辐射对半导体霍尔器件输入电阻的影响

用60Co、137Cs、90Sr-90Y放射源低剂量率对恒流激励、无磁场作用时的InSb、GaAs、Si、Ge等半导体霍尔器件进行短时辐照,测量了辐照过程中各器件输入电阻的变化。结果表明:因为位移效应所引起的辐射缺陷,三种辐照均导致各器件输入电阻增加,并与辐照时间成正比。比较相同射线、相同时间辐照所引起的输入电阻变化量,可以判定Ge器件的抗辐射能力最强,Si器件次之,InSb、GaAs器件最差。     

单一高分子白光材料体系

白光高分子发光器件由于在全彩色平板显示、背景光源及照明光源等方面的潜在应用而受到了科学界的广泛关注和产业界的竞相投入。一般来说,经典高分子发光材料发光谱带较窄,难以覆盖整个可见光谱,因此,     

我国LED技术发展及应用

<正>LED(Light Emitting Diode)是一种借外加电压激发电子而发光的光电半导体组件,其基本结构是将一块电致发光器件置于一个有引线托架上,四周用环氧树脂密封并保护内部芯线。由于不同材料禁带宽度不同,LED可发     

粉末溅射SnO2:Pt薄膜及SnO2/SnO2:Pt薄膜电导在CO中的振荡现象

采用粉末溅射方法制备了体掺杂型SnO2 :Pt薄膜和SnO2 /SnO2 :Pt双层膜 .这两种薄膜材料不仅对CO气体有很高的灵敏度 ,良好的选择性和较低的工作温度 ,而且其电导在CO气体中均出现了振荡现象 .本文分析了电导振荡温区、振幅和频率与CO气体浓度及膜厚的关系 ,介绍了其振荡特性并对有关问题进行了讨论     

ISP技术在《数字电路》教学中的应用

首先介绍了新兴的ISP(在系统编程)技术，ISP技术对数字系统的贡献以及ISP技术广阔的应用前景，提出在《数字电路》教学中引入ISP技术的方法和思路.     

基于IBIS模型的高速数字I／O缓冲器的瞬态行为建模

引入了一种基于最新版本的IBIS模型给出的信息构造高速数字I／O缓冲器的瞬态行为模型的方法，阐述了从IBIS建模数据中得到这种瞬时状态转换行为模型的过程，同时获得了建模所需要的充分条件，与相应的晶体管级模型相比，该方法在获得了更高仿真精度的同时，提高了具有大量同步开关器件芯片互连的仿真速度，最后，为了验证模型的有效性，给出了该模型和晶体管级模型（SPICE模型）模拟结果的比较。     

利用AFM电场诱导氧化实现纳米结构

利用导电原子力显微镜（AFM）在硅、其它半导体和金属表面的电场诱导氧化加工是实现纳米器件的有效方法。大气状态下样品表面吸附的水膜在电场诱导氧化加工中的必要性被证实，实验给出了相对湿度与氧化线宽度的关系。在氢钝化表面成功地制备出纳米尺度的线和图形结构，最小的线宽为22nm。