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71.
280kV全离子注入机由处于高压舱内的离子源、磁分析器及其与高压电极相连的加速管、四极透镜、扫描装置和靶室等部件组成,如图1所示.从离子源引出的离子束先经磁分析器分选,经高压加速系统使带电粒子加速到一定能量后,再经四极透镜传输到扫描系统,最后轰击到靶...  相似文献   
72.
73.
给出了在离子注入过程中金属间化合物生长的一个数学模型。在准静态近似下,利用分区处理和引入快、慢变量的方法,给出了该模型的近似解。得到了生长速率与微缺密度、注量率、热发射率之间的定量关系。  相似文献   
74.
本文介绍氩、硼离子注入的增强退火效应.四探针测试显示在500℃左右有低的薄层电阻R值,SEM观察和拉曼谱观察表明,注入区的晶格损伤得到了很好的恢复.  相似文献   
75.
Co2+:ZnSiF6·6H2O的g因子随压力变化的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
通过Co2+:ZnSiF6·6H2O的g因子随压力变化的实验数据和晶体结构数据,确定了以压力作为参量的状态方程,并采用完全对角化方法,研究了Co2+:ZnSiF6·6H2O的g因子随压力变化的行为,理论结果和实验值符合得很好.  相似文献   
76.
研究了具有不同厚度Ni过渡层的Co5.0nm/Cu3.5nm/Co5.0nm三明治膜的巨磁电阻效应,发现Ni过渡层可以大大地提高材料的灵敏度。不同程度Ni过渡层的Co/Cu/Co三明治膜的磁电阻值在3.5%和5.6%之间,相应的矫顽力在0.95kA/m附近。因此,材料的灵敏度最大可以达到39%kA.m^-1。原子力显微镜给出的表面形貌表明Ni过渡层提高了材料的平整度,从而导致大的巨磁电阻值。而电阻  相似文献   
77.
对于GaAs衬底(100)面上用金属有机物气相淀积(MOCVD)技术外延生长的GaInP/GaInAsP 单量子阱,在室温下进行0.28 MeV的Zn 离子注入,选用的注量从1×1014~5×1014 cm-2.通过双晶X射线衍射光谱测量,定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变.实验结果表明在所选用的注量下,由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非弛豫应变值0.038,说明在这样的注入条件下,注入区的结晶态仍然保持地比较好.在较高注量下应变达到饱和,应变的饱和说明缺陷的产生和复合达到了平衡,从而形成了均衡的应变场分布.  相似文献   
78.
回顾了本小组近年来利用α粒子注入技术和透射电镜研究316L不锈钢中氦泡形成行为的成果。  相似文献   
79.
80.
在晶体场理论基础上,考虑到掺杂离子引起晶休局域结构畸变和利用Co ̄(2+)离子的3d轨道函数,研究了八配位立方晶体CdF2和CaF2中掺杂Co ̄(2+)离子的d-d电子光谱和EPR_g因子.研究表明,局域结构畸变对g因子的影响不应忽略。  相似文献   
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