过氧杂多化合物的合成与催化性能(Ⅰ)──Dawson结构的过氧钽杂多化合物的合成与表征

合成了过氧磷钨杂多酸盐α２Ｋ７－ｍＨｍ［Ｐ２Ｗ１７（ＴɑＯ２）Ｏ６１］·ｘＨ２Ｏ（Ｍ＝Ｋ,ＴＭＡ,ＴＥＡ,ＴＢＡ）,并且用极谱－循环伏安、ＩＲ、ＵＶ吸收光谱、ＸＰＳ、ＸＲＤ、３１ＰＮＭＲ、１８３ＷＮＭＲ谱进行表征     

基于WWW信息系统的连接技术及其一种实现

对两层客户机／服务器（ｃｌｉｅｎｔ／ｓｅｒｖｅｒ）结构与客户机／服务器／服务器３ 层体系结构进行了比较和分析,讨论了目前采用 Ｗ Ｗ Ｗ 技术的信息系统的一些常用连接技术,重点阐述了 Ｃｏｌｄ Ｆｕｓｉｏｎ这样一种简捷、高效的连接技术,并用 Ｃｏｌｄ Ｆｕｓｉｏｎ 实现了一个 Ｗ Ｗ Ｗ 上的应用系统     

非晶态镍磷和镍钨磷双层复合镀膜的耐蚀性能研究

主要对比研究了镍磷镀膜,镍钨磷镀膜以及镍磷和镍钨磷双层复合镀膜的耐蚀性能,分别进行了各镀膜的盐雾腐蚀试验和各镀膜的阳极化曲线的测定,然后根据实验结果,对比分析了以上三种镀膜的耐蚀性能。实验结果表明非晶态镍磷及镍钨磷双层复合镀膜的耐蚀性能优于其他两种镀膜的耐蚀性能。     

关于W~n-模和n级合冲模的一个结果

该文给出了凝聚环Ｒ上,当ＦＰ－ ｉｄＲＲ≤１ 和ＦＰ－ ｉｄＲＲ ≤１ 时,Ｗｎ － 模和ｎ级合冲模之间的一个结果,从而改进了文［１］ 中命题３４。     

W-Cu合金中Cu相纯度对热导的影响

为了探讨提高ＷＣｕ合金热导（ＴＣ值）的途径,采用４种不同纯度的铜,用熔渗工艺制备Ｗ１５Ｃｕ（质量分数,％）复合材料试样,并用ＣＯ２激光仪测试熔渗试样的ＴＣ值．研究发现,铜相纯度的微小变化对ＷＣｕ合金的ＴＣ值产生重大影响．并对铜相纯度影响ＷＣｕ合金ＴＣ值的机制进行分析和探讨．实验证明,用９９．９％的铜,并用适当的熔渗工艺,可以得到ＴＣ值为２００Ｗ·ｍ－１·Ｋ－１的Ｗ１５Ｃｕ合金．     

无砟轨道W1型弹条疲劳性能的试验研究

高速铁路弹条在实际工作中会承受反复多变的载荷作用,随着时间累积,弹条会发生疲劳断裂。为研究高速铁路弹条(W1型弹条)在载荷作用下的疲劳性能和疲劳寿命,将W1型弹条放置于MTS810伺服液压试验机上进行载荷分别为(25±7.5) kN、(25±10) kN、(25±12.5) kN 3种试验方案的疲劳试验,首先通过疲劳试验数据计算弹条的疲劳可靠度寿命和疲劳寿命,绘制W1型弹条在不同可靠度下的载荷与疲劳寿命(lgF_a-lgN)直线并对其进行线性拟合,根据不同可靠度的要求,可以计算和预测W1型弹条在3种试验方案下的疲劳寿命,然后对弹条断口进行电镜扫描分析,得出弹条断裂类型为韧性断裂。     

W/Hf摩尔比对HfB_2-WB_2-Si/SiC-SiC_(NW)复合涂层抗氧化性能的影响

为了提高C/C复合材料高温抗氧化性能,依次采用前驱体浸渍裂解、反应熔体浸渗和浆料涂刷工艺在C/C复合材料表面制得HfB_2-WB_2-Si/SiC-SiC_(NW)复合涂层,考察了W/Hf摩尔比对复合涂层物相组成、微观结构及抗氧化性能的影响。结果表明,当W/Hf摩尔比为2∶3时,所制HfB_2-WB_2-Si/SiC-SiC_(NW)复合涂层组织均匀、结构致密,表现出最佳的抗氧化性能。在涂层氧化过程中,WO_3的分相效应和HfSiO_4等高熔点颗粒的钉扎效应共同作用能使涂层表面氧化物玻璃相具有较高热稳定性和较低的氧扩散率,有利于提高涂层的抗氧化性能。     

反胶束、W/O微乳液的特性及其萃取机理

概述了反胶束、W／O微乳液的定义和特性;介绍了反胶束、W／O微乳液萃取金属离子的三种机理．     

Keggin型多金属氧酸盐Cs3PMo12O40·12H2O纳米粒子的微乳液法的制备

在二(2-乙基己基)磺基琥珀酸钠/ n-C7H16H2O(AOT)微乳液体系中制备出Keggin型多金属氧酸盐Cs3PMo12O40·12H2O纳米粒子,由透射电镜照片观察到这种球形纳米粒子的平均尺寸为60 nm.当杂多酸阴离子PMo12O3-40的浓度增大到50 mol/ m3时,粒子直径增加到200 nm.IR光谱和X射线粉末衍射测定结果表明:纳米粒子中的PMo12O3-40阴离子仍然保持Keggin结构,并且这些纳米粒子的固相为结晶态.     

IWO缓冲层对MOCVD-ZnO:B薄膜性能的影响研究

金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的绒面ZnO透明导电(ZnO-TCO)薄膜应用于Si基薄膜太阳电池上能够形成"陷光结构",以提高薄膜太阳电池效率和稳定性。本文将电子束反应蒸发技术生长的掺W的In2O3(In2O3:W,(IWO)薄膜作为缓冲层,应用于MOCVD-ZnO:B薄膜与玻璃之间,可促进ZnO:B薄膜的生长,并且有效提升薄膜的光散射特性。当IWO缓冲层厚度为20nm时,获得的IWO/ZnO:B薄膜的电阻率为2.07×10-3Ω.cm,迁移率为20.9cm2.V-1.s-1,载流子浓度为1.44×1020 cm-3;同时,薄膜具有的透过率大于85%,且在550nm处绒度较ZnO:B薄膜提高了约9.5%,在800nm处绒度较ZnO:B薄膜提高了约4.5%。