全文获取类型
收费全文 | 552篇 |
免费 | 13篇 |
国内免费 | 42篇 |
专业分类
丛书文集 | 20篇 |
教育与普及 | 25篇 |
理论与方法论 | 1篇 |
现状及发展 | 6篇 |
综合类 | 555篇 |
出版年
2024年 | 6篇 |
2023年 | 10篇 |
2022年 | 7篇 |
2021年 | 11篇 |
2020年 | 6篇 |
2019年 | 12篇 |
2018年 | 8篇 |
2017年 | 10篇 |
2016年 | 9篇 |
2015年 | 11篇 |
2014年 | 17篇 |
2013年 | 23篇 |
2012年 | 38篇 |
2011年 | 38篇 |
2010年 | 47篇 |
2009年 | 45篇 |
2008年 | 39篇 |
2007年 | 52篇 |
2006年 | 37篇 |
2005年 | 24篇 |
2004年 | 32篇 |
2003年 | 17篇 |
2002年 | 14篇 |
2001年 | 10篇 |
2000年 | 5篇 |
1999年 | 22篇 |
1998年 | 17篇 |
1997年 | 14篇 |
1996年 | 8篇 |
1995年 | 4篇 |
1994年 | 2篇 |
1993年 | 3篇 |
1992年 | 1篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有607条查询结果,搜索用时 15 毫秒
601.
Nd及其与Fe,Mn共掺杂ZnO薄膜的结构与发光特性 总被引:2,自引:0,他引:2
采用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了未掺杂ZnO薄膜和Nd及其与Fe,Mn共掺杂ZnO薄膜.通过XRD分析表明,未掺杂ZnO薄膜沿c轴择优生长,掺杂ZnO薄膜偏离了正常生长,薄膜为纳米多晶结构.应用AFM观测所有薄膜的表面形貌,掺杂使ZnO薄膜表面粗糙.室温光致发光谱显示,薄膜出现了395nm的强紫光和495 nm的弱绿光带.Nd掺杂ZnO薄膜的PL谱线峰值强度减弱,Nd与Fe,Mn共掺杂ZnO薄膜的PL谱线峰值强度增强,分析了掺杂引起PL峰强度变化的原因. 相似文献
602.
采用反应磁控溅射倾斜沉积(GLAD)的方法制备了多孔柱状晶的ZrO2薄膜,研究了不同沉积角和靶基距对薄膜结构和光学性质的影响.结果表明,倾斜沉积的ZrO2薄膜具有倾斜的柱状结构,柱状晶之间存在空隙(宽度小于100nm),平均晶粒大小约为10nm.沉积角大小的改变在一定程度上可以改变ZrO2薄膜中某些晶粒的取向.增大沉积角和增加靶基距均可使薄膜的折射率减小、孔隙率增大、沉积速率减小,不同的是增大沉积角会增大柱状倾斜角,而增加靶基距会减小柱状倾斜角.沉积角为75°时可制备出折射率为1.56、孔隙率为41.7%的ZrO2薄膜. 相似文献
603.
采用中频孪生磁控溅射技术,以Q235碳钢为基体,通过调整薄膜沉积过程中基体负偏压大小,制备TiAlN薄膜.采用原子力显微镜(AFM)观察薄膜表面形貌,采用动电位极化试验研究薄膜的电化学腐蚀行为,用台阶仪和显微硬度计测量薄膜的厚度和硬度,用X-射线光电子能谱仪测试薄膜的组织成分.结果表明,TiAlN薄膜表面平整,粗糙度低.随偏压的增大,膜厚、显微硬度和耐腐蚀性都呈现也先增大,后减小的趋势.当负偏压增大到60 V时,薄膜的腐蚀电位和腐蚀电流密度分别为-256.2 mV和7.81×10-6A/cm2,抗腐蚀能力最强.X射线光电子能谱(XPS)检测结果表明,随负偏压幅的增大,Al/Ti原子比降低. 相似文献
604.
采用射频磁控溅射技术制备了CdTe薄膜,使用探针式台阶仪、X射线衍射分析仪、紫外可见分光光度计、扫描电镜等表征了薄膜的厚度、结构、透过率、表面形貌等随溅射工艺的变化.结果表明:沉积速率随着功率的增加而增加,随气压的增加而呈线性减小;薄膜的结晶程度随气压增大而降低;功率从100 W增大到180 W,出现了CdTe薄膜晶相从立方相向六方相的转变;当沉积条件为纯氩气氛、气压0.3 Pa、功率100 W、室温时,沉积的CdTe薄膜结晶性能最好. 相似文献
605.
ZnO是一种新型的自激活宽带隙半导体材料,是一种理想的短波长发光器件材料,在光电子、高温大功率器件、高频微波器件以及信息技术领域等方面有着广阔的应用前景,实现和控制高质量P型掺杂是ZnO薄膜光电子应用的关键。本文用射频磁控溅射技术,在直径为100 mm的单晶Si(110)衬底上制备ZnO薄膜,薄膜厚度为1.8μm。用多功能离子注入机对ZnO薄膜进行N离子注入。通过退火实现了ZnO薄膜的P型转变。扫描电镜(SEM)观察表明,离子注入使薄膜表面形貌产生损伤和缺陷,粗糙度明显增加,但退火对表面形貌有很大改善。X射线衍射(XRD)给出样品具有对应于ZnO(002)面的衍射峰,表明薄膜具有较好的c轴择优取向。在不同温度下(500℃,650℃,800℃,900℃,950℃), 相似文献
606.
测得AlN和Si3N4介质钝化后的AlGaN/GaN异质结的高频C-V(电容-电压)曲线,由此计算钝化层与AlGaN势垒层界面电荷面密度,发现AlN钝化层与势垒层界面的电荷面密度较Si3N4更大,同时AlN钝化层薄膜含有的可移动离子数目更多.根据I-V(电流-电压)曲线讨论了用磁控溅射技术生长的AlN钝化薄膜质量,发现AlN薄膜绝缘性不够好,可能是在室温磁控溅射生长过程中从靶材溅射出的Al原子未能与N2充分反应,导致沉积的AlN薄膜不够致密,含有的电子隧穿通道多.因此可改善反应条件以提高AlN薄膜质量. 相似文献
607.
采用射频(RF)磁控溅射技术在Si(100)衬底上制备WSe2纳米薄膜,研究在不同制备压强(2.0、2.5、3.0 Pa)下WSe2纳米薄膜的形貌及光电性质变化.采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、光致发光谱(PL)、霍尔效应等测试对薄膜样品进行基本性质表征.SEM测试结果表明:溅射压强的改变对薄膜形貌有显著影响,随着压强的增加“蠕虫”状结构更加明显.进一步研究WSe2的生长取向,XRD测试结果表明WSe2薄膜在(008)晶面优先生长,证明压强的不同会改变WSe2的晶体结构,提高其结晶性和光吸收特性.此外电学性能测试表明,WSe2纳米薄膜的载流子浓度和霍尔系数可以通过改变压强来调节.体现了磁控溅射技术制备的WSe2具有可控性好,易于重复等优点,在构建多功能WSe2器件领域中具有很好的应用前景. 相似文献