复杂技术环境下技术差距对国际技术流动的影响

国际技术贸易是技术差距所带来的结果,是国际之间技术差距的体现。首先分析了技术差距对国际技术流动的影响,并基于分析结果进一步说明不同的技术水平会带来不同的国际技术流动。     

杂交棉不去雄人工制种技术研究

选用具有叶基无红斑这个隐性指示性状的棉花品种作母本,用具有相对显性性状的常规品种作父本,结合"柱头套管法"进行杂交棉不去雄人工制种,以人工去雄制种作对照,对两种制种方法的成铃率和异交率及杂交种子的部分农艺性状作了比较研究. 试验结果表明,用不去雄"柱头套管法"制种的异交率比人工去雄法的低8.4%,但前者的成铃率比后者的高6.6%,单铃种子重和单铃种子数分别比后者的重0.37 g,多3.16粒.     

具有有限铁磁层厚度的磁性双隧道结中的隧穿电导和磁电阻

在FM／I／NM／I／FM磁性双隧道结研究的基础上，进一步考虑了外加有限厚的非磁金属(NM)覆盖层的情况，这时磁性双隧道结的结构变为NM／FM／I／NM/I／FM／NM。此处，FM、I和内NM都具有有限厚度。而在理论处理中，外NM被看做是无限厚的，对FM厚度于磁性双隧道结中自旋极化电子输运性质(特别是隧穿磁电阻)的影响做了研究。用Slonczewski近自由电子模型所得到的计算结果表明，附厚度的变化会引起隧穿电阻和隧穿磁电阻振荡；当FM厚度取适当值时，会得到比FM/I／NM／I／FM更大的隧穿磁电阻。     

应变SrTiO_3/GaAs异质结的整流特性研究

采用脉冲激光沉积法在P型GaAs基片上制备了缺氧的钛SrTiO3薄膜.X射线衍射测量证明SrTiO3薄膜外延生长.I-V曲线测量显示很好的整流性,说明该SrTiO3薄膜与GaAs形成p-n结.该结的电输运机制为应变导致的隧穿电流,且其电输运性质不受光照影响.     

磁性隧道结自旋极化电子隧穿的温度特性

基于自由电子模型,我们研究了铁磁金属／绝缘体（半导体）／铁磁金属隧道结自旋极化电子隧穿的温度特性。从我们的结论可以定性地解释有关的实验现象。