茶叶渣负载羟基氧化铁的制备、表征及吸附性能的研究

以氯化铁和茶叶渣为原料,采用水解中和法制备了茶叶渣负载羟基氧化铁复合材料,利用傅立叶红外光谱仪对其进行表征,并测定其比表面积、吸附性能、表面酸碱性及在水溶液中的分散性能。实验结果表明,Fe-O键的特征吸收峰从895cm-1偏移到841cm-1,这是因为FeOOH中的官能团和茶叶中的成份发生相互作用,说明FeOOH确实被茶叶渣所负载。复合材料的比表面积为482.895 m2/g,吸附水中的Cr(VI)可达95.97%,复合材料的等电点pH值为9.8,改变材料的添加量和离子浓度其等电点不变,并且随复合材料加入量的增多,溶液pH缓冲能力越强,二者之间成正比。     

从税收基本原则谈我国房产税改革

从房地产市场调节及财税改革角度看,房产税改革已势在必行,但改革过程中必须处理好合法性及公平性问题.2011年1月28日,房产税征收试点工作在上海市和重庆市正式开启,但国务院将税收立法权转授权给地方政府有悖税收法定原则,而且立法效力位阶过低;根据两市暂行办法的内容,其征收对象范围过窄,显然也不符合税收公平的原则.     

非负曲率空间形式中常高阶平均曲率的子流形

研究非负曲率空间形式Sn+1(c)(c0)中的常高阶平均曲率的n维等距浸入紧致闭子流形Mn,所得结果定理A在对第二基本型模长平方的一个拼挤条件下改进了这方面的有关定理.     

SiO2沟槽晶圆片在快速热处理中的温度分布

采用传导与辐射耦合传热模型,对快速热处理工艺中晶圆片内传热过程进行了数值模拟,研究了SiO2沟槽宽度和沟槽排列密度对晶圆片温度分布的影响.结果表明:在SiO2沟槽宽度相同的情况下,沟槽排列密度越大,晶圆片总的温度水平越高,但对温度均匀性几乎没有影响.这是由于沟槽排列密度增大使得晶圆片表面中SiO2所占份额增加,晶圆片表面总的吸收系数增大,吸收的入射辐射能增多,从而使温度水平提高.在SiO2沟槽排列密度相同的条件下,沟槽宽度的变化对于晶圆片总的温度水平和温度均匀性几乎没有影响.     

Wollaston棱镜分束角的光谱特性对成像系统的影响

Wollaston棱镜广泛应用于高性能的光学仪器的成像系统中.本文在研究Wollaston棱镜的分束角随入射光波长变化规律的基础上,通过利用Origin软件,从理论上分析了Wollaston棱镜分束角的光谱特性对成像系统的影响,从而得出了相干平面的出离量与入射光波长之间的关系.结果表明:Nomarski偏振光干涉仪相干平面的出离量随着入射光波长的增大而相应的增加.相干平面的出离量与其它各参量之间存在函数关系,据此,用计算机编程的方法可以很容易的调整光路中透镜的相对位置,从而获得清晰的瞬态过程干涉图.     

基于减少路表径流污染的多孔沥青混合料设计

在明确路表径流污染主要评价指标的基础上,确定了可减少路表径流量的沥青混合料的目标空隙率,继而从多孔沥青混合料组成设计出发,研究不同空隙结构沥青混合料控制径流污染的效能和力学性能,从而提出多孔沥青混合料材料设计要点,为今后设计生态环保型透水路面提供参考。     

土地产权结构安排对农业经济生产率的影响

借助于土地产权结构安排理论和一个新兴古典经济学模型,指出不同土地产权结构安排会使得无论是农业生产者还是土地等生产性资源要素都具有不同的安排和配置方式,土地产权结构安排越是具体到个体劳动者,来自于人力资源配置和资源配置的优化越会导致更高效率的经济。     

关于不等式几种常见证明方法的探究

不等式的证明方法灵活多样,技巧性较强．通过对比较法、综合法、分析法、放缩法、反证法、函数法、积分法几种较为常见方法的阐述,为证明不等式提供了一些借鉴．     

具有Perron-Frobenius性质矩阵非主特征值的上界

提出具有常行和的矩阵,讨论其特征值的界,进而给出具有Perron-Frobenius性质矩阵的非主特征值的一个上界.并给出数值例子说明结果的有效性.     

掺杂方式对Mg：Ba0．3Sr0．7Zr0．18Ti0．82O3陶瓷微结构及性能的影响

采用溶-凝胶法制备Mg：Ba0．3Sr0．7Zr0．18Ti0．82O3陶瓷粉末,以传统陶瓷制备工艺制备Mg元素掺杂的Mg：Ba0．3Sr0．7Zr0．18Ti0．82O3陶瓷．研究MgO掺杂量为1．6％（质量分数）时,MgO固相掺杂和Mg计湿化学法掺杂两种不同的掺杂方式对Mg掺杂的Mg：Ba0．3Sr0．7Zr0．18Ti0．82O3陶瓷显微结构及电学性能的影响．研究结果表明,当Mg掺杂量相同时,掺杂方式对Mg掺杂的Mg：Ba0．3Sr0．7Zr0．18Ti0．82O3。陶瓷的显微结构和电学特性有显著的影响,相比纯的Mg：Ba0．3Sr0．7Zr0．18Ti0．82O3陶瓷,两种掺杂方式中,Mg2＋湿化学法掺杂相对于MgO固相掺杂,在BSZT陶瓷中的分布更均匀,替位程度更高,所以其对介电常数的影响也相对更大．而MgO固相掺杂相对于Mg2＋湿化学法掺杂明显地促进了陶瓷晶粒的生长,提高了陶瓷的致密性,同时其击穿电场和电阻率也有较大提高．1350℃下烧结的固相MgO掺杂的Mg：Ba0．3Sr0．7Zr0．18Ti0．82O3陶瓷性能较优,介电常数约为590,介电损耗低于0．0005,电阻率为7．78×10^13Ω·mm,击穿场强为6．56kV／mm．