含He纳米钛膜的XRD研究

本文采用直流磁控溅射方法,在He／Ar混合气氛中,通过分别改变He／Ar流量比和沉积偏压制备不同He含量的钛膜。利用XRD(X-ray diffraction)对含He钛膜的微观结构和晶粒尺寸进行了研究。结果表明,在其它实验参数不变的情况下,当He／Ar流量比从1.0增加到25时,钛膜的平均晶粒尺寸从19.02nm减小到8.63nm。随着膜中He含量的增加,衍射峰宽化,晶粒细化,He的掺入有抑制纳米晶粒长大的趋势。而当沉积偏压从24V增加到151V时,其平均晶粒尺寸基本不变。He引入引起了（002）晶面衍射峰向小角度移动,晶格参数c增加,而a不变。     

RF磁控溅射法制备PbTe纳米薄膜

利用RF磁控溅射和真空退火方法制备了PbTe纳米薄膜.利用SEM、XRD、AFM和FTIR分别对制备的样品的表面形貌和颗粒大小、结构以及带隙宽度进行了测试.结果显示,在10 W溅射功率下制备的PbTe纳米薄膜为纳米颗粒镶嵌薄膜,在20 W功率下为PbTe颗粒膜.10 W制备的纳米颗粒的平均直径为40 nm左右,平均高度为5 nm; 20 W制备的颗粒直径为100 -400 nm,平均高度为65 nm;两个条件下制备的样品均表现出明显的<100>方向的择优取向性,并且20 W的结晶质量比10 W的好.FTIR分析显示10 W和20 W制备的薄膜的带隙宽度分别为0.340 eV和0.343 eV,都比块体带隙宽度大.     

单带差超晶格中ZnS薄膜的制备及其性质

利用射频磁控溅射法制备了单带差超晶格中ZnS薄膜. 通过XRD和AFM的观察,对其结构进行了研究,并确定了制备均匀致密的多晶ZnS薄膜的最佳条件. 此外,对300 ℃和400 ℃衬底温度下的ZnS薄膜的光透过谱和吸收谱进行了对比,计算出了溅射法制备的ZnS薄膜的光能隙分别为3.82 eV、3.81 eV,与理论值一致. 这种高透过率、均匀致密的ZnS薄膜可用于研制新型高效率的单带差超晶格ZnS/CdS/P-CdTe太阳电池.     

磁控溅射氧化钛薄膜的光学性能

常温下,通过反应磁控溅射法在K9双面抛光玻璃基底上制备氧化钛薄膜．采用X线衍射（X—ray Diffraction,XRD）、光栅光谱仪和椭偏仪对氧化钛薄膜样品的结构和光学性能进行测试,并拟合分析得到薄膜的折射率和厚度等光学参数．结果表明：氧化钛纳米薄膜呈非晶态,其折射率和消光系数随波长的变化而变化,薄膜的透射率测量结果和理论计算结果在350—800nm光波范围内吻合良好．由于氧化钛薄膜的折射率高且在可见光波段吸收小、呈透明状,是用来构成一维光子晶体的理想组分,有关其光学性能的基础研究对光子晶体的结构设计及其器件的开发应用具有积极的意义．     

沉积在氧化铝模板上的纳米SiC的结构和发光性质研究

用二次阳极氧化法制备了高质量的氧化铝模板,用磁控溅射法在氧化铝模板上溅射生长了非晶SiC材料.原子力显微镜结果显示,在不同的溅射气压下(0.5～1.5Pa),能够形成层状、点状和棒状的SiC纳米结构.光致发光谱显示,在550～700nm之间有一个很强的发光峰,随着生长条件的改变,这个发光峰的强度有显著的变化.分析了纳米结构的形成、发光峰的变化与制备条件的关系.     

ZrC／ZrB2纳米多层膜的结构和机械性能研究

选择ZrC和ZrB2作为个体层材料．利用超高真空射频磁控溅射系统,在室温条件下制备了ZrC,ZrB2及一系列具有纳米尺寸的ZrC／ZrB2多层薄膜．通过XRD,SEM和表面轮廓仪以及纳米力学测试系统,分析了调制周期和工作气压对多层膜生长结构和力学性能的影响．结果表明：多层膜的界面清晰,调制周期性较好,大部分多层膜的纳米硬度和弹性模量值都高于两种个体材料混合相的值,在调制周期为27．5nm,气压为0．8Pa时,多层膜体系的硬度、应力以及弹性模量值均达到最佳,多层膜机械性能改善明显与其调制层结构和工作气压相关．     

射频磁控溅射法LiNbO3薄膜的制备及其影响因素研究

采用射频磁控溅射法在Si(111)和Si(100)上制备LiNbO3薄膜.通过XRD技术探讨了硅基片取向和所制备的薄膜的取向之间的联系,研究了不同靶材对薄膜的影响,讨论了热处理温度、工艺和所制备的薄膜取向的关系.报道了在Si(111)基片上制备高c轴取向的LiNbO压电薄膜的制备方法.     

Gd表面磁控溅射保护膜耐腐蚀性能研究

为了提高磁致冷材料Gd在腐蚀介质中的耐腐蚀性,采用磁控溅射技术,在磁致冷材料Gd表面溅射一层保护材料(Al、Cu),研究在不同介质中对Gd腐蚀行为的影响.结果表明:磁控溅射Al膜对Gd起了明显的保护作用;Cu膜由于与基体Gd结合较差,未起到保护作用.     

射工艺对LaNiO3薄膜结构的影响

采用射频磁控溅射法在Si（100）衬底上制备了LaNiO3薄膜。通过原位加热或后续热处理使薄膜晶化。借助X-ray衍射分析、电感耦合等离子体发射光谱、原子力显微镜等手段研究了溅射工艺对薄膜显微结构的影响。实验结果表明,溅射时是否加热对薄膜的结晶取向影响很大,而氧分压则影响La/Ni比。衬底不加热时,通过后续热处理得到多晶的随机取向薄膜,而当溅射时原位加热300℃,则得到有明显（100）择优取向的薄膜。     

A1掺杂ZnO薄膜的结构研究

采用直流反应磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO薄膜.系统研究了不同氩氧体积比、不同退火温度和氛围、不同Al掺杂浓度对薄膜结构的影响.结果显示,Al掺杂ZnO薄膜为多晶薄膜,呈六角纤锌矿结构,制备条件和后期处理以及掺杂浓度对薄膜的微结构有着很大的影响.在氩氧体积比6:1条件下制备的薄膜,经真空500℃退火后具...