SOI—21世纪的硅集成电路技术

ＳＯＩ（ Ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）被国际上公认为是“２１世纪的硅集成电路技术”。ＳＯＩ是在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的、有独特优势的、能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术。 ＳＯＩ的重大突破 １９９８年８月，美国ＩＢＭ公司宣布在世界上首次利用ＳＯＩ技术成功地研制出了高速、低功耗、高可靠的微电子主流产品──微处理器等高性能芯片。紧接着，ｓｃｉｅｎｃｅ杂志以及我国中央电视台新闻联播“中国科学报”等都相继作了报道。ＩＢＭ的这一成果之所以引起如此大的轰动，是因为其不仅在世界上…     

科学家发现钻石存储信息能力为硅的数百万倍

遍布小孔的钻石片或许对新一代超级电脑的计算能力具有举足轻重的影响。美国加州大学科学家利用现有技术，在大钻石片上刻了无数充氮小孔。这些充氨钻石可以存储信息的数量是目前硅芯片系统的数百万倍，同时信息处理速度也是后者的数十倍。     

湿地植物植硅体的生物地球化学碳汇:以西溪湿地为例

IPCC曾指出大气中CO2浓度的持续升高,可能会给全球带来一系列危险的气候变化.寻找一种新的有效降低和缓解大气中CO2的方法,或许是人类目前最紧要的任务.植硅体态碳(phytolith-occluded-carbon),作为一种长期的生物地球化学碳汇机制,可能在全球碳循环和气候变化中扮演着重要的作用.草本植物占主导地位的湿地生态     

新型增容补强剂 CF 炭黑在 T3型耐热输送带覆盖胶中的应用

本文通过对非石油基新型橡胶增容补强剂——CF炭黑的基本性能进行分析,并结合CF炭黑在T3耐热输送带中变量替代传统炭黑的应用效果进行了研究。研究结果表明,在保持配方胶料物理性能基本一致的前提下,使用CF炭黑能提高橡胶产品的某些物理性能,有效降低企业的生产成本。     

有机铵盐促进Gewald反应合成多取代2-氨基噻吩类化合物的研究

2-氨基-4,5-二甲基噻吩-3-乙酸乙酯类化合物是合成小麦全蚀病的高效防治药剂硅噻菌胺的重要关键中间体.为了高效合成这类关键中间体,发展了一种新型的合成方法,利用仲胺与对甲苯磺酸复合形成有机铵盐可以高选择性地促进Gewald反应合成相应2-氨基-4,5-二甲基噻吩-3-乙酸乙酯类杂环化合物,得到较为理想的分离产率和纯度,并深入考察了在该反应中各种不同因素的影响.     

基于硅光电池的大米色选分类方法研究

针对基于硅光电池的色选系统色选大米的快速性和高准确率要求,采用双因素方差分析方法分析了光源类型、大米下落速度、反光板角度等因素时硅光电池接收系统响应的影响.结果表明,光源类型对硅光电池接收系统响应具有显著影响,下落速度和反光板角度影响不显著.根据实验得到了蓝光光源、3m/s速度、3.6°反光板角度的实验参数.运用示波器对波形进行分析,证明了该方法的实用性.     

二氧化硅负载硅钨钼酸催化合成丁醛缩乙二醇

采用溶胶-凝胶法制备了二氧化硅负载硅钨钼酸催化剂.以其为催化剂,丁醛和乙二醇为原料合成了丁醛缩乙二醇,探讨二氧化硅负载硅钨钼酸对丁醛缩乙二醇合成反应的催化活性.用正交实验法较系统研究了反应物料配比、催化剂用量、带水剂用量、反应时间等因素对产物收率的影响.实验表明,二氧化硅负载硅钨钼酸是合成丁醛缩乙二醇的良好的催化剂,固定丁醛的用量为0.20 mol,在n(丁醛):n(乙二醇)=1:1.3,催化剂用量为反应物料总质量的1.0%,带水剂环己烷8 mL,反应时间60 min的优化条件下,丁醛缩乙二醇的收率可达93.0%.     

2-硅萘与乙炔和苯乙炔杂Diels-Alder反应的理论研究

采用密度泛函理论(DFT)方法在B3LYP/6-311G(d,p)水平上研究了2-硅萘与乙炔和苯乙炔的杂Diels-Alder反应的微观机理和势能剖面,考察了反应的取代基效应和溶剂效应,并与硅苯参与的类似反应进行了比较.计算结果表明,所研究反应均以协同非同步的方式进行.乙炔分子中碳原子上的苯基取代基对反应活化能垒的影响与产物中苯基所处的位置有关.2-硅萘分子中硅原子上的C(CH3)3或NH2取代基对反应势能剖面的影响一般都比较小,而其上的CCl3取代基对反应势能剖面的影响则比较复杂.苯溶剂对所研究反应的势能剖面影响不大.2-硅萘参与的杂Diels-Alder反应在热力学和动力学上均不如涉及硅苯的相应反应容易进行.     

硅中硼磷的横向扩散及其引起的CMOS LSI失效问题

实验发现,硼磷通过掩膜窗口向硅中扩散时,横向与纵向扩散深度之比 y_j/x_j 不是一个常数,而是随扩散温度的降低增大。此外,对于硼和磷的扩散来说,这个比值是不同的,且有(y_j/x_j)_B>(y_j/x_j)_P。通过解剖一些实际的 CMOS LSI 芯片结构发现,无论是采用常规工艺,或者是采用全离子注入技术,其失效的一种重要模式是 PMOS FET源、漏区硼扩散横向连通。分析了产生这种失效模式的机理。并提出在设计 CMOS LSI 时,适当调整 NMOS FET 和 PMOS FET 的沟道长度,有利于提高成品率和电路性能。