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31.
等离子体增强CVD氧化硅和氮化硅   总被引:3,自引:0,他引:3  
利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氮化硅薄膜的成分和结构进行了研究。采用高频C-V测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氮化硅及其复合膜的界面特性,结果表明PECVDSiO2-SiN双层结构的复合膜对半导体器件表面有良好的钝化效果。  相似文献   
32.
研究了刷状共聚物聚L-赖氨酸接枝聚乙二醇水润滑添加剂在Si3N4陶瓷表面的吸附特性及其在不同速度、不同应用载荷条件下的润滑特性。采用X射线光电子能谱仪、椭圆偏光仪研究其吸附特性。在销盘式摩擦磨损试验机上测定不同速度、不同应用载荷条件下的摩擦系数,分析其润滑特性。在原子力显微镜下观察Si3N4陶瓷表面磨痕形貌。结果表明,聚L-赖氨酸接枝聚乙二醇共聚物添加剂能在摩擦副表面形成刷状吸附膜,在高速、低速和不同应用载荷条件下,都能明显减小摩擦副表面的摩擦系数。  相似文献   
33.
Si3N4陶瓷的凝胶注成型工艺   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了微米级Si3N4粉的凝胶注成型工艺,系统地分析了引了剂、单体及交联剂等对坯体性能的影响。研究结果表明,当引发剂(APS)的质量分数w(APS)达到2%,单体与交联剂质量分数的比值在10%-30%,且溶液中有机单体的质量分数w(T)为20%时,坯体性能最佳,其强度最高可达40MPa。否则,坯体内部的有机网络不均匀,将导致坯体性能的下降。  相似文献   
34.
利用硼离子B+注入方法来改善Si3N4薄膜的力学性质,并就B+注入对Si3N4薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究.实验结果表明,B+注入能够有效地降低薄膜的内应力,而对薄膜的驻极体性质有不利的影响;用化学表面修正能够在一定程度上提高材料的抗恶劣环境能力。  相似文献   
35.
Superhard materials are solids whose Vickers hardness is beyond 40 GPa. They have wide applications in industry such as cutting and polishing tools, wear-resistant coatings. Most preparations of superhard materials are conducted under extreme pressure and temperature conditions, not only for scientific investigations, but also for the practical applications. In this paper, we would introduce the recent progress on the design and preparations of novel superhard materials, mainly on nanopolycrystalline diamond, B–C–N superhard solid solutions, and cubic-Si3N4/diamond nanocomposites prepared under ultrahigh pressure and high temperature(HPHT), using multi-anvil apparatus based on the hinged-type cubic press. Bulk materials of all these superhard phases have been successfully synthesized and are systematically tested. We emphasize that ultra-HPHT method plays an important role in the scientific research and industrial production of superhard materials. It provides the driving forces for the light elements forming novel superhard phases as well as the way for sintering high-density nanosuperhard materials.  相似文献   
36.
以Al粉、K2ZrF6为原料,在KCl LiCl的融盐介质中,利用高温融盐热还原法在氮化硅陶瓷基体表面镀锆金属化膜;以XRD分析镀膜物相成分,并用SEM对试样表面、断面进行显微结构分析。结果表明:氮化硅陶瓷镀件表面镀膜外观呈银白色,并有有金属光泽;镀膜物质成分为Zr5Si3;镀层中无铝元素存在。  相似文献   
37.
瞬态高温等离子体生成氮化硅与ESCA分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
韩丽君 《科学通报》1989,34(3):196-196
氮化硅具有耐腐蚀、耐高温、硬度高、磨擦系数小等特性,在工业应用中是一种优异的陶瓷材料,此外,由于氮化硅(Si_3N_4)有良好的绝缘性能,在大规模集成电路中用作掩膜或介质薄膜。近年来,采用电子束感生的化学气相沉积法(EBCVD),产生氮化硅薄膜沉积在SiO_2、多晶硅和单晶硅衬底上,这种方法要用NH_3、N_2和SiH_4作为反应气体,由于反应中含  相似文献   
38.
<正> 特种陶瓷是一种新兴的工业原材料,它和钢铁、塑料已成为工业生产三大原材料。特种陶瓷有高温高强结构陶瓷和功能陶瓷之分,氮化硅陶瓷电热塞属高温高强结构陶瓷的范筹,因其有着独特的优越性能,五十年代就引起了世界先进国家的关注和重视,并投入了大量的人力物进行了试验研究。电热塞是按装在柴油机燃烧室中的电热元件,电  相似文献   
39.
40.
利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积了氮化硅薄膜,反应气体为氨气和硅烷.这些薄膜在不同条件(温度、时间和气氛)下进行了炉温或快速退火.对太阳电池而言,氮化硅薄膜不仅是有效的减反射层而且也有表面钝化和体钝化作用.利用椭圆偏振光谱、反射谱、红外吸收谱和准稳态光电导(QSSPC)分析了氮化硅薄膜的特性.实验发现随着退火温度的增加,氮化硅薄膜的厚度下降而折射率增加,可以归因于在退火过程中,薄膜愈加致密.红外吸收谱的研究发现,氮化硅中氢的含量在退火过程中有明显的下降,而QSSPC测量的样品寿命有同样的变化.这些结果显示氮化硅的钝化作用与其中的氢含量有关.  相似文献   
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