常压下强电场电离辐射诱导种子变异方法的研究

通过改变强电场放电体系的物理参数,控制离子的能量和浓度,诱导种子变异,得到变异体,并检测其种子活力、酶活性、DNA、蛋白质的变化,得到性状变异谱,寻找诱导种子变异的规律和最佳方案.     

后注Ar^＋对高能注P^＋硅中二次缺陷的影响

用剖面的电子显微术(XTEM)研究了后注Ar~+对高能注P~+硅中二次缺陷的影响。结果表明,后注Ar~+像后注Si~+一样能够减少高能注P~+硅中的二次缺陷。但这种效果与退火过程密切相关,退火应该在后注Ar~+之后,而不是在其之前。实验还发现,在适当退火条件下,后注Ar~+产生的新二次缺陷比后注Si~+产生的要少一些。物理机制分析认为,后注Ar~+减少二次缺陷的物理机制与后注Si~+的是相似的。     

Simulation methods of ion sheath dynamics in plasma source ion implantation

Progress of the theoretical studies on the ion sheath dynamics in plasma source ion implantation (PSII) is reviewed in this paper. Several models for simulating the ion sheath dynamics in PSII are provided. The main problem of nonuniform ion implantation on the target in PSII is discussed by analyzing some calculated results. In addition,based on the relative researches in our laboratory, some calculated results of the ion sheath dynamics in PSII for inner surface modification of a cylindrical bore are presented. Finally, new ideas and tendency for future researches on ion sheath dynamics in PSII are proposed.     

等离子体源离子注入离子鞘层及鞘层扩展动力学计算方法

综述了近年来国内外对等离子体源离子注入离子鞘层理论研究的进展情况. 介绍了研究离子鞘层扩展动力学所常用的几种计算方法并通过比较指出了其各自的优缺点及适用条件. 通过对一些计算结果的分析指出了在PSII实验中常见的样品表面离子注入不均匀等问题出现的原因及解决办法, 介绍了PSII方法用于柱状长管子内表面改性时的计算结果, 并力图展望今后PSII离子鞘层扩展动力学计算的发展趋势.     

离子注入中温升的研究

探讨了离子注入中的温升问题.这种温升可用试验方法进行测量.研究了几种测温方法(例如低熔点金属法和硬度法).分析了降低注入样品温升的一些途径.