中国半导体照明产业发展现状与趋势

半导体照明(亦称固态照明,solid state lighting,SSL),是继白炽灯、荧光灯之后的又一次光源革命.2016年,我国半导体照明产业规模达5 126亿元,关键技术与国际水平差距逐步缩小,示范应用居于世界前列,已成为全球最大的半导体照明生产、消费和出口国.当前半导体照明产业面临新的形势是:国际上技术快速进步,新兴应用崛起,市场渗透加速,竞争格局调整;国内产业集中度进一步提升,龙头企业加快扩张,海外市场拓展加速,整合并购成为主流.本文系统梳理了我国半导体照明产业发展的现状及趋势,分析了我国半导体照明产业发展面临的机遇与挑战,提出下一步推动我国从半导体照明产业大国向产业强国转变的主要工作.     

基于双光电反馈振荡器的单向混沌同步通信

利用半导体激光器和马赫-曾德尔调制器构建了一个基于双光电反馈振荡器的单向混沌同步通信系统,数值研究了该系统的同步特性及通信性能。结果表明,系统输出的混沌波具有更宽的频带和更为复杂的频谱,有利于提高通信容量和系统的安全性;当系统无参数失配时,能获得高质量混沌同步,并能实现实时通信;参数失配对系统同步性能和通信质量有影响,但在一定的参数失配范围内,系统仍能实现较好的混沌通信。     

纳米科学与技术及其应用

正中美纳米华人论坛(The 8th Sino-US Nano Forum)于2013年6月28日~7月1日在浙江大学召开。本次论坛由浙江大学化学系主办,主题为"纳米科学与技术及其应用",旨在进一步加强中美纳米科技成果的交流,探索新型纳米材料科学技术前沿以及开发促进该类材料的应用。美国乔治亚理工学院夏幼南教授和中国浙江大学化学系彭笑刚教授为本次论坛共同主席。论坛邀     

太阳能水源空调系统设计与实现

针对夏季地下水温度较低,冬季太阳能热水器水温较高的特点,研制出太阳能水源空调系统。该系统在夏季时,由太阳能电池板发电,并利用制冷半导体对循环水制冷,进而调节室内温度;冬季时,则利用太阳能热水器的水温,加之太阳能发电,辅助加热循环水,可使室内保持较高温度。由于系统未使用任何化学物质,因此对环境不会产生任何污染。     

EDMOS的工艺和电性模拟

EDMOS晶体管广泛地用于半导体器件在很多领域内，如高压MOS场效应管。EDMOS含有一个轻掺杂漏极区域来提升击穿电压．正归功于它们的优越性，这类晶体管正作为功率器件在智能型功率集成电路领域快速地取代双极晶体管．     

Zintl相化合物Sr_3Ga_2M_4(M=P,As)的电子结构和成键特征

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Zintl相Sr_3Ga_2M_4(M=P,As)的电子结构和成键特征.计算得到的晶格常数和实验符合得很好,确保了计算的准确性.相似的态密度表明两种化合物能带结构近似,Sr_3Ga_2P_4和Sr_3Ga_2As_4的带隙分别为0.99eV和0.74eV,价带顶最高点和最低点分别位于Γ点和X点说明材料为窄带隙间接半导体,满足对热电材料的带隙要求.利用电子局域函数分析其成键特性,晶体结构内部展现出共价键和离子键的共存,符合Zintl相材料成键特征,这种复杂的结构有利于材料的低热导率.对有效质量的分析和计算进一步表明材料具有潜在的热电特性.     

超级13Cr不锈钢的钝化膜耐蚀性与半导体特性

利用极化曲线和Mott-Schottky曲线,研究了超级13Cr马氏体不锈钢在100、130、150和170℃且含CO2和Cl-的腐蚀介质中浸泡7 d所形成的钝化膜的电化学行为和半导体性质.同时应用光电子能谱表面分析技术分析了超级13Cr钝化膜中的元素价态.结果表明,超级13Cr马氏体不锈钢经腐蚀过后形成的钝化膜表层中Mo和Ni以各自硫化物的形式富集,而Cr以Cr的氧化物的形式富集.在100℃和130℃形成的钝化膜具有良好的耐蚀性,而在150℃和170℃形成的钝化膜耐蚀性下降.产生这种现象的原因与表面钝化膜的半导体性能密切相关,在100℃和130℃中形成的钝化膜具有双极性n-p型半导体特征,且随着温度升高掺杂数量增多,而150℃和170℃介质中形成的钝化膜为p型半导体,故随着温度升高,超级13Cr马氏体不锈钢的耐蚀性能下降.     

鲁棒的高速物理随机数发生器

基于宽带混沌激光作为物理熵源, 提出一个性能稳定的高速物理随机数发生器实现方案. 利用差分比较器对宽带混沌信号延迟作差, 再经由时钟控制的触发器进行采样保持以及后续异或处理, 实验获得了速率为1.44 Gbit/s 的随机数. 该方案免去了精确的阈值电压调节过程, 利用差分比较纠正了混沌幅值概率密度分布的偏差, 使混沌幅值分布的中值偏斜度系数为γ= 1.5×10^-6. 此实验系统可抗外界波动信号的干扰, 能够连续稳定工作至少12 h.     

GaN掺Cr材料的局域电子结构和磁性

运用原子团模型研究了稀磁半导体GaN掺Cr的局域电子结构和磁性, 计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法. 计算结果表明Cr原子的磁矩随掺杂浓度有明显的变化, 变化趋势和实验结果吻合. 在包含两个Cr原子的体系中, Cr原子之间是铁磁性偶合, 每个Cr原子的磁矩与相同浓度下掺杂一个Cr原子的磁矩相近. 对于不同的掺杂浓度, Cr原子与最近邻N原子之间均为反铁磁偶合, Cr原子的3d电子与N原子的2p电子之间有很强的杂化, 这与晶体的能带计算方法得到的结果一致.     

半导体量子点Rabi振荡品质因子及其退相干机制

采用光致发光方法和纳米光谱成像技术,研究了单个半导体量子点中激发态激子的Rabi振荡。观测了在两个延时位相可控的!/2脉冲激发下,激发态激子数随其量子比特位相旋转而振荡的特性。由实验观测结果分析得知此单个半导体量子点量子比特的自由旋转品质因子约为9.8×104,动力旋转品质因子约为18。讨论了激子从浸润层到量子点的俘获过程对Rabi振荡衰减退相干的影响。简要分析了量子点的激子自旋操控和单光子发射统计特性。