α粒子注入研究的一些新进展

回顾了本小组近年来利用α粒子注入技术和透射电镜研究３１６Ｌ不锈钢中氦泡形成行为的成果。     

离子注入聚醚砜（PES）膜的介电频谱与红外光谱分析

用15keVAr^ 和N^ 注入纯PES膜和掺碘PES膜，掺碘PES样品离子注入后的介电谱表明，随注入剂量的增加，损耗峰秽向高频，损耗峰的高度下降。离子注入纯PES膜的介电损耗在(0～10)MHz内小于0．062，没有松驰特性，是制作布线的理想材料。红外光谱表明，离子注入引起PES膜结构变化。     

SiC埋层的红外吸收特性研究

在较低衬底温度下，用离子合成技术对单晶Ｓｉ衬底进行高能Ｃ＋离子注入，可获得含有ＳｉＣ的埋层，经高温退火形β－ＳｉＣ颗粒沉淀。通过傅里叶经外吸收谱对其研究有明埋层中ａ－Ｓｉ和β－Ｓｉ共存，且有一含量最高区。     

GIC4117 2×1.7MV串列加速器高能注入靶室的改进

通过更换丝杠和更新电机控制系统增大了靶盘纵向扫描范围,解决了扫描过程中纵向电机经常停转问题,并使靶室可装载10 cm(4 in)片子;通过隔离外界干扰电信号、精确控制扫描面积和对二次电子抑制电极的改进使注量测量误差达到了实验要求.     

离子注入聚合物薄膜电导机理的研究

在颗粒型电导模型中,现有的离子注入聚合物电导公式只有低场强和高场强两种形式。作者们发现在离子注入聚合物的电导和场强关系中,可明显分成三个区域。本文根据金属颗粒电位悬浮的特点,在金属-绝缘-金属系统上,推出了低、中和高场强作用下离子注入聚合物的电导公式。并以不同As~+注入剂量的聚酯(PET)薄膜,在经过不同百分比的拉伸后,研究了电导的场强曲线、温度曲线以及颗粒间距离对电导的影响。实验结果证实了理论分析。     

注入离子引发基体长程效应的研究

研究了在基体中不同固溶度的注入离子引发的长程效应。铁、钨在单晶铜、奥氏体不锈钢中固溶度很低,长程效应明显,在基体表层有位错密度峰值,注入能量提高,甚至出现两个位错密度峰值;钼在奥氏体不锈钢中有较高的固溶度,注入离子在基体表层没有位错密度峰值出现。结合其他研究者的结果,综合分析了注入离子与基体间热力学性质对长程效应的影响规律。     

Si^＋和S^＋注入SI—GaAs白光快速退火特性

研究了 Si~+和 S~+注入 SI-GaAs 经白光瞬态退火后的电特性,得出最佳的退火条件为930～960℃,5s.在适当的注入和退火条件下,得到了陡峭的载流子剖面分布没有拖长的尾巴.发现Si~+注入白光快速退火样品比常规热退火样品有较好的电特性.使用 Si~+注入白光快速退火制作出了性能良好的全离子注入平面型 MESFET.