低能离子注入彩棉种子的生物物理机理

通过建立与生物组织较为接近的靶模型,采用MonteCarlo方法研究了低能离子注入植物种子诱变的机理,为进一步指导育种实践提供重要的理论指导。结果表明在20-200keVN+注入彩棉种子,离子的深度在0-22μm之间,对于单个细胞大量离子被阻停在细胞质内较浅的区域,这段区域很可能是低能离子与生物组织发生三因子效应的主要区域,对于"马鞍型"曲线产生的原因推测是由能量、质量和深度等因素共同决定。     

水稻核雄性不育突变体的育性转换规律研究

以核雄性不育水稻为研究材料,对其育性表达特征和育性转换规律进行了比较研究.研究结果表明,核雄性不育水稻的花粉粒可染率和自交结实率均比较低,其育性表达随时间不同而异,且在花粉粒的可染率与自交结实率之间存在着一定的相关性.光温处理后的研究结果表明,99-2S表现出高温条件下雄配子部分可育而低温完全不育的特性,其比较好的繁殖温度是27℃左右.99-3S表现出低温条件下雄配子部分可育而高温完全不育的特性,其比较好的繁殖温度是25℃左右.     

低能离子注入生物组织原初过程的模拟计算

基于Monte-carlo算法,模拟了低能离子用于生物靶的核阻止本领、入射的径迹和深度、质量能量沉积和溅射。结果表明,单纯用物理方法只能描述离子束作用于生物样品的物理轮廓,而要全面阐述低能离子生物效应的原初物理过程需将化学作用考虑在内。     

离子注入对三角叶滨藜种子萌发及愈伤组织的影响

利用N^ 、Ar^ 、Zn^2 离子分不同辐射能量,对三角叶滨藜（Atriplex Triangularis）种子进行离子注入,研究低能量状态下激发诱变的生物学效应。结果表明N^ 、Ar^ 、Zn^2 离子注入处理后,三角叶滨藜种子萌发率均有下降,其中Ar^ 处理组种子萌发率高于对照组。由于菌苗诱导产生愈伤组织及其生理活性也存在差异。通过对愈伤组织SOD、POD、CAT活性进行测定,发现这3种离子注入种子处理后愈伤组织的SOD、POD、CAT活性一般都低于未处理的对照组。其中Zn^2 注入处理后SOD活性高于对照组。     

人工模拟体液中施子注氮工业纯钛腐蚀行为

采用电化学技术研究了人工模拟体液中离子注氮对人体医用金属材料工业纯钛的耐蚀性的影响。腐蚀电位和阳极极化曲线表明,离子注氮明显提高了材料的耐蚀性。Ｘ射线衍射与ＡＥＳ分析发现材料表面形成钛的氮化物膜层,其机械隔离与化学效应抑制了腐蚀。     

硼离子注入对硅基Si3N4薄膜驻极体性质的影响及力学性能的改善

利用硼离子B⁺注入方法来改善Si₃N₄薄膜的力学性质,并就B⁺注入对Si₃N₄薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究.实验结果表明,B⁺注入能够有效地降低薄膜的内应力,而对薄膜的驻极体性质有不利的影响;用化学表面修正能够在一定程度上提高材料的抗恶劣环境能力。     

氮离子注入对甜菊幼苗生长发育和细胞核的影响

对低能氮离子注入甜菊种子引起的生长发育、细胞核和染色体形态结构的影响进行研究。结果表明,能量为７５ＫｅＶ,剂量为１０＾１４／ｃｍ＾４的氮离子束主甜菊种子后,种子萌发率下降;幼苗期生长迟缓;细胞分裂指数下降,异常细胞核和染色体畸变增加,细胞核膜凹凸不平,核仁解聚,部分核质凝集并被凹陷的核膜包被成颗粒化小区,进而形成 核,细胞核的形态建设和细胞分裂受到一定的干扰,推测这些现象与幼苗期处理种子的早期生长     

MEVVA源离子束合成镧硅化物

用ＭＥＶＶＡ离子源将Ｌａ离子注入到单晶硅中形成掺杂层,用ＸＲＤ,ＳＥＭ分子掺杂层的物相和表面形貌。分析表明,在强流离子注入后,掺杂层中有硅化物形成,且形成相的种类与注量,束流密度及后续热处理条件密切相关,对Ｌａ硅化物的形成过程进行了讨论。     

低能V+注入花生种子引起生物体的微结构变化及其机理

以植物干种子花生为生物体材料,注入200keV的低能V＋离子,采用正电子湮没技术（PAT）测定了经离子注入和未经离子注入的2类花生生物样品的正电子湮没寿命谱PAL,实验结果表明,在花生种子生物体内存在着大量微小的孔洞,孔洞的直径为0．7nm,经低能离子注入以后,这些孔洞的大小会有所变化,对低能离子注入生物效应的机理进行了探讨。     

Si+/As+双离子注入SI-GaAs对注入层电激活均匀性改善的研究

研究了单 (Si )双 (Si / As )离子注入半绝缘砷化镓 (SI-Ga As)电激活的均匀性 .结果表明 ,L ECSi-Ga As衬底中深电子陷阱能级 (EL 2 )均匀性分布好坏 ,对注入层电激活性有一定影响 .当 SI-Ga As中碳含量小于 5× 1 0 15cm- 3时 ,对注入层电激活影响不大 .采用多重能量 Si 注入 ,可改善栽流子纵向分布的均匀性 ,采用 Si / As 双离子注入可改善 L EC SI-Ga As衬底中 EL 2横向不均匀分布对电激活均匀性的影响 ,可获得注入层横向的电激活 .