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91.
针对半导体发光二极管 (LED)出光效率低下的问题 ,提出了一个在LED顶部引入周期性微结构的新设想。根据这一设想 ,采用简单的微加工技术研制成功带有环形槽微结构的圆台形InGaAlP量子阱LED。结果表明 ,这种新型LED在竖直方向的出射光强比不带微结构的LED有明显增强。这一成功为改进发光二极管的出光效率提供了新的途径 相似文献
92.
CaF2掺杂ZnNb2O6微波介质陶瓷的结构特征 总被引:1,自引:0,他引:1
用传统固相法合成了CaF2掺杂ZnNb2O6微波介质陶瓷,通过XRD、SEM、EDS等对其微结构进行了系统的研究,结果显示,Ca2 已经固溶到晶格中取代Zn2 形成CaNb2O6没有发现晶界玻璃相,0.5?F2掺杂可使ZnNb2O6陶瓷的烧结温度从 1150℃降到1080℃,并且具有较好的微波介电特性。 相似文献
93.
在"材料结构弱点"概念及其特性理论的指导下,开发出具有自主知识产权的计算机模拟软件PreFailure.该软件针对实际工程材料,模拟单个微裂纹或一系列微裂纹(群)在材料微结构内的虚拟扩展过程,能够预测微裂纹(群)在材料微结构内的不规则扩展路径、几何形态与扩展程度,具备了定量推演材料"微结构虚拟失效"行为的功能.软件PreFailure的开发还为三维微裂纹(群)扩展的计算机模拟积累了大量的有效算法与经验,为采用计算机技术模拟三维微裂纹在材料微结构内的扩展过程奠定了基础. 相似文献
94.
利用小角X射线散射研究了碳纤维基体微结构,结果表明,2500℃碳化处理的碳纤维的小角X射线散射强度很好地遵从Porod规律;1340℃碳化处理的碳纤维不遵从Porod规律,即经1340℃碳化处理的碳纤维基体存在尺寸小于1nm的不均匀区. 相似文献
95.
本文研究了不同沉积氛围(纯Ar,Ar+O2和Ar+N2)中射频磁控溅射制备HfO2薄膜的介电性能和界面微结构.实验结果表明在纯Ar氛围室温制备的HfO2薄膜具有较好的电学性能(有效介电常数ε-r~17.7;平带电压~0.36 V;1 V栅电压下的漏电流密度~4.15×10-3 A cm-2).高分辨透射电子显微镜观测和X射线光电子能谱深度剖析表明,在非晶HfO2薄膜和Si衬底之间生成了非化学配比的HfSixOy和HfSix混合界面层.该界面层的出现降低了薄膜的有效介电常数,而界面层中的电荷捕获陷阱则导致薄膜电容-电压曲线出现顺时针的回线. 相似文献
96.
基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备非晶硅太阳电池,通过微量调节氢稀释(RH),研究其对本征非晶硅吸收层的光学带隙及微结构的影响。实验结果显示当RH由6.5增加到10时,本征非晶硅吸收层的光学带隙由1.796eV提高到1.973eV,电池效率随RH的降低先升高后降低。并在RH=7时达到最大值,此时的本征非晶硅薄膜的光学带隙约为1.836eV,其电池效率达到8.4%(Voc=897.2mV,Jsc=14.86mA/cm2,FF=62.96%)。实验表明RH的提高并不能单调增加电池的效率。通过对微结构的分析发现,这主要是由于RH过低或过高时,其Si-H2键成分比例较高,微结构因子R较大,使得薄膜中缺陷较多所引起电池恶化导致的。 相似文献
97.
98.
本文研究了施主Nb掺杂BaTiO_3PTC陶瓷的微观结构和导电性能。总结了材料电阻、介电、复阻抗、电流电压关系、耗散等特性及微结构随施主浓度变化的实验规律。 相似文献
99.
100.
1Introduction SincethefindingoflongafterglowphosphorofZnS :Cuintheearly 2 0thcentury[1] ,greatdevelopmentshavebeenob tainedinthetraditionalsulfideslongafterglowluminescentmaterials.Butitspoorchemicalstability ,lowbrightnessandshortafterglowtimecan’tmeettherequirementsofapplica tion .In 1992 ,aluminatessystem[2 ] materialsdopedwithvariousrareearthionswerefoundtohavepropertiesoflongafterglow .Itsafterglowbrightnessisover 10timesofthetra ditionalsulfidesystemmaterials,buttherearesomeshortages… 相似文献