微波铁氧体双模新器件的推广及应用

本文叙述了微波铁氧体双模新器件的原理和性能，这些新器件在现代雷达技术和通信技术等微波高频设备中具有广泛的使用前途。     

绝缘栅双极晶体管研究与中试

绝缘栅双极晶体管（IGBT）是新型MOS功率器件，目前在国内的研究只有我们和北工大进行，在国内的生产更是空白，国内的器件应用全靠进口。     

钼蓝光度法测定纯钴中的硅

用钼蓝光度法测定了纯钴中微量硅，选择６５０ｎｍ为测定波长，可基本消除Ｃｏ＾２＋，Ｎｉ＾２＋等的干扰，方法的回收率为９８．５％－１０２％，与溶剂萃取法的结果比较，本法更为简单易行。     

应用量子力学

量子力学是当前物理学及其相关科学的重要科学分支，也是当前许多新科学技术中的重要应用的基础。本书包含了现代新科学技术工程师所需要的量子力学方面的新材料，如研究和了解原子核、原子、分子和固体材料，以及激光器和其他量子光学器件所需要的科学资料等。     

纳米电子技术

纳米电子(nanoelectronics)在现今科技不断追求体积缩小且运算快的设备之际，被许多专家视为突破下一代科技的主要关键技术，纳米电子是一项在现有完整架构的微电子(microelectronics)产业下的全新技术领域。     

通用阵列逻辑GAL的破译软件

本文介绍与GAL器件破译仪主机运行有关的软件,包括异步通信程序模块、数据的二次处理和逻辑化简程序模块,以及菜单和附加功能程序模块。本文采取了一些措施,使破译时间得到减少。     

在不同热氧化条件下SiO2—Si结构的电子辐射效应研究

利用２ＭＶ电子静电加速器,研究了热氧化工艺与ＳｉＯ２－Ｓｉ结构的电子辐射效应和辐射损伤机制。结果表明,高能电子辐照ＳｉＯ２－Ｓｉ结构引起的ＭＯＳ电容平带电压漂移ΔＶｆｂ与ＳｉＯ２膜厚ｄｏｘ＾２成正比。由Ｐ型硅为衬底或掺氯氧化的ＳｉＯ２－Ｓｉ结构对电子辐射较敏感;而由磷处理或干Ｎ２热退火的ＳｉＯ２－Ｓｉ结构能有效地降低对电子辐射的敏感性。