CO分子振动态的理论研究

文章利用时域有限差分法对基态CO(X∑g^ )的振动能级进行了量子力学的计算．并对势函数进行了具体的讨论。     

GaAs0.55P0.45发光二极管中的无辐射陷阱

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaAs0.55P0.45红色发光二极管深能级.结果表明,有B陷阱的GaAS0.55P0.45红色发光二极管亮度比有C陷阱的低;并对B陷阱深能级位置的真实值进行了详细计算.     

螺旋槽干式气体端面密封的刚度和泄漏量研究

干式气体端面密封(DGS)是一种非接触式机械密封,适用于大多数气体密封场合,了解密封特性尤其是气膜刚度和泄漏量对正确设计密封非常重要.针对螺旋槽气体端面密封结构,用有限元法计算了密封端面的气膜压力分布及密封的气膜刚度和泄漏量等特性参数,分析了密封面的槽深比、螺旋角和槽长坝长比等两两变化时对密封特性的影响.研究表明,当槽深比取2.0～2.5,螺旋角取15°,槽长、坝长比取1.5～2.0,槽台宽比取1.0,槽数取12～18时,可在确保密封泄漏量低的同时具有较大气膜刚度.     

4105发动机缸体铸件渣气孔成因分析及对策

对4105发动机缸机缸体铸件出现的批量渣气孔现象进行了分析.电镜分析和能谱分析表明渣气孔是渣致皮下气孔.其批量出现的原因主要是各种变化因素的不确定性已超出了工艺的承受能力,不能简单地认为是工艺不合理,为了证实分析结果,进行了试验验证,在此基础上提出了最大限度减少铸造缺陷的方法措施,很好地解决了生产中废品率高的问题.     

深过冷Cu-20Wt%Pb亚偏晶合金的凝固行为

采用熔融玻璃净化和循环过热相结合的方法，使Cu-20wt％Pb亚偏晶合金获得了208K的深过冷，在宽过冷范围内研究了Cu-Pb亚偏晶合金的组织演化规律。结果表明，过冷合金熔体初生相为α(Cu)，在0～146K的过冷度范围内，均有两次再辉现象；在183～208K的过冷范围内，只出现一次再辉。当△T≤98K时，合金凝固组织为粗大枝晶α 枝晶间Pb相；当116K△≤T≤146K时，凝固组织已无明显的枝晶形貌，组织由细密α基体 细小的Pb颗粒组成；当△T≥183K时，凝固组织与中等过冷度下的组织相似，只是Pb相更细小，分布更均匀。当△T≥133K时试样出现裂纹。     

半导体表面态的研究与展望

半导体表面的研究是半导体物理中极为活跃的一个分支，因为半导体器件的体积越来越小，靠近半导体表面附近的物理性质越来越重要。笔者系统地对半导体表面态进行了综述。认为当波矢K取复数时局域于表面附近存在表面电子态，其波函数体内、体外都衰减。同时对半导体表面研究的发展历程、现状以及前景进行了展望。     

类锌离子精细结构能级和辐射寿命

用全相对论多组态自治场方法，计算了类锌离子Mo XⅢ和Fm LXⅪ的1s，2s，2p_，2p，3s，3p_，3p，3d_，3d，4s，4p_，4p，4d_，4d，4f_，4f，5s，5p_，5p，5d_，5d，5f_，5f，5g_，5g,6s，6p_，6p，6d_，6d，6f_，6f，6g，6g，6h_，6h，7s，7p_，7p7d_，7d轨道的475个精细结构能级和辐射寿命以及各种跃迁参数。能级的计算值和实验值符合得很好。还发现了一些寿命较长的亚稳态能级。     

控制光子的“半导体”——光子晶体

光子晶体是一种新型功能材料,其最基本的特征是具有光子频率带隙,频率落在带隙内的电磁波被禁止在光子晶体中传播。本文简述了光子晶体的基本性质和理论研究方法,介绍了光子晶体的制备,并对光子晶体的应用前景给予了简短的评述。     

相对论热等离子体的同步加速辐射

利用克希霍夫定律及光深条件等物理上的考虑，对具有磁场的相对论热等离子体采用一种简化的方法来处理包含自吸收的同步加速辐射，求得辐射率的表达式．     

Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级

基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度，结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”．n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒，三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i，是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。