水相法合成巯基乙酸和L-半胱氨酸稳定的CdTe纳米棒

提出一种以水相法合成巯基乙酸和L-半胱氨酸稳定的CdTe纳米棒的简单路线.在pH=11.0的反应条件下,产物的荧光量子效率最高,达到30.67%.考察了反应条件对产物的荧光性能的影响及产物在不同pH溶液中的稳定性.     

CdS／CdTe异质结太阳电池极限效率的计算

讨论了Cds／CdTe异质结的电流电压特性，研究了Cds／CdTe太阳电池在AMl．5太阳光谱辐射下的转换效率，给出了不计所有损失的理想极限情况下，其电池转换效率可达27％。同时讨论了考虑部分材料参数影响的条件下，实际CdS／CdTe太阳电池的转换效率，在所选定的参数下为23％，从近期实际制备的CdS／CdTe太阳电池的进展，以及较为合理的理论推论和分析来看，此效率将有可能达到。     

镍与金背电极的CdTe太阳电池的性能对比

通过对比实验，研究了用Au和Ni作为背电极对CdTe太阳电池性能的影响和机理．用Ni替代Au作为背电极后的CdTe太阳电池短路电流密度有所增加，最大增幅达到40．31％，导致电池的转换效率增加，最大增幅达到30．57％．分析认为，用Ni替代Au作为背电极后能提高短路电流密度的主要原因在于光生电流密度大大增加．用Ni替代Au作为CdTe太阳电池的背电极，可以将电池的转换效率提高至少一个百分点．     

酸性介质中TeCd阴极沉积和阳极溶出过程的EQCM研究

运用电化学循环伏安和石英晶体微天平（EQCM）方法研究了酸性介质中CdTe在Pt电极上阴极沉积和阳极溶出过程．结果表明：在含或不合Cd的TeO2溶液中，本体Te沉积的机理不同，但阳极溶出过程相类似；在实验条件下，只有当阴极电位小于．0．2V时，方可发生CdTe电沉积，其阴极电沉积和阳极溶解都是一个3．电子过程，并提出了CdTe电沉积和阳极溶出过程的机理．本文从电极表面质量定量变化的角度提供了CdTe阴极沉积和阳极溶出过程的新数据．     

GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格结构

用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg Te层厚度及垒 Hg1-x Cdx Te层厚度与模拟计算的相一致 .用透射电子显微镜 ( TEM)对同一样品的横截面进行了分析 ,对 Cd Te/Zn Te/Ga As异质结界面失配位错的组态特征进行了研究 .证明用 Cd Te/Zn Te作为双缓冲层比单一的 Cd Te有较好的效果 .截面 TEM高分辨率明场象显示 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格的生长较为成功 ,界面较为平整 .由截面 TEM高分辨率明场象观测的周期长度与 X-射线衍射测定的结果相接近     

大面积CdS薄膜的沉积及其性质研究

采用化学水浴法(CBD)在30 cm x 40 cm TCO衬底上沉积了CdS多晶薄膜,研究了薄膜性质,并应用于太阳能光伏电池,制成了许多独立的小面积CdS/CdTe薄膜太阳电池.结果表明:刚沉积的CdS多晶薄膜性质具有较好的均匀性,适宜于制作大面积CdS/CdTe薄膜太阳电池组件.     

退火对大面积CdTe多晶薄膜薄膜的影响

对近空间升华法制备的大面积（30*40cm2）CdTe多晶薄膜用不同方法进行退火处理,用XRD、C～V、I～V等研究了退火条件,退火方式对薄膜结构和器件性能的影响。结果表明：刚沉积的CdTe多晶薄膜呈立方相,沿着（111）方向择优取向而退火后（111）（220）（311）等峰都有不同程度的增加。在纯氧气氛下,400℃退火还出现了新峰。随着退火温度的增加,电导激活能降低。经过连续退火装置在400℃下退火30分钟的电池,1/C2和V成线性关系,具有较高的掺杂浓度、较理想的二极管因子和较高的转换效率。     

CdTe薄膜太阳电池的硝酸-磷酸腐蚀及应用

采用硝酸磷酸腐蚀CdTe薄膜,研究了硝酸-磷酸腐蚀速率、浓度、时间对薄膜的结构、形貌、组分的影响,获得腐蚀的最佳工艺条件．在腐蚀后,沉积了缓冲层材料和（或）金属背电极,研究了腐蚀后背接触的形成及碲对CdTe太阳电池的影响．结果表明,腐蚀后生成的碲有助于产生p+层,实现CdTe与金属背电极的欧姆接触．     

The properties of CdTe solar cells with ZnTe/ZnTe： Cu buffer layers

CdS/CdTe solar cells with ZnTe/ZnTe:Cu buffer layers were fabricated and studied. The energy band structure of it was analyzed. The C-V, I-V characteristics and the spectral response show that the ZnTe/ZnTe:Cu buffer layers improve the back contact characteristic properties, the diode characteristics of the forward junction and the short-wave spectral response of the CdTe solar cells. The ZnTe/ZnTe:Cu buffer layers affect the solar cell conversion efficiency and its fill factor.     

CdTe量子点的制备与应用

在微波样品处理器中, 合成了量子产率为65%的CdTe量子点, 发射波长为510~670 nm. 该方法合成的量子点半峰宽较窄, 发光强度较高. 为了提高光稳定性, 在制备的CdTe量子点表面包覆了硅层, 得到尺寸分布较均匀的纳米粒子, 并对其进行毒性检验.