Gauss整环的理想和商环

主要讨论了Gauss整环Z[i]的理想中的元素形式和性质,商环中的元素个数,商环的结构及商环构成域的条件.另外,给出了Gauss整环关于映射φ:a+bi→a2+b2作成一个欧氏环的两种证法.     

基于EOTA的多功能连续域滤波器设计

提出了一种基于EOTA的多功能连续域滤波器设计方法.通过调节EOTA的偏置电流改变其跨导gmT,实现EOTA滤波器的中心频率、Q值和通带增益外部正交可调,将非线性误差减小到0.54%,降低了电路中无源和有源元件的灵敏度,提高了电路前端芯片的集成度.结果表明此滤波器有效地实现了低通、高通、带通特性,达到了设计要求.     

一类无理函数值域问题的探讨

双根号类无理函数的值域问题是教学过程中学生比较棘手的问题,在界定该函数的定义域的基础上,采用向量的数量积或三角函数换元法解题,既可减少运算量、便于学生理解与掌握,同时也是促进换位思维、提高学生数学素养的重要途径。     

DNS功能在Cisco设备中的应用

简要阐述域名系统(简称DNS)的概念和原理,主要阐述域名解析技术如何在全球最先进的网络解决方案供应商Cisco公司生产出的专业设备上的应用。     

多元角形区域上解析函数的唯一性

把无穷可微函数类在角形闭区域上的唯一性结果推广到了多维情形.     

聚氨酯硬段堆叠结构的再发现：类结晶行为

利用傅里叶变换红外技术（FT-IR）首先阐明了本文工作中的聚氨酯氢键缔合程度或微相分离程度与热历史无关,只与样品所处温度有关。其次,利用差示扫描量热法（DSC）探究了升降温过程中出现的热效应,发现热效应所对应的硬段缔合结构与聚合物结晶行为非常相似,例如有缔合核存在下的快速生长、硬段较多时的快速生长、等温退火后生成特定的缔合结构等。综合以上实验结果可以发现,这些缔合结构的行为非常类似于高分子晶体。但与传统观点不同的是,微相分离与这些潜在的类结晶行为是两个独立的过程。     

一种改进的单载波频域中基于最小均方误差的多目标常模盲均衡

针对移动通信如何在有限带宽中实现最优信道均衡,以确保信号传输质量,提出一种改进均衡方案,将单用户的单载波频域均衡转化为多目标频域常模均衡。由原先的一个常数模均衡器生成多个常数模均衡器,引入最小均方误差准则,并采用正交化处理,降低了均衡后信号的误差。仿真实验结果表明,这种方案较之以往的频域均衡方法,性能结果更为理想。     

Magnetic properties of perpendicularly orientated L1<Subscript>0</Subscript> FePt nanoparticles

L10 FePt films were deposited on MgO (001) substrates heated to 700°C by magnetron sputtering.Assisted by the misfit of lattice between film and substrate,strong (001) texture was formed.The film at nominal thickness t N=5 nm was composed of nanoparticles with a size of～70 nm,and showed a high coercivity of～105 kOe at 4.2 K.At t N=～50 nm,as the film changed from discontinuous to continuous,the coercivity dropped about one order of magnitude.Micromagnetic simulation implies that the magnetization reversal is...     

低复杂度的改进型CORDIC优化算法研究

CORDIC算法在电子、通信领域有着广泛的应用.传统CORDIC算法需要通过乘法器和查找表才能实现多种超越函数的计算,这会导致硬件电路实现复杂,运算速度降低,此外它能够计算的角度范围也有限.针对传统CORDIC算法的缺陷,提出一种改进型CORDIC优化算法,它不需要模校正因子和查找表,只需通过简单的移位和加减运算就能实现多种超越函数的计算,从而能够减少硬件资源,提高运算性能,并通过区域变换使得该算法能够适用于所有的旋转角度.误差分析表明该算法具有很小的误差.     

近邻和四自旋相互作用对铁电体畴结构影响的模拟

在二维Ising模型基础上,采用蒙特卡罗方法研究了二自旋和四自旋相互作用下,铁电体畴结构的动态演化和极化反转过程。数值模拟结果表明二自旋相互作用下极化反转过程中显示不出明显的畴纵向生长趋势。而四自旋相互作用下,方型的四自旋相互作用对于畴的纵向生长起主要作用,T型的四自旋相互作用可以导致反铁电相的出现。