CdTe@SiO2@GdF3荧光/磁共振成像双功能微球的制备和表征

利用改良的Stber法合成CdTe@SiO₂微球, 直接沉淀法制备CdTe@SiO₂@GdF₃核壳结构的荧光/磁共振成像双功能微球, 并 用透射电镜(TEM)、 能量散射X射线光谱(EDXA)、 磁共振成像(MRI)、 Fourier变换红外光谱(FT-IR)和荧光光谱等方法对其结构、 磁共振成像和发光性能进行表征. 实验结果表明: 合成的微球具有明显的球形核壳结构, 大量的GdF₃以小颗粒形态均匀分散于SiO₂表层, 颗粒尺寸为5~8 nm; 在CdTe@SiO₂@GdF₃微球表面可检测到Si,O和Gd元素, 即Gd已掺杂到CdTe@SiO₂材料中; 相对于CdTe量子点, CdTe@SiO₂@GdF₃微球荧光发射光谱发生红移, 但仍具有良好的荧光性能; CdTe@SiO₂@GdF₃微球的弛豫参数     

Cd类核壳型纳米粒子的制备及表征

以巯基乙酸为稳定剂,在水溶液中合成CdSe和CdTe及CdSexTe1-x核纳米粒子,用ZnS纳米粒子包覆核纳米粒子,制备出水溶性CdSe/ZnS和CdTe/ZnS及CdSexTe1-x/ZnS核壳型纳米粒子.用荧光光谱、高倍透射电镜等技术对核纳米粒子及核壳纳米粒子进行表征,以荧光光谱研究了时间、稳定剂用量等因素对核壳型纳米粒子光谱特性的影响.     

CdTe量子点作探针共振瑞利散射法测定藻酸钠

以巯基乙胺(cysteamine,CA)作为稳定剂,在水相中合成CA-CdTe QDs,形成带正电的聚合体.在弱酸性条件下,带正电的CA-CdTe量子点聚合体与带负电的藻酸钠(Sodium Alginate,SA)通过静电引力和疏水作用力结合形成粒径较大的聚合体,聚合体的形成导致共振瑞利散射(resonance Rayleigh scattering,RRS)强度显著增大,在一定实验条件下,散射强度的增强(△I)与藻酸钠的浓度成正比.RRS方法灵敏、简便、快速,可用于面粉中藻酸钠的痕量分析.     

CdTe薄膜的微观结构分析

应用真空蒸发技术制备CdTe薄膜,并借助于扫描电子显微镜（SEM）、扫描俄歇谱仪（AES）和X射线衍射仪（XRD）对其微观结构进行分析。主要研究了不同工艺条件、不同原子配比、以及不同掺杂浓度下制得的CdTe薄膜的结构、物相,研究结果表明：以Cd:Te=0.9:1原子配比制得的CdTe薄膜具有最佳的结晶度和组分计量比;掺杂会使CdTe薄膜的结构、物相有所改变。     

CdTe量子点荧光猝灭法测定恶霉灵

以谷胱甘肽为稳定剂水相合成了CdTe量子点,研究了恶霉灵对量子点荧光性能的影响.结果表明恶霉灵可使CdTe量子点的荧光猝灭,且猝灭的强度与恶霉灵的浓度呈正比.在最佳条件下,恶霉灵浓度在2.0×10-7mol/L~8.0×10-6mol/L范围内与CdTe量子点荧光猝灭强度呈良好的线性关系.将CdTe量子点荧光猝灭法用于土壤中恶霉灵的测定,结果令人满意,这为恶霉灵的测定提供了新的方法.     

