首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2288篇
  免费   49篇
  国内免费   83篇
系统科学   49篇
丛书文集   127篇
教育与普及   136篇
理论与方法论   25篇
现状及发展   43篇
综合类   2040篇
  2024年   2篇
  2023年   16篇
  2022年   18篇
  2021年   34篇
  2020年   18篇
  2019年   23篇
  2018年   11篇
  2017年   15篇
  2016年   22篇
  2015年   39篇
  2014年   94篇
  2013年   67篇
  2012年   85篇
  2011年   90篇
  2010年   107篇
  2009年   132篇
  2008年   147篇
  2007年   150篇
  2006年   121篇
  2005年   139篇
  2004年   115篇
  2003年   119篇
  2002年   124篇
  2001年   127篇
  2000年   97篇
  1999年   77篇
  1998年   58篇
  1997年   78篇
  1996年   47篇
  1995年   44篇
  1994年   46篇
  1993年   35篇
  1992年   28篇
  1991年   24篇
  1990年   22篇
  1989年   21篇
  1988年   17篇
  1987年   7篇
  1986年   3篇
  1983年   1篇
排序方式: 共有2420条查询结果,搜索用时 343 毫秒
131.
使用连续发射的激光光源和半导体光电位置敏感器件,设计了一种三维非接触高精确度的光学测量系统,用于不规则三维物体参数的测量,并将这一测试系统应用前景作了展望.  相似文献   
132.
利用光纤矩阵方法和高斯光学的耦合损耗理论,对波分复用器件的自聚焦透镜耦合系统进行了分析,得出了一种优化设计耦合系统的分析和计算方法。结合计算结果的曲线,分析了耦合系统中透镜长度对耦合损耗的影响,提出了通过调整入射单模光纤与自聚集透镜粘接的角度来减小耦合损耗的新方法。  相似文献   
133.
差动式光隔离放大器的研制及其应用   总被引:4,自引:0,他引:4  
基于差动放大器的原理并利用光耦合器件,设计了一种差动式隔离放大器,这种放大器具有低漂移、高共模抑制比等差动放大器的优点,同时输入端与输出端之间也是电隔离的,文中给出了这种放大器的工作原理以及各主要参数的计算公式,并给出了这种隔离放大器的一种具体应用。  相似文献   
134.
分别用标准氟金去母和改性氟金云母填充环氧树脂,制得了氟金云母/环氧树脂复合材料,对其力学性能进行了测试,并用扫描电子显微镜对其微观组织和形态进行了观察分析,研究了氟金云母的性质,质量分数同该复合材料力学性能之间的关系,结果表明:改性氟金云母对环氧树脂具有较好的增强作用,当其质量分数为10%时,复合材料的弯曲强度可提高50%,弹性模量可提高100%,标准氟金云母虽然可提高弹性模量,但却使弯曲强度下降。  相似文献   
135.
偏光器件Jones矩阵的特征值和特征矢量   总被引:1,自引:0,他引:1  
主要计算了一些常用偏振器件Jones矩阵的特征值和特征矢量,并指出了特征值和特征矢量的物理意义。  相似文献   
136.
针对数字控制技术的特点,分析了在选择性谐波消除法的理论计算结果与实际开关角数字控制结果出现偏差时,对逆变器输出电压谐波含量的影响。并研究了开关角数量对逆变器性能的影响,结果表明:开关角控制误差对逆变器输出谐波有一定影响,但可以在计算时修正;而开关角数量的增加有利于减小电流脉动,提高输出电压质量,但开关频率随之增加。  相似文献   
137.
光电分子器件模型及其工作原理   总被引:2,自引:0,他引:2  
  相似文献   
138.
异质结光晶体管和隐埋新月激光器的单片集成   总被引:2,自引:0,他引:2  
在国内首次实现了异质结光晶体管(HPT)和隐埋新月激光器(BCLD)的单片集成,该器件除了具有光放大功能外,还具有光双稳和光开关功能,其净光增益大于31,达到80年代中期的国际先进水平。  相似文献   
139.
本报道了一种新型的低功耗CMOS运算放大器。放大器设计MOSFET在弱反型区工作,从而在较低功耗下获得较高增益。计算机模拟结果表明,在电源电压为±3V时,该CMOS运算放大器的开环增益可达96dB,静态功耗为80μW。  相似文献   
140.
利用L-B单分子功能膜的绝缘性制作MIS器件,通过对它的结构和电容-电压特性曲线的研究,发现LB膜可以改善MOS器件的性能和消除MOS器件的“异常”C-U特性现象,利用CU特性曲线可以检测L-B膜成膜质量,利用零偏压时的电容值可以计算各成膜材料的介电常数。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号