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121.
本文介绍了利用SEM的EBIC像和SE像观测PN结的全部形貌的理论和方法,对PN结的结深、结宽做了精确的测量,给出了EBIC像和SE像的叠加像。 相似文献
122.
本文介绍了半导体材料表面吸附分子的表面增强喇曼散射(SERS)研究工作.至今,人们主要在二类半导体材料表面进行了SERS 实验:一类是半导体材料表面吸附分子的SERS 实验;另一类是被银修饰了的(silver-modified)半导体材料表面吸附分子的SERS 实验.文章还简单介绍了对半导体材料表面SERS效应所作的理论解释.最后对半导体材料表面SERS 研究的发展和应用前景作了展望. 相似文献
123.
124.
建立了半导体致冷器温度控制系统的数学模型，介绍了该系统控制器参数的整定方法，分析了不稳定定性因素和温度测量中的非线性误差，提出了非线性校正的两种方法。该系统适用于光电子器件的精密温度控制。 相似文献
125.
等离子体增强CVD氧化硅和氮化硅 总被引：3，自引：0，他引：3
利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氮化硅薄膜的成分和结构进行了研究。采用高频Ｃ－Ｖ测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氮化硅及其复合膜的界面特性，结果表明ＰＥＣＶＤＳｉＯ２－ＳｉＮ双层结构的复合膜对半导体器件表面有良好的钝化效果。 相似文献
126.
用类Ｌｅｅ－Ｌｏｗ－Ｐｉｎｅｓ中间耦合方法讨论了在有限温度情形极性－极性半导体异质结中界面极化子的性质．在二维近似下，得到了两支界面光学声子模影响下的极化子能量和有效质量的解析表达式．结果表明：极化子效应随温度的升高而减弱，并发现极化子能量较其有效质量对温度更为敏感．数值结果表明温度效应对某些Ⅱ－Ⅵ族半导体异质结是重要的，但对Ⅲ－Ⅴ族半导体异质结是不重要的． 相似文献
127.
128.
观察硫化锌发光薄膜中铒离子各激发态发射光谱的瞬态特性,测量时间常数随外加电压的变化规律,分析硫化锌薄膜中铒发光中心的能量状态。 相似文献
129.
本文采用有限差分法对稳态基本半导体方程进行了离散化,并从减小离散引起的局部截断误差入手提出了一种合理的自动建网策略。模拟计算的结果表明了该方法的正确性、合理性。 相似文献
130.
研究了４种复合氧化物（ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ。－Ｂ２Ｏ３，ＭｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３，Ｎａ２Ｏ－ＳｉＯ２和ＬｉＮｂＯ３）为扩散剂对半导化的ＳｒＴｉＯ３基陶瓷显微结构、压敏和介电特性的影响．在实验基础上，提出了新的晶界势垒模型． 相似文献