CdTe/聚乳酸纳米杂化材料的制备及其荧光性能

以十二烷基胺(DDA)为表面修饰剂,将巯基水相法合成的CdTe纳米晶转移至有机溶剂三氯甲烷中,然后采用“物理共混法”实现了CdTe/聚乳酸(CdTe/PLA)纳米杂化材料及其透明荧光膜的制备.通过紫外-可见光谱仪(UV -vis)、荧光(PL)、紫外透射反射分析仪等表征方法考察相转移前后CdTe纳米晶的光学性能,并系统研究了CdTe/PLA纳米杂化材料的荧光性能.结果表明:相转移后CdTe纳米晶的粒径未发生明显变化,其量子产率却提高了;所制备的CdTe/PLA纳米杂化材料具有优越的荧光性能,CdTe纳米晶在聚合物中仍然保持良好的分散性和较好的量子尺寸效应.     

制备CdTe多晶薄膜升温过程的研究

采用近空间升华沉积法CSS(Close space sublimation),在3种不同升温过程中沉积制备CdTe多晶薄膜,通过实验数据作出其升温曲线,采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、微电流高阻计等方法对沉积膜的性能进行测试分析.研究了在CSS法中控制升温过程对CdTe生长沉积机制及其沉积质量的影响.结果表明升温过程对CdTe多晶薄膜的沉积过程有重要的影响.其中,以氢气刻蚀后拉开衬底与升华源之间的设定温差,并保持固定温差至设定温度的升温过程的沉积质量最佳.     

牛血清白蛋白修饰水溶性CdTe量子点及分析应用

以巯基乙酸为稳定剂,采用水热法合成了CdTe 量子点,用牛血清白蛋白改变量子点的表面修饰状态并通过荧光发射光谱研究了溶液pH、温度和离子强度对表面修饰产生的影响.结果表明,CdTe量子点在502 nm处有吸收,在538 nm处有荧光发射,经牛血清白蛋白对其表面修饰后,吸收峰位不变,但吸光强度升高;荧光发射峰位不变,荧光显著增强.在优化的反应条件下,牛血清白蛋白质量浓度在0.05~1.0 mg/L范围内与荧光增加值呈线性关系,检出限为0.011 7 mg/L。以缓冲溶液为基底牛血清白蛋白含量测定获得满意结果.     

CdCl_2热处理对CdS/CdTe界面扩散和界面反应的影响研究

采用在CdTe薄膜太阳能电池结构Glass/FTO/CdS/CdTe基础上制备的Glass/FTO/CdS/CdTe/CdS体系,通过XRD,SEM,Raman,XPS研究了不同温度CdCl2空气热处理对CdS/CdTe界面互扩散、界面反应和重结晶过程的影响.研究表明,样品的表面形貌在不同温度热处理后有剧烈的差异,经300～350℃热处理后,CdS晶粒从室温时的20nm迅速增大至70nm左右,这与CdS从立方相到六方相的相变温度符合.CdS/CdTe界面在350℃左右就开始比较明显地互扩散,550℃时界面已生成具有六方纤锌矿结构的CdS0.85Te0.15.CdS因与CdTe的相互扩散并生成CdSxTe1-x而被迅速消耗.450℃以上CdS/CdTe界面部分被氧化生成CdTeO3.拉曼光谱中CdS的1LO峰在350℃左右由强变弱同时向低波数移动表明开始生成CdSxTe1-x.光电子能谱验证了CdSxTe1-x和CdTeO3在热处理过程中的形成.CdCl2防止了界面的氧化和促进了CdS/CdTe界面扩散以及CdSxTe1-x的生成.     

固体基质室温磷光免疫法测定胃泌素与人体疾病诊断

CdTe量子点（CdTe-QDs）标记胃泌素抗体（AbGAs）的产物（CdTe-QDs-AbGAs）不仅能保持CdTe-QDs的RTP优良特性。而且还可作为磷光传感器与胃泌素（GAS）发生高特异性的免疫反应,生成的免疫反应产物（GAS-AbGAs-CdTe-QDs片致体系的A／p剧烈增加,并且与GAS含量成线性关系。据此建立了CdTe-QDs-AbGAs磷光传感器固体基质室温磷光免疫法（SSRTPIA）测定GAS的新方法．这种高特异性的、准确的、选择性好的、灵敏的传感器用于生物样品中GAS含量的测定及人体疾病的诊断,结果与放射免疫法相吻合．