T─2型油锯模拟试验台电气部分再研究

针对原电气部分不足，提出了采用具有电流内环和速度外环的双闭环调节方案，并采用了KJ—004集成移相触发电路，大大提高了触发回路的精度，使该直流调速系统更加稳定．     

PWM控制无刚直流电动机

本文建立了ＰＷＭ控制无刷直流电动机的数学模型，用Ｃ语言编制了仿真程序，得到了ＰＷＭ控制无刷直流电动机的电流波形、转矩波形、机械特性和外特性．     

镉镍蓄电池直流屏控制系统的可靠性研究

根据镉镍蓄电池直流屏的工作原理，分析了直流屏在系统发生故障状态下的几种运行结线方式，提出了在不可靠运行方式下也能可靠切除故障的控制回路改进方法。     

8XC196MX单片机在直流伺服控制系统中的应用

利用８ＸＣ１９６ＭＸ高档Ｉｎｔｅｌ１６位单片机实现ＰＷＭ型直流伺服控制。与８０９８型相比，这种单片机的指令系统更丰富，指令执行时间短，中断自理增加了ＰＴＳ，且采用窗口技术扩大直接寻址范围，丰富了片内外围，因此，采用这种单片机可提高系统实时性，简化接口硬件，提高抗干扰能力。     

电势法和磁场法在直流电弧炉电弧射流数值模拟中的对比

针对直流电弧炉冶炼过程,在二维近似条件下,利用PHOENICS程序对直流电弧炉内电弧射流的磁流体力学模型进行了数值模拟,分析了电势法和磁场法在电弧射流数值模拟研究中的异同,并将这两种方法的计算结果与已有的实验结果进行了比较.结果表明,磁场法的计算结果高于电势法且与实验结果更加接近;但从数值模拟的角度看,电势法更易实现.     

三电平逆变器的直流侧电压平衡控制新方法

三电平逆变器应用于中高压游梁式抽油机变频驱动装置不仅可以节能降耗,而且能提高油井的采收率.然而,中点箝位式三电平逆变器的直流侧电压平衡问题直接影响逆变器及其电机调速系统的可靠性.在分析其产生原因的基础上,提出了一种压频转换式电压平衡控制新方法,并给出了利用87C196MC单片机实现的具体编程思路.该方法不受逆变器输出交流电压的影响和限制,实现简单,特别适合于单片机的控制,而且可以扩展到多于三电平的逆变器.仿真和实验结果证明了该方法的正确性.     

氮化铜薄膜的结构与组成分析

采用反应直流磁控溅射的方法在室温下,在玻璃基底上成功制备了多晶氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示薄膜是择优生长取向的,在低氮气分压时薄膜择优[111]晶向生长,在高氮气分压条件下薄膜的择优生长取向为[100]、[111];XPS分析表明,在低氮气分压时,薄膜主要由Cu3N和Cu组成;在高氮气分压时,薄膜主要由Cu3N组成,而Cu的含量很少.     

速度与电流双闭环不可逆直流调速系统分析

在工业生产中,需要高性能速度控制的电力拖动场合,直流调速系统发挥着极为重要的作用。而采用速度、电流双闭环调速系统,就可以充分利用电动机的过载能力来获得最快的动态过程。根据双闭环调速系统的组成和基本原理,分析了转速与电流双闭环直流自动调速系统的工作过程及其特点。     

常温直流对靶溅射制备高TCR氧化钒薄膜

常温下用直流对靶磁控溅射的方法在玻璃基片上制备出了高电阻温度系数（TCR）氧化钒薄膜．通过设计正交试验，系统分析了Ar和O2的标准体积比、溅射功率、工作压强和热处理时间对氧化钒薄膜TCR的影响．对最佳工艺条件下制得的薄膜进行电阻温度特性测试，TCR达到-3．3％／K，室温方块电阻为28．5kΩ，个别样品的TCR达到-40%／K以上．扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）的形貌分析显示，这种制备方法结合适当的退火可以制备出氧化钒多晶薄膜，晶粒尺寸在纳米数量级．X射线光电子能谱（XPS）分析发现，高TCR薄膜样品中钒的总体价态接近＋4价．所有结果表明，制得的氧化钒薄膜电性能满足红外探测器的要求，且该工艺能与CMOS工艺兼容．     

模糊控制在双闭环调速系统中的应用

应用模糊自适应对直流双闭环调速系统中的转速调节器的比例、积分参数进行整定。仿真结果表明,用这种控制方法得到的转速调节器参数比传统的工程整定方法得到的参数控制性能好,响应快,过渡过程时间短,基本无超调。