全文获取类型
收费全文 | 886篇 |
免费 | 21篇 |
国内免费 | 75篇 |
专业分类
系统科学 | 3篇 |
丛书文集 | 38篇 |
教育与普及 | 47篇 |
现状及发展 | 16篇 |
综合类 | 878篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 10篇 |
2022年 | 18篇 |
2021年 | 22篇 |
2020年 | 12篇 |
2019年 | 11篇 |
2018年 | 8篇 |
2017年 | 6篇 |
2016年 | 4篇 |
2015年 | 12篇 |
2014年 | 31篇 |
2013年 | 27篇 |
2012年 | 28篇 |
2011年 | 30篇 |
2010年 | 34篇 |
2009年 | 36篇 |
2008年 | 35篇 |
2007年 | 40篇 |
2006年 | 36篇 |
2005年 | 35篇 |
2004年 | 30篇 |
2003年 | 38篇 |
2002年 | 61篇 |
2001年 | 53篇 |
2000年 | 26篇 |
1999年 | 30篇 |
1998年 | 23篇 |
1997年 | 41篇 |
1996年 | 26篇 |
1995年 | 36篇 |
1994年 | 24篇 |
1993年 | 28篇 |
1992年 | 34篇 |
1991年 | 30篇 |
1990年 | 30篇 |
1989年 | 19篇 |
1988年 | 8篇 |
1987年 | 7篇 |
1984年 | 1篇 |
排序方式: 共有982条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
280kV全离子注入机由处于高压舱内的离子源、磁分析器及其与高压电极相连的加速管、四极透镜、扫描装置和靶室等部件组成,如图1所示.从离子源引出的离子束先经磁分析器分选,经高压加速系统使带电粒子加速到一定能量后,再经四极透镜传输到扫描系统,最后轰击到靶... 相似文献
72.
73.
朱慧珑 《北京师范大学学报(自然科学版)》1990,(3):60-64
给出了在离子注入过程中金属间化合物生长的一个数学模型。在准静态近似下,利用分区处理和引入快、慢变量的方法,给出了该模型的近似解。得到了生长速率与微缺密度、注量率、热发射率之间的定量关系。 相似文献
74.
本文介绍氩、硼离子注入的增强退火效应.四探针测试显示在500℃左右有低的薄层电阻R值,SEM观察和拉曼谱观察表明,注入区的晶格损伤得到了很好的恢复. 相似文献
75.
Co2+:ZnSiF6·6H2O的g因子随压力变化的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
通过Co2+:ZnSiF6·6H2O的g因子随压力变化的实验数据和晶体结构数据,确定了以压力作为参量的状态方程,并采用完全对角化方法,研究了Co2+:ZnSiF6·6H2O的g因子随压力变化的行为,理论结果和实验值符合得很好. 相似文献
76.
研究了具有不同厚度Ni过渡层的Co5.0nm/Cu3.5nm/Co5.0nm三明治膜的巨磁电阻效应,发现Ni过渡层可以大大地提高材料的灵敏度。不同程度Ni过渡层的Co/Cu/Co三明治膜的磁电阻值在3.5%和5.6%之间,相应的矫顽力在0.95kA/m附近。因此,材料的灵敏度最大可以达到39%kA.m^-1。原子力显微镜给出的表面形貌表明Ni过渡层提高了材料的平整度,从而导致大的巨磁电阻值。而电阻 相似文献
77.
对于GaAs衬底(100)面上用金属有机物气相淀积(MOCVD)技术外延生长的GaInP/GaInAsP 单量子阱,在室温下进行0.28 MeV的Zn 离子注入,选用的注量从1×1014~5×1014 cm-2.通过双晶X射线衍射光谱测量,定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变.实验结果表明在所选用的注量下,由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非弛豫应变值0.038,说明在这样的注入条件下,注入区的结晶态仍然保持地比较好.在较高注量下应变达到饱和,应变的饱和说明缺陷的产生和复合达到了平衡,从而形成了均衡的应变场分布. 相似文献
78.
回顾了本小组近年来利用α粒子注入技术和透射电镜研究316L不锈钢中氦泡形成行为的成果。 相似文献
79.
80.
在晶体场理论基础上,考虑到掺杂离子引起晶休局域结构畸变和利用Co ̄(2+)离子的3d轨道函数,研究了八配位立方晶体CdF2和CaF2中掺杂Co ̄(2+)离子的d-d电子光谱和EPR_g因子.研究表明,局域结构畸变对g因子的影响不应忽略。 相似文献