was utilized to simulate the reactions occurred in the mixture solution of cysteine and Hg（II） ions with the ratio 〈 2. Simulation result shows that Hg ions will coordinate to cysteine by the thiol groups with the form of S-Hg2 and S-Hg3; and moreover, the content of free Hg ions can only be reduced by these two forms. OH- plays an important role in the growth of β-HgS, because its nucleophilic substitution reaction supplies plenty of Hg-S-Hg radicals, which will be adsorbed onto the surface of liquid mercury ball and form the precursor of 13-HgS（111） plane. Three valent bonds adsorption of Hg-S-Hg radicals onto the surface of Hg ball has more adsorption energy （-32.768 kcal mol-1） than that of two valent bond adsorption （-20.882 kcal - mol-1）. Hg balls will stop growing after completely covered with Hg-S-Hg radicals and their size will be limited. The growth direction of β-HgS is parallel to the ＂repel- ling＂ force, that is [111] direction in β-HgS lattice. The calculated results are in good agreement with the experimental observations, demonstrating that the DFT method can be taken as a very useful tool to interpret the solution reactions that cannot be solved by conventional methods.     

卟啉修饰电极的制备及金属离子的电位溶出行为

目的 :将修饰电极应用于电位溶出分析 .方法 :采用化学吸附法制备出meso -四 (对 -乙基苯基 )卟啉和meso -四 (对 -甲氧基苯基 )卟啉修饰玻碳电极 .研究Zn(Ⅱ ) ,Cu(Ⅱ ) ,Cd(Ⅱ )和Pb(Ⅱ )金属离子在该电极上的电位溶出行为 ,并与预镀汞膜玻碳电极、玻碳电极的电位溶出行为进行了比较 .结果 :溶出时间 (τ)与金属离子浓度均有良好的线性关系 ,最适宜分析的浓度范围是Zn(Ⅱ ) :1× 10 - 7～ 5× 10 - 5mol/L ;Cd(Ⅱ )和Pb(Ⅱ ) :6× 10 - 7～ 5× 10 - 5mol/L ;Cu(Ⅱ ) :5× 10 - 8～2× 10 - 5mol/L .微分电位溶出分析时灵敏度提高一个数量级 ,相对标准偏差为 0 .90 %～ 2 .3% (n=15) .结论 :使用卟啉修饰电极进行电位溶出分析可获得好的重现性和满意的灵敏度