极性半导体中通过形变势表面极化子

有不少的极性半导体，电子与表面光学（SO）声子耦会强，但与表面声学（SA）声子耦会弱。本文采用线性组合算符方法，导出了极性半导体中通过形变势表面极化子的有效哈密顿量。并对两种限情形进行了讨论。     

取向硅钢薄带形变再结晶组织及织构演变

利用背散射电子衍射微织构分析技术及X射线衍射织构分析技术,结合对取向硅钢薄带再结晶各阶段退火板磁性能的分析,系统研究了其形变再结晶过程中的组织及织构演变。结果表明,薄带内原始高斯晶粒取向发生绕TD轴向{111}<112>的转变,同时晶粒取向还表现出绕RD轴的附加转动,这种附加转动及其导致的表层微弱立方形变组织可为再结晶立方织构的形成提供核心。退火各阶段样品磁性能的变化对应了{110}-{100}<001>有益织构及其他织构的强弱转变以及再结晶晶粒不均匀程度的变化,综合织构类型及晶粒尺寸的变化推断发生了二次及三次再结晶过程。升温过程再结晶织构演变主要体现了织构诱发机制,也即与基体存在绕<001>轴取向关系的晶粒长大优势结合高斯织构的抑制效应发挥作用;而在高温长时间保温后三次再结晶过程,{110}低表面能诱发异常长大发挥主要作用使得最终得到锋锐的高斯织构。     

原子核形变参量η的物理意义

从形变核的单粒子Nilsson势中自旋轨道耦合项对单粒子能级的影响及形变参量T1的引入表达式出发,讨论了η与相关物理量的关系,表述了形变参量η的内在涵义.     

铍青铜QBe2合金形变时效工艺的研究

用正交试验的方法，对铍青铜QBe2合金形变时效工艺进行优选。试验表明，控制冷变形度、时效温度和时效时间，可获得高的硬度。给出了QBe2合金形变时效最佳工艺参数，以便在生产中采用。     

胞状铝的压缩形变和吸能性能研究

研究了胞状铝的压缩形变特征以及孔隙率、孔径对吸能性能的影响;提出了不同孔隙率和孔径的胞状铝吸能性能的综合判别方法.     

光滑函数芽的通用形变

文章证明了光滑函数芽的无穷小形变的存在性,进而得到通用形变的存在性,并得到了求通用形变的方法。     

悬链线形变幅杆的理论研究和有限元分析

根据一维变截面杆纵向振动的波动方程,推导了悬链线形变幅杆的等效电路,由等效电路得出了其纵向振动的频率方程.利用有限元软件ANSYS对一组悬链线变幅杆进行谐响应分析和模态分析,得到了位移-频率曲线和共振频率；结果表明,模态分析值与理论值吻合很好.这对悬链线形变幅杆的实际应用具有一定的参考意义.     

关于函数芽的相对通用形变与通用形变

用奇点理论的方法对函数芽的相对通用形变进行了研究,定义了函数芽的相对余维数和相对通用形变,给出了相对函数芽的相对通用形变定理及相对通用形变与通用形变之间的关系,并给出一个具体的例子.