OLED电极引线的腐蚀机理分析

有机电致发光器件(OLED)电极引线发生腐蚀是OLED失效的重要原因.用XRD,XPS,SEM和EDX等方法对镀Cr的ITO电极引线样品的腐蚀产物成分、结构和形貌进行了分析,XRD和XPS结果表明镀层Cr反应生成Cr(OH)3和CrO3,SEM和EDX结果表明Cr先腐蚀,ITO随后发生腐蚀.然后通过对引线样品在不同溶液中的极化曲线分析,得知Cr腐蚀产物的价态与其所处的电位有关,且氯离子对ITO腐蚀具有促进作用.最后根据实验结果对电极引线腐蚀的全过程提出一简化模型进行解释.     

IGBT-PWM直流调速系统在船模自航中的应用

介绍了船模自航试验中电机直流调速控制系统的主要工作原理、控制方式及试验效果.该系统采用IG-BT大功率器件作为开关元件,采用PWM控制方式.设计了基于ATmega128和CPLD的直流调速控制系统,包括IGBT的驱动与保护电路、正交编码器接口电路.通过引入不完全微分PID控制,在实验中较好地实现了船模电机速度的控制要求.     

基于CPLD的CCD驱动电路的设计

采用一款帧转移型CCD,详细地介绍了该款CCD的驱动电路设计。选用复杂可编程逻辑器件（CPLD）作为硬件设计平台,针对Altera公司的EPM7160SLC84-10进行适配,实现了CCD驱动时序的设计。线性稳压器LM117实现了CCD偏置电压的设计。专用CCD时钟驱动芯片实现了CCD驱动电路的设计。设计的CCD驱动电路满足帧转移面阵CCD的各项驱动要求。     

FPGA在数字频率合成器设计中的应用

采用直接数字频率合成技术是直接合成所需要波形的一种新的频率合成技术。随着新型FPGA芯片不断出现,为电路设计者提供了多种选择。如果用高性能的FPGA器件来设计符合自己需要的DDS电路,就是一个很好的解决方法。     

高分子铱配合物磷光材料的制备技术进展

电致磷光材料因其优异的发光性能, 引起了人们广泛关注. 铱配合物是研究最多的电致磷光材料, 高分子化的铱配合物由于加工方便、成膜性好等优点成为最近研究的重点. 本文从合成的角度出发, 介绍了含配位基团的高分子配体和含铱的二氯桥小分子铱配合物作用、小分子铱配合物烯类单体的自聚及与其他单体的共聚、开环易位聚合、接枝、溶胶凝胶法等制备高分子化铱配合物的方法, 并概述了这些制备方法对器件发光性能的影响.     

CeO2/Si薄膜的紫/蓝光跃迁

利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜, 观察到了CeO2室温蓝光发光以及低温紫光致发光(PL)现象. 利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明, CeO2的发光机制是由于电子的Ce4f→O2p跃迁和缺陷能级→O2p能级跃迁共同作用的结果, 并且这些缺陷能级位于Ce4f能级上下1 eV的范围内.     

光子束超衍射纳米加工技术及应用基础研究

新型纳米加工技术的研究开发是目前国际上关注的热点,是纳米技术、特别是纳米器件获得应用所必须解决的重要问题之一。纳米器件尺寸小型化、结构多样化、集成高度化的发展趋势要求纳米加工技术不仅具有纳米量级的加工分辨能力,而且也能够实现包括从二维到三维复杂纳米结构的加工与器件制备。     

3mm宽带波导结型隔离器

报道一个具有宽带特性的3mm波导结型隔离器,其性能为插入损耗小于0.8dB,反向隔离大于20dB,绝对带宽为3.5GHz(92.5-96GHz)。对影响器件的性能因素进行了讨论,并指出实验结果似乎与旋转门环行器设计理论不一致。     

脉冲MIG/MAG焊机控制系统优化

研究了自行开发设计的微机控制的脉冲MIG/MAG焊电源控制系统和PID控制算法选择及系统控制软件的优化策略.针对脉冲MIG/MAG焊接过程中PI控制和焊接参数实时显示的矛盾,在研究分析了PID控制算法的基础上,为实现在焊接过程中实时采样控制和显示焊接参数,着重分析了串行显示芯片MAX7219的工作时序,研究改进了MAX7219的数据和命令格式的传输方式,以及在防止系统振荡的基础上对PID控制算法优化的方法.试验结果表明,优化后程序执行效率高,响应速度快,控制精度高,实现了稳定的脉冲MIG/MAG焊接过程.     

MOS器件的热载流子效应

热载流子效应产生的原因，首先是在沟道强电场中形成迁移率偏低的热载流子，然后由于碰撞电离而使热载流子大量增加。热电子和热空穴能够越过界面势垒向栅氧化层发射。进入栅氧化层的热载流子，或者穿透氧化层，或者造成随时间而增加的界面态，或者造成载流子陷阱。热电子或热空穴也可以受结电场的作用而进入衬底。抑制热载流子效应的方向，一是在沟道两侧制作轻掺杂区，以降低沟道电场强度；二是对栅氧化层进行氮化处理和提高氧化温度，以改善氧化层的质量，增强抗热载流子效应的能力。