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111.
<正>由于芯片行业从2007年起陷入有史以来最严重的滑坡,再加上海外竞争企业在技术和产业链上双重优势的联合打击,台湾的芯片产业已透不过气来。南亚科技及台湾力晶半导体股份有限公司(下文简称简称力晶)等台湾芯片行业的支柱企业已在亏损中鏖战多年。尽管近期芯片价格出现反弹, 相似文献
112.
阐述了半导体制冷的技术特点及其在电冰箱中的应用。半导体制冷具有许多优越性,随着半导体制冷技术的进步,其应用有着广阔的前景。 相似文献
113.
应用Lee-Low-Pines(LIP)方法研究极性晶体板中极化子的性质,给出极化子基态能量和有效质量的解析表达式,并以GaAs极性晶体板为例进行数值计算。讨论了体纵光学模声子和表面光学模声子对极化子性质的影响。 相似文献
114.
115.
半导体激光系统整形棱镜的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
张平 《华中科技大学学报(自然科学版)》1990,(3)
本文根据半导体激光器的发光特性和棱镜的光学折射性质,提出了半导体激光系统中整形棱镜的设计和进行光束质量优化的方法. 相似文献
116.
对耦合于长无源外腔的半导体激光器的线宽行为进行了二阶理论分析,首次得到了 外腔半导体激光器的线宽压窄率随外腔长的增加而出现饱和的结论。并给出了饱和因子 的表述式。 相似文献
117.
邹永庆 《淮北煤炭师范学院学报(自然科学版)》1990,(2)
本文给出了硅基非晶态半导体 Staeber-Wronski 效应(SWE)的范氏键模型,该模型认为硅基非晶态半导体的光致变化是网络内范氏键光致断裂引入的隙态所致。 相似文献
118.
金属/非晶硅势垒低频电容中等价的隙态密度分布 总被引:1,自引:0,他引:1
唐元洪 《湖南大学学报(自然科学版)》1990,17(4):35-41
本文证明:在一定条件下,描述非晶硅隙态密度分布的三种基本函数,即均匀分布、指数分布和双曲分布,在计算金属/非晶硅势垒低频电容时也是等价的.并通过测量室温时低频势垒电容,得到了隙态密度分布函数模型等价的标准. 相似文献
119.
本文介绍了利用SEM的EBIC像和SE像观测PN结的全部形貌的理论和方法,对PN结的结深、结宽做了精确的测量,给出了EBIC像和SE像的叠加像。 相似文献
120.
本文介绍了半导体材料表面吸附分子的表面增强喇曼散射(SERS)研究工作.至今,人们主要在二类半导体材料表面进行了SERS 实验:一类是半导体材料表面吸附分子的SERS 实验;另一类是被银修饰了的(silver-modified)半导体材料表面吸附分子的SERS 实验.文章还简单介绍了对半导体材料表面SERS效应所作的理论解释.最后对半导体材料表面SERS 研究的发展和应用前景作了展望. 相似文献