球形SiO_2超细粉的制备及其烧结行为

在合适的温度和pH值下,通过硅酸钠在氯化氨溶液中水解,制备球形二氧化硅超细粉·考察了反应温度、pH值、硅酸钠溶液浓度和流量对产物形成时间的影响,确定了制备球形二氧化硅超细粉的pH值为9,反应温度为60℃,硅酸钠溶液浓度为0 6mol·L-1·并在不同温度对球形二氧化硅超细粉的烧结行为进行了研究·结果表明,当温度超过900℃时,超细二氧化硅粉有明显的烧结现象·采用SEM,TEM表征了二氧化硅为球形纳米超细粉·     

气体成分对Al2O3-TiO2涂层结构和硬度的影响

为了研究低功率等离子喷涂中工作气体成分对涂层结构和硬度的影响规律,在试验中我们分别使用了氩-氢和氩-氮等离子炬,在输入相同功率(5 kW)的条件下,改变混合气体中氢气与氮气的百分含量,来喷涂Al2O3-TiO2涂层.结果表明,用氩-氮等离子炬喷涂的涂层比较粗糙,相图中层间距较大,气孔较多;而用氩-氢等离子炬喷涂的涂层则比较均匀,层间距比较小,气孔也比较少,涂层比较致密,其硬度明显高于氩-氮等离子炬喷涂的涂层,Hv可以达到1243 kg·mm-2.     

WC对弥散强化铜的性能的影响

利用高能球磨冷压烧结的方法制备了Cu—WC弥散强化铜合金，并对添加不同成分WC的弥散强化铜试样进行了性能检测和显微结构分析．结果表明：WC的含量多少对金属组织与性能的影响比较明显，随着WC的增加．合金的硬度增高，导电率降低、当WC的体积分数低于1％时，导电率接近纯铜，但硬度较低，当WC的体积分数达到4％以上时，硬度变化不大，导电率下降明显．所以，弥散强化铜中WC的成分应控制在体积分数1％到4％之间。     

含钛铁精矿高铁低硅烧结技术

在攀枝花新钢钒股份有限公司炼铁厂现有的资源条件下,通过优化配矿实现含钛铁精矿高铁低硅烧结,烧结矿全铁的质量分数从49.20%提高到51.46%,SiO2的质量分数从5.30%降低到4.05%。采取钛精矿预先制粒和返矿预润湿等强化措施,烧结矿转鼓强度可提高2.24%,利用系数提高0.06 t/(m2.h),成品率提高4.84%。矿相分析结果表明:钛精矿预先制粒可提高烧结矿中铁酸钙和硅酸钙的含量,降低钙钛矿的生成,圆粒状赤铁矿聚晶复合体和团块状集合体显著增加;而返矿预润湿则增加了扩散固结的比例,磁铁矿含量增加,铁酸钙含量减少。     

Synthesis of carbon nanotube array using corona discharge plasma-enhanced chemical vapor deposition

A corona discharge phasma-enhanced chemical vapor deposition with the features of atmospheric pressure and low temperature has been developed to synthesize the carbon nanotube array ,The array was synthesized from methane and hydrogen mixture in anodic aluminum oxide template channels in that cobalt was electrodeposited at the bottom.The characterization results by the scanning electron microscopy,transmission electron microscopy,energy dispersive X-ray spectroscopy and Raman spectroscopy indicate that the array consists of carbon nanotubes with the diameter of about 40 nm and the length of more than 4 μm, and the carbon anotubes are mainly restrained within the channels of templates.     

掺锰的氢氧化镍的制备、结构及充放电性能

采用固相反应法合成取代含量为30％(摩尔分数)的锰取代氢氧化镍,其中合成过程中加入还原剂所得的样品为α型氢氧化镍,该样品做成的电极具有更优良的电化学性能：电极可逆性好,充电平台低,放电平台高,容量更大．     

矩形玻璃放电管RF放电的研究

根据Ｈａｌ的放电模型讨论了ＲＦ高频放电辉光特性,对２ｍｍ×２．２５ｍｍ×７１ｍｍ矩形玻璃放电管ＲＦ放电中最佳匹配网络进行了实验研究,观察到放电辉光图纹,可作为ＲＦ激励波导激光器设计的依据。     

硅烷射频辉光放电中的SiH_2/SiH_3

本文报道了采用四极质谱计实现在PCVD系统中对制备a－Si：H薄膜时的硅烷射频辉光放电中性基团的在线测量。获取了在低压强、小放电功率条件下,SiH2与SiH3基团的相对丰度比。     

气体放电增强准分子激光溅射反应沉积AlN膜

使用氦气放电增强准分子激光溅射反应沉积ＡｌＮ薄膜,讨论了脉冲能度,氮气放电基底温度等因素对膜的性能的影响,实验结果发现,当ＤＥ＝１．０Ｊ．ｃｍ＾－２,Ｐｎ２＝１００×１３３．３３Ｐａ,Ｔａｕｂ＝２００℃,Ｖ＝６５０Ｖ,ｆ＝５Ｈｚ,ｄｓ－Ｔ＝４ｃｍ时,高质量的ＡｌＮ薄膜被成功沉积于Ｓｉ（１００）基片上,Ｘ射线衍射和光谱分析表明,所制备的薄膜具有高取向性的ＡｌＮ（１００）多晶膜,禁带宽度约为６．２ｅＶ