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随着集成电路特征尺寸逼近物理极限,硅通孔(TSV)实现层间互连的三维集成电路(3D IC)成为延续摩尔定律的一种趋势.但现有集成电路设计工具、工艺库、设计方法尚不成熟,难以实现三维集成中超大尺寸基板芯片的时序收敛问题.为此,本文提出了一种利用现有传统的EDA工具完成基于TSV的3D IC物理设计的流程.首先,用热应力模型将三维硅通孔投影成二维阻挡层,从而将三维集成电路设计转化成若干含阻挡层的二维集成电路分别实现;其次,针对超大尺寸基板芯片的时序收敛困难问题,提出了一种标准单元布局方法,通过在版图中划定若干固定放置区用于限定关键时序单元的摆放,并迭代确定这些关键单元在固定放置区中的位置,实现大尺寸芯片的时序收敛.基于所提出的三维集成电路设计流程完成了一款三维集成的网络路由芯片基板芯片的设计,结果表明,相比传统的设计流程,提出的3D IC物理设计流程可使超大尺寸基板芯片从时序无法收敛优化到可收敛并满足时序要求,验证了所提出的3D IC物理设计流程的可行性. 相似文献
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本文介绍与GAL器件破译仪主机运行有关的软件,包括异步通信程序模块、数据的二次处理和逻辑化简程序模块,以及菜单和附加功能程序模块。本文采取了一些措施,使破译时间得到减少。 相似文献
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本文用一种“节汇成本比较”的方法,对上海市集成电路及机电一体化产品的比较优势进行调查研究,提出了上海市在这两个产品领域发展重点的建议。 相似文献
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本文是关于非线性模拟电路故障诊断的测试点选择问题的研究,在本文提出的关于诊断方程的雅可比矩阵的物几乎处处恒等这一概念的基础上,研究了非线性情况下诊断方程的形式及其可测性问题。 相似文献