用双潘宁型离子源进行钇离子注入的实验研究

钇在不锈钢材料及高温超导材料中均起着重要重要,本实验记要研究实现钇离子注入ＺｒＯ２衬底上铜膜中的方法,使用双潘宁型多电荷重离子源,以氧化钇作为溅射材料进行离子注入,研究工作着重于氧化钇插入件的制备及钇离子的出束,注入等,样品经ＸＰＳ,ＥＰＭ及ＡＥＭ测试证实钇的注入深度达１μｍ,钇的最高组分（ｗ）为７３％。     

P型ZnO薄膜的制备及特性研究

ZnO是一种新型的自激活宽带隙半导体材料,是一种理想的短波长发光器件材料,在光电子、高温大功率器件、高频微波器件以及信息技术领域等方面有着广阔的应用前景,实现和控制高质量P型掺杂是ZnO薄膜光电子应用的关键。本文用射频磁控溅射技术,在直径为100 mm的单晶Si(110)衬底上制备ZnO薄膜,薄膜厚度为1.8μm。用多功能离子注入机对ZnO薄膜进行N离子注入。通过退火实现了ZnO薄膜的P型转变。扫描电镜(SEM)观察表明,离子注入使薄膜表面形貌产生损伤和缺陷,粗糙度明显增加,但退火对表面形貌有很大改善。X射线衍射(XRD)给出样品具有对应于ZnO(002)面的衍射峰,表明薄膜具有较好的c轴择优取向。在不同温度下(500℃,650℃,800℃,900℃,950℃),     

抗空蚀材料分析

本文通过对空蚀破坏的分析,介绍了当今从软、硬两个方面出发研究的最新抗蚀材料制作方法。特别介绍了离子注入术在水轮机转轮坑蚀中的应用及 IPN 技术。