首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   15694篇
  免费   584篇
  国内免费   1071篇
系统科学   277篇
丛书文集   533篇
教育与普及   80篇
理论与方法论   14篇
现状及发展   374篇
综合类   16067篇
自然研究   4篇
  2024年   24篇
  2023年   76篇
  2022年   157篇
  2021年   169篇
  2020年   194篇
  2019年   185篇
  2018年   197篇
  2017年   257篇
  2016年   308篇
  2015年   412篇
  2014年   640篇
  2013年   476篇
  2012年   868篇
  2011年   981篇
  2010年   852篇
  2009年   1029篇
  2008年   997篇
  2007年   1289篇
  2006年   1124篇
  2005年   963篇
  2004年   868篇
  2003年   771篇
  2002年   636篇
  2001年   525篇
  2000年   497篇
  1999年   497篇
  1998年   308篇
  1997年   313篇
  1996年   250篇
  1995年   235篇
  1994年   208篇
  1993年   203篇
  1992年   192篇
  1991年   172篇
  1990年   132篇
  1989年   122篇
  1988年   87篇
  1987年   63篇
  1986年   37篇
  1985年   27篇
  1984年   5篇
  1981年   1篇
  1980年   1篇
  1955年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
171.
MgB2 superconducting films have been successfully fabricated on single crystal MgO(111) and c-AL2O3 substrates by different methods. The film deposited by pulsed laser deposition is c-axis oriented with zero resistance transition temperature of 38.4 K, while the other two films fabricated by chemical vapor deposition and electrophoresis are c-axis textured with the zero resistance transition temperature of 38 K and 39 K, respectively. Magnetization hysteresis measurements yield critical current density Jc of 107 A/cm2 at 15 K in zero field for the thin film and of 105 A/cm2 for the thick film. For the thin film deposited by chemical vapor deposition, the microwave surface resistance at 10 K is found to be as low as 100 μΩ, which is comparable with that of a high-quality high-temperature superconducting thin film of YBCO.  相似文献   
172.
A DFT study on the reactions between CH3C(O)O2 and HO2 radicals has been carried out. It is suggested that both the triplet and singlet potential surfaces involve a complex mechanism with the formation of loosely bound intermediate complexes of reactants and products. The reaction prefers to occur on the triplet surface to produce peracetic acid (CH3C(O)O2H) and triplet O2 molecule. The CH3C(O)O2H can further convert into CH3C(O)O and HO radicals.  相似文献   
173.
介质阻挡放电与介质阻挡电晕放电用于空气脱硫的比较   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用同轴管状反应器产生介质阻挡放电,采用同轴线管反应器产生局部电晕放电及介质阻挡电晕放电,研究介质阻挡放电与介质阻挡电晕放电在放电特性与脱硫能耗上的差异.根据V qLissajous图形计算了放电功率、气隙电压及电场强度分布.研究结果表明,相同外施电压下同轴管状反应器比同轴线管反应器具有更高的放电电流,同轴线管反应器中脱除SO2的能量利用率可达31g/kW·h,而在同轴管状反应器中能量利用率可达39g/kW·h.根据气隙放电时电场强度的分布解释了脱硫能量利用率的变化.  相似文献   
174.
合成了N,N-二(2-苯并咪唑亚甲基)胺(N3)的高氯酸盐,对其进行了元素分析及紫外和红外表征,并采用X射线衍射方法测定了该化合物的晶体结构.依据晶体结构的配体模型(a)和分子力学方法所获最低能量构象的配体模型(b),使用Gaussian94程序对2个模型进行了量子化学计算,并对计算结果进行了比较.结果表明,配体N3的2个非质子化的氮原子和胺基氮原子对最高占有轨道的贡献高于最低空轨道的贡献.这说明,这些原子易于提供电子,可以将配体作为组氨酸较理想的模型物用来合成SOD模型化合物.  相似文献   
175.
基于MATLAB扩展HL-2ADAS数据处理的两种方法及其比较   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了HL-2A DAS数据处理软件中,实现数据处理与图形功能扩展的两种方法.一种是以MATLAB作为主要平台,以C Builder作为接口工具实现数据的复杂处理与图像处理.另一种是用C Builder作为主要平台,调用MATLAB引擎实现数据与图像处理.这两种方法是以MATLAB为主要工具,从不同的角度入手,采用了不同的编程思想.分析了这两种程序开发策略在HL-2A DAS中的运用情况及性能比较.  相似文献   
176.
利用氧弹燃烧热法测定物质燃烧热原理,对氧弹量热计进行改造,用自编的计算机程序进行数据处理,测定了金属钠与水反应的反应热,实验结果与理论值基本一致,相对误差为4.62%。  相似文献   
177.
MoVTeO/SiO2催化剂上丙烷选择氧化制丙烯醛   总被引:2,自引:0,他引:2  
用浸渍法制备了一系列不同组成的MoVTeO/SiO2催化剂,并用XRD、TPR和催化剂性能评价等方法考察了催化剂的物相结构、氧化还原性质及其对丙烷选择氧化制丙烯醛反应的催化性能.结果表明,由于组份之间的相互作用,MoO3的分散度提高,还原温度降低,且其某些晶面可能部分重构或被其它组份覆盖,因而有利于催化活性的提高和丙烯醛的生成.在考察的不同催化剂组成中,(Mo V Te)/Si原子比为6%的MoV0.2Te0.1/SiO2催化剂具有最佳的反应性能.反应条件对催化剂性能的影响说明,在丙烷选择氧化制丙烯醛反应中,丙烯为反应的中间物种.  相似文献   
178.
超细粉结合超低水泥耐火浇注料,具有良好高温性能,成本较低,但抗热震性能不理想.莫来石结合锆刚玉浇注料含有较多ZrO2(30%以上),耐高温抗热震,抗蚀性能优良,但其成本高,除特殊情况外,难于大批量推广应用,耐火浇注料(Al2O3)中引入少量ZrO2可以大幅度改善耐火浇注料抗热震性能,且成本增幅不大。  相似文献   
179.
利用M-200型磨损试验机考察了MoSi2-淬火45针仪分析讨论其磨损机理.结果表明:润滑油明显改善了MoSi2材料的摩擦学性能;MoSi2与淬火45#钢对摩在120~150 N载荷范围内表现出较好的摩擦磨损综合性能;其磨损机制主要表现为疲劳磨损、磨粒磨损和轻微粘着磨损.图4,参10.  相似文献   
180.
在UB3L YP/6-311 G(d,P)、UB3L YP/6-311 G(3df,2p)、UB3L YP/AUG-CC-PVTZ,UQCISD/6-311 G(d,p)水平优化得到了N2S2单、三重态的平衡几何构型,发现单重态N2S2为能量最低的稳定分子。用优化的最稳定单重态N2S2结构在UB3L YP/6-311 G(d,p)//UB3L YP/6-311 G(d,P),UB3L YP/6-311 G(3df,2p)//UB3L YP/6-311 G(3df,2p)计算同键反应芳香性稳定化能(HASE)。用基团加和法(group increment approach)在UB3L YP/6-311 G(d,P)//UB3L YP/6-311 G(d,P)和UB3L YP/6-311 G(3df,2p)//UB3L YP/6-311 G(3df,2p)水平计算磁化率增量(A),计算结果表明N2S2分子的键长发生了平均化。同键反应芳香性稳定化能和磁化率增量均为负值.表明N2S2具有芳香性.实现了N2S2分子芳香性的几何、能量和磁性的判定.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号